Formación de películas finas en múltiples fases para dispositivos fotovoltaicos.
Un método para producir una película de un material compuesto que comprende las etapas de proporcionar un sustrato;
depositar una película en el sustrato usando un material totalmente reaccionado, en el que la película depositada y el material totalmente reaccionado tienen una primera composición química que incluye al menos un primer elemento químico y al menos un segundo elemento químico;
en el que dicha etapa de deposición de la película comprende las etapas de preparar el material totalmente reaccionado desde dicho al menos un primer elemento químico y dicho al menos un segundo elemento químico, formar al menos una diana de metalizado por bombardeo desde el material totalmente reaccionado y metalizar por bombardeo el material totalmente reaccionado sobre el sustrato;
en el que dicha primera composición química comprende Cu, In, Ga y Se y el que dicho al menos un segundo elemento químico se selecciona de entre Se, S y Te;
habiendo reaccionado previamente el material totalmente reaccionado para formar uniones químicas entre los diferentes elementos químicos;
inducir al menos una reacción química en la película depositada usando una fuente que contiene el al menos un segundo elemento químico para incrementar por tanto el contenido del al menos un segundo elemento químico en la película depositada por lo que la película depositada tiene una segunda composición química; en el que el contenido del al menos un segundo elemento químico en la segunda composición química es mayor que el contenido del al menos un segundo elemento químico en la primera composición química para producir una película estequiométrica que tiene una única fase cristalina.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E12002005.
Solicitante: Sunlight Photonics Inc.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 2045 Lincoln Highway Suite One West Edison, NJ 08817 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: CYRUS,MICHAEL, BRUCE,ALLAN JAMES, FROLOV,SERGEY.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/36 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
- H01L31/0248 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por sus cuerpos semiconductores.
- H01L31/032 H01L 31/00 […] › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
PDF original: ES-2620286_T3.pdf
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