Aparato para crecimiento de cristales.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(22/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: Kromek Limited . Clasificación: C30B29/48, C30B23/06.
Un aparato para crecimiento de cristales desde fase vapor, el aparato comprende:
un solo calentador multizona dispuesto para calentar una zona calentada para ofrecer un perfil de temperatura predeterminado a lo largo de la longitud de la zona calentada;
un tubo generalmente con forma de U dispuesto para ser proporcionado dentro de la zona calentada, el tubo generalmente con forma de U tiene una primera rama, una segunda rama y una unión que conecta las ramas primera y segunda, en donde la primera rama tiene una primera longitud y la segunda rama tiene una segunda longitud diferente de la primera longitud, y en donde la primera rama tiene una región de origen dispuesta para contener un material de origen; y,
un soporte para soportar una semilla en la segunda rama de tal manera que el soporte y la región de origen estén espaciadas longitudinalmente dentro de la zona calentada para proporcionar un diferencial de temperatura predeterminado entre la región de origen y el soporte.
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Inspección de materiales por evaluación de la contribución de la dispersión de Bragg a los espectros de absorción de Rayos X.
(18/12/2015) Un método de obtención de datos de transmisión de la radiación de un objeto, que comprende las etapas de:
proporcionar una fuente de radiación electromagnética ionizante de alta energía y un sistema detector de radiación (21; 3a, 3b, 3c) separado de ella para definir una zona de exploración (Z) entre ambos, siendo el sistema detector capaz de detectar y recoger información espectroscópicamente resoluble acerca de la radiación incidente;
recoger un conjunto de datos de información acerca de la radiación incidente en el detector, y por ello de la transmisividad de un objeto en la zona de exploración, en al menos una y preferiblemente en una multiplicidad de posiciones de exploración a partir de la radiación…
Dispositivo detector, método y aparato de inspección.
(17/12/2014) Un dispositivo detector que comprende una estructura detectora de rayos X que tiene una superficie de detección que define una pluralidad de regiones separadamente direccionables dispuestas en una disposición de zonas para detectar la intensidad de la radiación de rayos X incidente en la misma, caracterizado porque la región separadamente direccionable está dividida en una pluralidad de subregiones dispuestas de forma espaciada a lo largo de la superficie de detección de la región separadamente direccionable cada una provista de una capa de filtro sobre la superficie de detección, comprendiendo las capas de filtro de cada subregión de una región separadamente direccionable materiales discretos y diferentes…
Dispositivo, sistema y procedimiento de seguimiento.
(10/10/2013) Un contenedor rastreable para el almacenamiento y el transporte de material radioactivo, que comprende:
un recinto con blindaje contra la radioactividad realizado en o revestido con un material metálico denso que define un volumen cerrado blindado que constituye una jaula de Faraday, aislado radiológicamente del entorno exterior en el que puede estar contenido un material radioactivo, y un dispositivo de seguimiento para su uso con un material radioactivo caracterizado por:
un detector de radiación asociable con un material radiactivo en el sentido de que está adaptado para ser colocado dentro del contenedor para detectar la actividad de la radiación desde el material en el volumen cerrado;
un módulo de identificación por radiofrecuencia asociado con el contenedor , cuyo módulo de identificación por radiofrecuencia comprende…
Estructura de dispositivo semiconductor y procedimiento de fabricación de la misma.
(14/08/2013) Una heteroestructura de dispositivo semiconductor compuesto que forma un dispositivo detector híbrido que comprende un primer material detector semiconductor de cristal en masa adecuado para la detección de fotones de una parte de menor energía del espectro electromagnético, y un segundo material detector semiconductor de cristal en masa adecuado para la detección de fotones de una parte de mayor energía del espectro electromagnético dispuesto sobre una superficie del primer material semiconductor de cristal en masa, siendo el segundo material detector semiconductor de cristal en masa un material del grupo II-VI que comprende Cd1-(a+b)MnaZnbTe cristalino, donde a y/o b pueden ser cero, distinto del primer material semiconductor de cristal en masa, siendo el primer material detector semiconductor de cristal en masa un material para la detección…
Aparato y proceso para el crecimiento de cristales.
(08/08/2012) Un aparato proceso para el crecimiento de cristal a partir de fase vapor para producir múltiples monocristalesen un ciclo de crecimiento, que comprende:
- por lo menos una cámara de fuente ,
- una pluralidad de tubos de crecimiento satélites dispuestos alrededor de por lo menos una cámara de fuente ;
- una pluralidad de medios de pasaje adaptados para el transporte de vapor desde la cámara de fuente hacia lostubos de crecimiento , en el cual por lo menos una cámara de fuente está térmicamente desacoplada de lostubos de crecimiento .
