CONEXION EN SERIE DE CELULAS SOLARES CON CUERPOS SEMICONDUCTORES INTEGRADOS, PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION Y MODULO FOTOVOLTAICO CON CONEXION EN SERIE.
Procedimiento para la fabricación de una conexión en serie de células solares con cuerpos semiconductores integrados,
caracterizado por las características siguientes: - introducción de uno o de varios cuerpos conductores (20) en una capa de soporte (10) aislante según un diseño, sobresaliendo los cuerpos conductores (20) al menos en un lado de la capa de soporte de la superficie de la capa de soporte, y previendo el diseño al menos una línea de separación (21) de una anchura determinada que se forma por uno o varios cuerpos conductores (20); - introducción de varios cuerpos semiconductores (30) esféricos o en forma de grano en la capa de soporte (10) aislante según un diseño, componiéndose los cuerpos semiconductores (30) de núcleos de sustrato que están revestidos al menos con una capa de contacto posterior conductora de molibdeno y con una capa semiconductora dispuesta por encima de un semiconductor compuesto I-III-VI, y sobresaliendo los cuerpos semiconductores (30) al menos en un lado de la capa de soporte de la superficie de la capa de soporte y previendo el diseño que las zonas junto a una o entre varias líneas de separación (21) de cuerpos conductores (20) se equipan con cuerpos semiconductores (30); - retirada de partes de los cuerpos semiconductores (30) en un lado de la capa de soporte (10) hasta que la capa de contacto posterior de los cuerpos semiconductores (30) se descubre; - aplicación de una capa de contacto posterior (50) en el lado de la capa de soporte (10) en la que han sido retiradas partes de los cuerpos semiconductores (30); - aplicación de una capa de contacto frontal (40) conductora en el lado de la capa de soporte (10) en la que no se han retirado cuerpos semiconductores, donde antes de la deposición de la capa de contacto frontal (40) y/o de la capa de contacto posterior (50) se depositan una capa tampón de CdS y/o una capa de óxido de cinc intrínseco, o una capa tampón de CdS y/o una capa de óxido de cinc intrínseco han sido depositadas ya en los cuerpos semiconductores (30) empleados esféricos o en forma de grano, y formando las zonas junto a una o entre dos líneas de separación (21) respectivamente una célula solar; - realización de respectivamente dos cortes de separación (60; 61) a lo largo de una línea de separación (21) de cuerpos conductores (20), realizándose un primer corte de separación (60) en la capa de contacto frontal (40) y un segundo corte de separación (61) en la capa de contacto posterior, situándose los cortes de separación en lados diferentes de la línea de separación (21) correspondiente, y penetrando los cortes de separación (60; 61) en la capa de contacto posterior (50) hasta la capa de soporte (10).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SCHEUTEN GLASGROEP.
Nacionalidad solicitante: Países Bajos.
Dirección: GROCTHOFSTRAAT 21,5900 AA VENLO.
Inventor/es: KAAS, PATRICK, GEYER, VOLKER.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 15 de Octubre de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L31/0352 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
- H01L31/042 H01L 31/00 […] › Módulos fotovoltaicos o conjuntos de células individuales fotovoltaicas (las estructuras de soporte de los módulos fotovoltaicos H02S 20/00).
- H01L31/05 H01L 31/00 […] › Medios de interconexión eléctrica entre las células fotovoltaicas dentro del módulo fotovoltaico, p. ej. conexión en serie de células fotovoltaicas (electrodos H01L 31/0224; interconexión eléctrica de células solares de película delgada formadas sobre un sustrato común H01L 31/046; estructuras particulares para la interconexión eléctrica de células solares de película delgada adyacentes en el módulo H01L 31/0465; medios de interconexión eléctrica especialmente adaptados para conectar eléctricamente dos o más módulos fotovoltaicos H02S 40/36).
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