Dispositivo de crecimiento de un monocristal plano a partir de un germen cristalino en una solución de cristalización y procedimiento de fabricación de este monocristal.

Dispositivo de crecimiento (20) de un monocristal plano a partir de un germen cristalino (5) en una solución de cristalización (3),

comprendiendo dicho dispositivo de crecimiento:

- un elemento de soporte (22) que tiene una cara de soporte (21) destinada a soportar el germen cristalino; y

- un elemento de bloqueo (24) que comprende una cara de bloqueo (23), estando la cara de bloqueo dispuesta a una distancia predefinida de la cara de soporte para bloquear el crecimiento del monocristal en una dirección sustancialmente perpendicular a la cara de soporte;

estando el dispositivo de crecimiento caracterizado por que comprende además un órgano de protección (27) del germen cristalino, configurado para proteger dicho germen de la solución de cristalización (3) durante una fase de tratamiento de la solución de cristalización y para liberar una zona de crecimiento dispuesta entre la cara de soporte (21) y la cara de bloqueo (23) durante una puesta en rotación del elemento de soporte (22);

constando el elemento de bloqueo (24), además, de un órgano de sujeción (25) que coopera con el órgano de protección (27), siendo dicho órgano de sujeción desplazable entre una primera posición en la que sujeta el órgano de protección (27) contra la cara de soporte (21) durante la fase de tratamiento y una segunda posición en la que el órgano de sujeción (25) está separado del órgano de protección (27) y participa en la formación de la cara de bloqueo (23).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2017/051774.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.

Inventor/es: VISSIE,PASCAL, GROSIL,MAX, PINTAULT,BRUNO.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C30B29/22 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Oxidos complejos.
  • C30B7/08 C30B […] › C30B 7/00 Crecimiento de monocristales a partir de soluciones utilizando solventes líquidos a temperatura ordinaria, p. ej. a partir de soluciones acuosas (a partir de solventes fundidos C30B 9/00; por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00; bajo un fluido protector C30B 27/00). › por enfriamiento de la solución.
  • C30B7/14 C30B 7/00 […] › produciéndose el material a cristalizar en la solución por reacciones químicas.

PDF original: ES-2806400_T3.pdf

 

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