Detector de radiación semiconductor optimizado para detectar luz visible.

Un dispositivo detector de radiación semiconductor, que comprende una capa de volumen (103) de material semiconductor,

y sobre una primera superficie de la capa de volumen (103) en el siguiente orden:

- una capa de compuerta interna modificada (104, 304) de semiconductor del segundo tipo de conductividad,

- una capa de barrera (105) de semiconductor del primer tipo de conductividad y

- dopadores de pixel (111, 112, 1331, 1332, 1333, 1334, 2206) de semiconductor del segundo tipo de conductividad, adaptados para ser acoplados a por lo menos un pixel de voltaje, con el objeto de crear los pixeles que corresponden a los dopadores de pixel, caracterizado porque:

- el dispositivo comprende un primer contacto de un primer tipo de conductividad, dicho pixel de voltaje siendo definido como una diferencia de potencial entre el dopador de pixel y el primer contacto,

- la capa de volumen (103) es del primer tipo de conductividad, y

- el dispositivo no comprende, sobre una segunda superficie de la capa de volumen (103) opuesta a la primera superficie, una capa del lado posterior conductora que podría transportar las cargas secundarias fuera del área activa del dispositivo, y en el que

- las cargas secundarias se recogen mediante al menos uno de los siguientes: un área de retén de canal (121, 122, 123, 124, 125) entre pixeles, un contacto (725) de volumen.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FI2006/000058.

Solicitante: AUROLA, ARTTO.

Nacionalidad solicitante: Finlandia.

Dirección: OTTAKALLIO 1 A 7 02150 ESPOO FINLANDIA.

Inventor/es: AUROLA,ARTTO.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L27/146 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Estructuras de captadores de imágenes.
  • H01L27/148 H01L 27/00 […] › Captadores de imágenes por acoplamiento de carga.
  • H01L31/109 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo la barrera de potencial del tipo PN a heterounión.

PDF original: ES-2551480_T3.pdf

 

Ilustración 1 de Detector de radiación semiconductor optimizado para detectar luz visible.
Ilustración 2 de Detector de radiación semiconductor optimizado para detectar luz visible.
Ilustración 3 de Detector de radiación semiconductor optimizado para detectar luz visible.
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Detector de radiación semiconductor optimizado para detectar luz visible.

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