Aparato de detección de luz de alta velocidad.

Un aparato (200, 250, 260, 270, 300, 360, 370, 380) óptico que comprende:



un sustrato (202, 302) semiconductor de silicio;

una capa (206, 306) de absorción de silicio-germanio acoplada al sustrato semiconductor de silicio, incluyendo la capa de absorción una región de sensor óptico configurada para absorber fotones y para generar fotoportadores a partir de los fotones absorbidos;

uno o más primeros conmutadores (208, 210, 308, 310) controlados por una primera señal (222, 232, 322, 332) de control, estando configurados los uno o más primeros conmutadores para recoger al menos una parte de los foto-portadores en base a la primera señal de control; y

uno o más segundos conmutadores (208, 210, 308, 310) controlados por una segunda señal (222, 232, 322, 332) de control, estando configurados los uno o más segundos conmutadores para recoger al menos una parte de los foto-portadores en base a la segunda señal de control, en el que la segunda señal de control es diferente de la primera señal de control,

en el que los uno o más primeros conmutadores comprenden:

una primera región (228, 238, 328, 338) dopada tipo p en el sustrato semiconductor de silicio, en la que la primera región dopada tipo p es controlada por la primera señal de control; y

una primera región (226, 236, 326, 336) dopada tipo n en el sustrato semiconductor de silicio, en la que la primera región dopada tipo n está acoplada a un primer circuito integrado de lectura;

en el que los uno o más segundos conmutadores comprenden:

una segunda región (228, 238, 328, 338) dopada tipo p en el sustrato semiconductor de silicio, en la que la segunda región dopada tipo p es controlada por la segunda señal de control; y

una segunda región (226, 236, 326, 336) dopada tipo n en el sustrato semiconductor de silicio, en la que la segunda región dopada tipo n está acoplada a un segundo circuito integrado de lectura.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E18176031.

Solicitante: Artilux Inc.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 101 Jefferson Drive Menlo Park, CA 94025 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: NA,YUN-CHUNG, LIANG,CHE-FU.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G01J1/02 SECCION G — FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01J MEDIDA DE LA INTENSIDAD, DE LA VELOCIDAD, DEL ESPECTRO, DE LA POLARIZACION, DE LA FASE O DE CARACTERISTICAS DE IMPULSOS DE LA LUZ INFRARROJA, VISIBLE O ULTRAVIOLETA; COLORIMETRIA; PIROMETRIA DE RADIACIONES.G01J 1/00 Fotometría, p. ej. medidores de la exposición fotográfica (espectrofotometría G01J 3/00; especialmente adaptado a la pirometría de las radiaciones G01J 5/00). › Partes constitutivas.
  • H01L27/146 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Estructuras de captadores de imágenes.
  • H01L31/10 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores.
  • H04N5/369 H […] › H04 TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS.H04N TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION. › H04N 5/00 Detalles de los sistemas de televisión (detalles de la exploración o su combinación con la producción de las tensiones de alimentación H04N 3/00; adaptados especialmente para la televisión en color H04N 9/00; servidores especialmente adaptados para la distribución de contenido H04N 21/20; Dispositivos de cliente específicamente adaptados para la recepción de, o interacción con, contenidos H04N 21/40). › arquitectura SEIS; Circuitos asociados a los mismos.

PDF original: ES-2784666_T3.pdf

 

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