METODO Y DISPOSITIVO DE DESPLAZAMIENTO DE FASE EN LA FABRICACION DE UN CIRCUITO.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA CREAR UNA MASCARA DE DESPLAZAMIENTO DE FASE Y UNA MASCARA DE ESTRUCTURA PARA CONTRAER LOS DISEÑOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
UNA REALIZACION DE LA INVENCION INCLUYE UTILIZAR UN PROCESO DE DOS MASCARAS. LA PRIMERA MASCARA ES UNA MASCARA DE DESPLAZAMIENTO EN FASE Y LA SEGUNDA ES UNA MASCARA CON ESTRUCTURA DE UNA SOLA FASE. LA MASCARA DE DESPLAZAMIENTO DE FASE DEFINE PRINCIPALMENTE LAS ZONAS QUE REQUIEREN DESPLAZAMIENTO DE FASE. LA MASCARA CON ESTRUCTURA DE UNA SOLA FASE DEFINE PRINCIPALMENTE LAS ZONAS QUE NO PRECISAN DEL DESPLAZAMIENTO DE FASE. LA MASCARA CON ESTRUCTURA DE UNA SOLA FASE PREVIENE TAMBIEN QUE SE BORREN LAS ZONAS DE DESPLAZAMIENTO DE FASE Y EVITA LA CREACION DE ZONAS DE ARTEFACTOS NO DESEABLES QUE SE CREARIAN EN CASO CONTRARIO MEDIANTE LA MASCARA CON DESPLAZAMIENTO DE FASE. AMBAS MASCARAS SE DERIVAN DE UN CONJUNTO DE MASCARAS UTILIZADAS EN TECNOLOGIA CON UN PROCESO DE DIMENSIONES MINIMAS MAYOR.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: NUMERICAL TECHNOLOGIES, INC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 700 E. MIDDLEFIELD ROAD,MOUNTAIN VIEW, CALIFORN. 94043.
Inventor/es: WANG, YAO-TING, PATI, YAGYENSH, C.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 18 de Septiembre de 1997.
Fecha Concesión Europea: 18 de Agosto de 2004.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G03F1/00 FISICA. › G03 FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA. › G03F PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO (aparatos de composición fototipográfica B41B; materiales fotosensibles o procesos para la fotografía G03C; electrofotografía, capas sensibles o procesos a este efecto G03G). › Originales para la producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, p. ej. mascaras, foto-mascaras o reticulas; Máscara en blanco o películas para ello; Contenedores especialmente adaptados a este efecto; Su preparación.
- G03F7/20 G03F […] › G03F 7/00 Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto (utilizando estructuras de fotorreservas para procesos de producción particulares, ver en los lugares adecuados, p. ej. B44C, H01L, p. ej. H01L 21/00, H05K). › Exposición; Aparellaje a este efecto (dispositivos de reproducción fotográfica de copias G03B 27/00).
- G03F9/00 G03F […] › Colocación o posicionamiento de originales, máscaras, tramas, hojas fotográficas, superficies texturadas, p. ej. automático (G03F 7/22 tiene prioridad; preparación de máscaras fotográficas G03F 1/00; en combinación con dispositivos de reproducción fotográfica para hacer reproducciones G03B 27/00).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Mónaco, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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