Sensor de imagen CMOS.
Un sensor de imagen CMOS (101, 101', 801, 901, 1001, 1101) que comprende:
un sustrato o contacto posterior (12);
una capa activa (11) de un primer tipo de conductividad sobre el sustrato o contacto posterior y dispuesta para ser polarizada inversamente y
un píxel (20) que comprende:
un elemento fotosensible (22, 822, 922, 1022, 1122) en una cara frontal de la capa activa y que comprende un pozo de un segundo tipo de conductividad; y
un pozo (21, 821, 921, 1021, 1121) del primer tipo de conductividad que contiene elementos CMOS activos para leer y restablecer el elemento fotosensible; en donde: una capa enterrada dopada (111, 111', 811, 911, 1011, 1111) del segundo tipo de conductividad está ubicada completamente dentro de la capa activa debajo del pozo del primer tipo de conductividad y está dispuesta para extender una región de agotamiento debajo del pozo del segundo tipo de conductividad también debajo del pozo del primer tipo de conductividad para formar una región de agotamiento extendida en la capa activa;
en donde el área de agotamiento extendida en la capa activa está dispuesta para estrangular una trayectoria de corriente parásita entre el pozo del primer tipo de conductividad que contiene elementos CMOS activos y un sustrato o contacto posterior (12).
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E15158723.
Solicitante: Teledyne UK Limited.
Inventor/es: STEFANOV,KONSTANTIN.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L27/146 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Estructuras de captadores de imágenes.
PDF original: ES-2792983_T3.pdf
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