Procedimiento para la producción de octaclorotrisilanos y decaclorotetrasilanos puros.

Procedimiento para la producción de compuestos de silicio triméricos y cuaternarios de la fórmula general Si3X8 y Si4X10 o de compuestos de germanio triméricos y cuaternarios de la fórmula general Ge3X8 y Ge4X10,



a) exponiéndose a un plasma no térmico una mezcla de compuestos de silicio de la fórmula general Sin(R1 ...R2n+2)

o una mezcla de compuestos de germanio de la fórmula general

Gen(R1 ... R2n+2)

con n ≥ 3, y R1 a R2n+2 hidrógeno y/o correspondiendo X

y X = halógeno, y seleccionándose el halógeno a partir de cloro, bromo y/o yodo, y

b) sometiéndose la fase resultante al menos una vez a una rectificación en vacío y filtración,

obteniéndose compuestos de silicio de la fórmula general Si3X8 y Si4X10 o compuestos de germanio de la fórmula general Ge3X8 y Ge4X10.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2015/052120.

Solicitante: Evonik Operations GmbH.

Inventor/es: RAULEDER, HARTWIG, DR., GÖTZ,CHRISTIAN, LANG,JÜRGEN ERWIN, MARINAS PÉREZ,JANAINA, UEHLENBRUCK,GOSWIN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B01J19/02 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B01 PROCEDIMIENTOS O APARATOS FISICOS O QUIMICOS EN GENERAL.B01J PROCEDIMIENTOS QUÍMICOS O FÍSICOS, p. ej. CATÁLISIS O QUÍMICA DE LOS COLOIDES; APARATOS ADECUADOS. › B01J 19/00 Procedimientos químicos, físicos o físico-químicos en general; Aparatos apropiados. › Aparatos caracterizados por el hecho de estar construidos con materiales elegidos por sus propiedades de resistencia a los agentes químicos.
  • B01J19/08 B01J 19/00 […] › Procedimientos que utilizan la aplicación directa de la energía ondulatoria o eléctrica, o una radiación particular; Aparatos para estos usos (aplicación de ondas de choque B01J 3/08).
  • C01B33/107 QUIMICA; METALURGIA.C01 QUIMICA INORGANICA.C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956). › Silanos halogenados.
  • C01G17/04 C01 […] › C01G COMPUESTOS QUE CONTIENEN METALES NO CUBIERTOS POR LAS SUBCLASES C01D O C01F (hidruros metálicos C01B 6/00; sales de oxácidos de halógenos C01B 11/00; peróxidos, sales de los perácidos C01B 15/00; tiosulfatos, ditionitos, politionatos C01B 17/64; compuestos que contienen selenio o teluro C01B 19/00; compuestos binarios del nitrógeno con metales C01B 21/06; azidas C01B 21/08; amidas metálicas C01B 21/092; nitritos C01B 21/50; fosfuros C01B 25/08; sales de los oxácidos del fósforo C01B 25/16; carburos C01B 32/90; compuestos que contienen silicio C01B 33/00; compuestos que contienen boro C01B 35/00; compuestos que tienen propiedades de tamices moleculares pero que no tienen propiedades de cambiadores de base C01B 37/00; compuestos que tienen propiedades de tamices moleculares y de cambiadores de base, p. ej. zeolitas cristalinas, C01B 39/00; cianuros C01C 3/08; sales del ácido ciánico C01C 3/14; sales de cianamida C01C 3/16; tiocianatos C01C 3/20; procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; obtención a partir de mezclas, p. ej. a partir de minerales, de compuestos metálicos que son los compuestos intermedios de un proceso metalúrgico para la obtención de un metal libre C21B, C22B; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01G 17/00 Compuestos de germanio. › Haluros de germanio.

PDF original: ES-2744678_T3.pdf

 

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