CELULA SOLAR DE CONTACTO EN LA CARA POSTERIOR Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.
Procedimiento para la fabricación de una célula solar (1, 12, 26) que comprende las siguientes etapas:
- preparación de un substrato semiconductor (2; 13; 27) con una cara anterior (8; 17) de substrato y una cara posterior (3; 14; 28) de substrato; - realización de una primera (4) y una segunda región (6; 20; 32) en la cara posterior (3; 14; 28) del substrato, extendiéndose las regiones respectivamente sustancialmente en paralelo a la cara anterior (8, 17) del substrato, y realización de un flanco (5; 19; 31) inclinado, que separa la primera región (4; 18) de la segunda región (6; 20; 32); - precipitación de una capa metálica (10; 24; 37) al menos en regiones parciales de la cara posterior (3; 14; 28) del substrato; - precipitación de una capa barrera al ácido (11; 25; 38) al menos en regiones parciales de la primera capa metálica (11; 25; 38), siendo sustancialmente resistente la capa barrera al ácido (11; 25; 38) a un ácido que ataca la capa metálica; - grabado al ácido de la capa metálica (10; 24; 37) al menos en regiones parciales, eliminándose fundamentalmente la capa metálica (10; 24; 37) en el flanco inclinado (5; 19; 31).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INSTITUT FUR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: AM OHRBERG 1,31860 EMMERTHAL.
Inventor/es: ENGELHART,PETER, TEPPE,ANDREAS, GRISCHKE,RAINER, WADE,ROBERT.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 24 de Septiembre de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L31/0224 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
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