Celda solar con varios absorbedores conectados entre sí mediante contactos selectivos de portador de carga.

Celda solar con al menos dos absorbedores (104, 108) diferentes de materiales diferentes para convertir energía de radiación en energía eléctrica con absorción en en cada caso rangos espectrales diferentes,

en la que:

(a) la celda solar es de estructura monolítica,

(b) un primer absorbedor (108) se compone de silicio cristalino, y

(c) sobre un lado del primer absorbedor (108) orientado hacia un segundo absorbedor (104) adyacente está ubicado un contacto selectivo de portador de carga que para un tipo de contacto de portador de carga seleccionado de un grupo que comprende huecos y electrones es más permeable que para el en cada caso otro tipo de portador de carga, y que pasiva bien la superficie correspondiente del primer absorbedor (108), caracterizado por que

(d) el contacto selectivo de portador de carga está formado por una capa de un dieléctrico interfacial (107) delgado y una capa dopada p (106) o dopada n (201), amorfa, parcialmente cristalina o policristalina hecha principalmente de silicio, aplicada sobre el mismo.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2016/078005.

Solicitante: INSTITUT FUR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: AM OHRBERG 1 31860 EMMERTHAL ALEMANIA.

Inventor/es: PEIBST,ROBBY.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/078 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo barreras de potencial de diferentes tipos cubiertas por dos o más de los grupos H01L 31/061 - H01L 31/075.

PDF original: ES-2815556_T3.pdf

 

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