FUNCIONAMIENTO DE FONDO PARA CELDAS DE MEMORIA.

Un método para accionar un circuito integrado con celdas de memoria no volátil (105),

cuyo método comprende: conectar una fuente (151) de una tensión de funcionamiento a una o más puertas (111, 113) de las celdas de memoria (105) seleccionadas para su funcionamiento a la tensión de funcionamiento; desconectar la fuente de las puertas y permitir que las puertas desconectadas soporten la tensión de funcionamiento dinámicamente mientras están desconectadas; y operar las celdas de memoria seleccionadas (105) usando la tensión dinámica.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SANDISK CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 140 CASPIAN COURT,SUNNYVALE, CA 94089.

Inventor/es: CERNEA, RAUL, ADRIAN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 17 de Septiembre de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C20/12

Clasificación PCT:

  • G11C16/16 FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › para borrar bloques, p. ej. filas, palabras, grupos.
  • G11C8/08 G11C […] › G11C 8/00 Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › Circuitos de control de líneas de palabras, p. ej. circuitos de excitación, de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de palabras.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

FUNCIONAMIENTO DE FONDO PARA CELDAS DE MEMORIA.

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