Dispositivo de crecimiento de un monocristal plano a partir de un germen cristalino en una solución de cristalización y procedimiento de fabricación de este monocristal.

Dispositivo de crecimiento (20) de un monocristal plano a partir de un germen cristalino (5) en una solución de cristalización (3),

comprendiendo dicho dispositivo de crecimiento:

- un elemento de soporte (22) que tiene una cara de soporte (21) destinada a soportar el germen cristalino; y

- un elemento de bloqueo (24) que comprende una cara de bloqueo (23), estando la cara de bloqueo dispuesta a una distancia predefinida de la cara de soporte para bloquear el crecimiento del monocristal en una dirección sustancialmente perpendicular a la cara de soporte;

estando el dispositivo de crecimiento caracterizado por que comprende además un órgano de protección (27) del germen cristalino, configurado para proteger dicho germen de la solución de cristalización (3) durante una fase de tratamiento de la solución de cristalización y para liberar una zona de crecimiento dispuesta entre la cara de soporte (21) y la cara de bloqueo (23) durante una puesta en rotación del elemento de soporte (22);

constando el elemento de bloqueo (24), además, de un órgano de sujeción (25) que coopera con el órgano de protección (27), siendo dicho órgano de sujeción desplazable entre una primera posición en la que sujeta el órgano de protección (27) contra la cara de soporte (21) durante la fase de tratamiento y una segunda posición en la que el órgano de sujeción (25) está separado del órgano de protección (27) y participa en la formación de la cara de bloqueo (23).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2017/051774.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.

Inventor/es: VISSIE,PASCAL, GROSIL,MAX, PINTAULT,BRUNO.

Fecha de Publicación: 22 de Abril de 2020.

Clasificación Internacional de Patentes:

C30B29/22 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Oxidos complejos.
C30B7/08 C30B […] › C30B 7/00 Crecimiento de monocristales a partir de soluciones utilizando solventes líquidos a temperatura ordinaria, p. ej. a partir de soluciones acuosas (a partir de solventes fundidos C30B 9/00; por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00; bajo un fluido protector C30B 27/00). › por enfriamiento de la solución.
C30B7/14 C30B 7/00 […] › produciéndose el material a cristalizar en la solución por reacciones químicas.

PDF original: ES-2806400_T3.pdf

Patentes similares o relacionadas:

Sustrato de alineamiento para formar una película epitaxial y procedimiento para producir el mismo, del 15 de Junio de 2016, de TANAKA KIKINZOKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA: Un sustrato texturizado para la formación de una película epitaxial que comprende una capa metálica texturizada al menos en un lado, en el que la capa metálica […]

Contacto de Josephson en etapas reproducible, del 30 de Diciembre de 2015, de FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH: Elemento de construcción con un contacto de Josephson, que presenta un enlace débil, que comprende un substrato con al menos un borde gradual […]

FLEJE METALICO PARA REVESTIMIENTOS EPITAXIALES Y PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION DEL MISMO., del 1 de Febrero de 2007, de LEIBNIZ-INSTITUT FUR FESTKIRPER- UND WERKSTOFFFORSCHUNG DRESDEN E.V. THYSSENKRUPP VDM GMBH: Fleje metálico para recubrimientos epitaxiales compuesto por un material compuesto laminado que está compuesto por al menos una capa base biaxialmente texturizada de […]

PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE CERAMICAS SUPERCONDUCTORAS TEXTURADAS DE TRBA2CU3O, DONDE TR SIGNIFICA TIERRA RARA O YTRIO, MEDIANTE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL., del 16 de Septiembre de 1999, de CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS: PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE CERAMICAS SUPERCONDUCTORAS TEXTURADAS DE TRBA2CU3O, DONDE TR SIGNIFICA TIERRA RARA O YTRIO, MEDIANTE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL. PROCEDIMIENTO […]

METODO DE FABRICACION ACELERADA DE HILOS O CINTAS DE CERAMICA SUPRACONDUCTORA., del 16 de Junio de 1996, de HYDRO QUEBEC ALCATEL CANADA WIRE INC.: LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO DE FABRICACION DE HILOS, CINTAS U OTROS ELEMENTOS ANALOGOS HECHOS DE CERAMICA SUPROCONDUCTORES A TEMPERATURA DE TRANSICION […]

PROCESO DE CRISTALIZACION EN PRESENCIA DE CAMPO MAGNETICO., del 16 de Enero de 1996, de CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS): LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO DE PREPARACION DE UN CUERPO MAGNETICO ORIENTADO Y ESTRUCTURADO, QUE COMPRENDE LAS ETAPAS CONSISTENTES EN: PREPARAR […]

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA FABRICAR CRISTALES ASI COMO CRISTAL., del 16 de Diciembre de 1994, de URLAND, WERNER PROF.DR.RER.NAT. TIETZ, FRANK DIPL.-CHEM.: SE DESCRIBEN UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA FABRICAR CRISTALES Y CRISTALES COMO RESULTADO DE ESTE PROCEDIMIENTO. EL PROCEDIMIENTO SE REFIERE A CRISTALES QUE CONTIENEN […]

CINTAS SUPERCONDUCTORAS FORMADAS A PARTIR DE SOLUCIONES METALORGÁNICAS QUE CONTIENEN DOS METALES DE TRANSICIÓN, del 31 de Enero de 2012, de CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC): Cintas superconductoras formadas a partir de soluciones metalorgánicas que contienen dos metales de transición.La invención se refiere a un procedimiento para la obtención […]