Lectura de registro para memoria volátil.

Un procedimiento de lectura de datos de un módulo (100) SDRAM (RAM,

Memoria de Acceso Dinámico Síncrona), no estando almacenados tales datos en una matriz DRAM (104) (RAM de acceso dinámico) en el módulo (100), en el que cada uno de una pluralidad de comandos de SDRAM disponibles para el control de las operaciones de SDRAM está definido por el estado de las señales de control aplicadas al módulo SDRAM (100), comprendiendo el procedimiento:

proporcionar un comando para una lectura síncrona de los datos que no están almacenados en la matriz DRAM (104), comprendiendo el comando una codificación única de las señales de control para la operación de lectura síncrona de los datos que no están almacenados en la matriz DRAM (104); y

leer síncronamente la lectura de los datos que no están almacenados en una matriz DRAM (104) en respuesta al comando, comprendiendo el procedimiento, además;

leer o escribir datos de o a una matriz DRAM (104) en el módulo (100), empezando en el ciclo de cierre inmediatamente después del ciclo en el que la lectura de los datos que no están almacenados en una matriz DRAM (104) termina.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E10165753.

Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121-1714 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: WALKER,Robert,Michael.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C11/406 FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › Organización o control de los ciclos de de refresco o de regeneración de la carga.
  • G11C5/00 G11C […] › Detalles de memorias cubiertos por el grupo G11C 11/00.
  • G11C7/10 G11C […] › G11C 7/00 Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › Disposiciones de interfaz para entrada/salida [I/O] de datos, p. ej. circuitos de control de entrada/salida [I/O] de datos, memorias intermedias de entrada/salida [I/O] de datos.

PDF original: ES-2393715_T3.pdf

 

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