Baño de galvanoplastia y método para producir capas de cromo oscuro.

Un baño de galvanoplastia para deposición de una capa de cromo oscuro sobre una pieza de trabajo,

comprendiendo el baño de galvanoplastia:

(A) iones de cromo trivalente;

(B) iones carboxilato que son iones citrato, iones malato o mezclas de los mismos;

(C) al menos una sustancia amortiguadora de pH; y

(D) una mezcla de uno o más agentes de coloración seleccionados del grupo de compuestos que contienen azufre según la Fórmula (I) con uno o más agentes de coloración seleccionados del grupo de compuestos que contienen azufre según la Fórmula (II)

**(Ver fórmula)**

donde

n, p, q son, independientemente uno de otro, números enteros de 0 a 4;

R1 representa -H, -OH, -COOH, -CO-OCH3, -CO-OCH2-CH3, -(-O-CH2-CH2-)m-OH, -CH(-NH2)-COOH, -CH(-NH-CH3)- COOH, -CH(-N(-CH3)2)-COOH, -CH(-NH2)-CO-OCH3, -CH(-NH2)-CO-OCH2-CH3, -CH(-NH2)-CH2-OH, -CH(-NH-CH3)-CH2-OH, -CH(-N(-CH3)2)-CH2-OH, -SO3H;

m representa un número entero de 5 a 15;

R2 representa -H, -OH, -(CH2-)p-OH, -(CH2-)p-C(-NH2)=NH, -CH2-CH2-(-O-CH2-CH2-)m-OH, -R5, -(CH2-)q-COOH, -(CH2- )q-CO-OCH3, -(CH2-)q-CO-OCH2-CH3, -(CH2-)q-S-(CH2-)2-OH, -CS-CH3, -CS-CH2-CH3, -CS-CH2-CH2-CH3,

**(Ver fórmula)**

R1 y R2 representan juntos una estructura de cadena lineal con el fin de construir una de las siguientes estructuras de anillo que incluyen el átomo de azufre central de Fórmula (I)

**(Ver fórmula)**

R5 representa -H, -CH3, -CH2-CH3, -CH2-CH2-CH3, -CH2-CH2-CH2-CH3;

R6, R7, R8, R9 representan independientemente uno de otro -H, -NH2, -SH, -OH, -CH3, -CH2-CH3, -COOH, -SO3H; y

donde R1 no es H si R2 es H o R2 no es H si R1 es H;

o sales, formas tautoméricas, estructuras de betaína de los mismos, y**(Ver fórmula)**

donde

=X representa =O, una pareja de electrones libres;

R3 representa -R5, -CH=CH2, -CH2-CH=CH2, -CH=CH-CH3, -CH2-CH2-CH=CH2, -CH2-CH=5 CH-CH3, -CH=CH-CH2- CH3, -C&equi;CH, -CH2-C&equi;CH, -C&equi;C-CH3, -CH2-CH2-C&equi;CH, -CH2-C&equi;C-CH3, -C&equi;C-CH2-CH3, -C(-NH2)=NH,

**(Ver fórmula)**

R4 representa -R5, -OR5, -(CH2-)r-CH(-NH2)-COOH, -(CH2-)r-CH(-NH-CH3)-COOH, -(CH2-)-CH(-N(-CH3)2)-COOH, - (CH2-)r-CH(-NH2)-CO-OCH3, -(CH2-)r-CH(-NH2)-CO-OCH2-CH3;

r es un número entero de 0 a 4;

R3 y R4 representan juntos una estructura de cadena lineal con el fin de construir una de las siguientes estructuras de anillo que incluyen el átomo de azufre central de Fórmula (II)

**(Ver fórmula)**

R10 representa -H, -CH3, -CH2-CH3, -CH2-CH2-SO3H;

o sales, formas tautoméricas, estructuras de betaína de los mismos, y

donde el baño de galvanoplastia está exento de iones cloruro,

donde el baño de galvanoplastia comprende además iones sulfato,

donde la concentración de iones carboxilato en el baño de galvanoplastia varía de 5 g/l a 35 g/l, y

donde la concentración de la sustancia amortiguadora del pH en el baño de galvanoplastia varía de 50 g/l a 250 g/l.