METODO PARA HACER PELICULAS DE SEMICONDUCTOR DE COMPUESTOS DEL GRUPO IB-IIIA-VIA Y METODO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.
UN METODO DE FORMACION DE UNA PELICULA COMPUESTA INCLUYE LOS PASOS DE PREPARACION DE UN MATERIAL FUENTE,
DEPOSITO DEL MATERIAL FUENTE SOBRE UNA BASE PARA FORMAR UNA PELICULA PRECURSORA, Y CALENTAMIENTO DE LA PELICULA PRECURSORA EN UNA ATMOSFERA ADECUADA PARA FORMAR UNA PELICULA. EL MATERIAL FUENTE INCLUYE PARTICULAS QUE CONTIENEN UNA ALEACION DE LOS GRUPOS IB-IIIA QUE TIENEN AL MENOS UNA FASE DE ALEACION DE LOS GRUPOS IB-IIIA, CONSTITUYENDO LAS ALEACIONES DE LOS GRUPOS IB-IIIA MAS DEL 50 POR CIENTO MOLAR DE LOS ELEMENTOS DEL GRUPO IB Y MAS DEL 50 POR CIENTO MOLAR DE LOS ELEMENTOS DEL GRUPO IIIA EN EL MATERIAL FUENTE. LA PELICULA INCLUYE ENTONCES UN COMPUESTO DE LOS GRUPOS IB-IIIA-VIA. LA RELACION MOLAR DE LOS ELEMENTOS DEL GRUPO IB CON LOS DEL GRUPO IIIA EN EL MATERIAL FUENTE PUEDE SER SUPERIOR A 0,80 E INFERIOR A 1,0, O SUSTANCIALMENTE SUPERIOR A 1,0, EN CUYO CASO ESTA RELACION DE LA PELICULA COMPUESTA PUEDE REDUCIRSE A MAS DE 0,80 Y MENOS DE 1,0. EL MATERIAL FUENTE PUEDE PREPARARSE EN FORMA DE TINTA A PARTIR DE PARTICULAS EN POLVO. LA FASE DE ALEACION PUEDE INCLUIR UN IMPURIFICANTE. LAS PELICULAS COMPUESTAS QUE INCLUYEN UN COMPUESTO DE LOS GRUPOS IIB-IVA-VA O UN COMPUESTO DE LOS GRUPOS IB-VA-VIA PUEDEN SUSTITUIRSE UTILIZANDO SUSTITUCIONES APROPIADAS EN EL METODO. EL METODO ES ADEMAS APLICABLE A LA FABRICACION DE PILAS SOLARES Y OTROS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL SOLAR ELECTRIC TECHNOLOGY, INC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 8635 AVIATION BOULEVARD,INGLEWOOD, CA 90301.
Inventor/es: BASOL, BULENT M., INTERN. SOLAR ELEC. TECHN. INC., KAPUR, VIJAY K., INTERN. SOLAR ELEC. TECHN. INC., HALANI, ARVIND T., INTERN. SOLAR ELEC. TECHN. INC., LEIDHOLM, CRAIG R, INTERN. SOLAR ELEC. TECHN. INC., ROE, ROBERT A., INTERN. SOLAR ELEC. TECHN. INC.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 13 de Septiembre de 2006.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/032 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
Clasificación PCT:
- H01L31/032 H01L 31/00 […] › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
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