CONTROL DE LA PROFUNDIDAD DEL MATERIAL FUNDIDO PARA EL CRECIMIENTO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DESDE UN MATERIAL FUNDIDO.
Un método de crecimiento continuo de cristales que comprende las etapas de:
a) proporcionar un crisol (12) que comprende un material fundido (14) a partir de un material fuente; b) suministrar al material fundido de forma continua un material fuente adicional; c) hacer pasar una señal de entrada a través del material fundido; d) medir la señal de salida, generada en respuesta a la señal de entrada, a través de dos electrodos (C, D) en contacto directo con el crisol o el material fundido, estando relacionaba la señal de salida con una profundidad del material fundido; e) mantener la profundidad del material fundido a un nivel sustancialmente constante ajustando una velocidad de suministro del material fuente adicional utilizando la señal de salida; y f) hacer crecer de forma continua una cinta cristalina (18) mediante la solidificación del material fundido.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: EVERGREEN SOLAR INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 211 SECOND AVENUE,WALTHAM, MA 02154.
Inventor/es: WALLACE, RICHARD, L., JR., KRAUCHUNE, RICHARD, C.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 1 de Mayo de 2000.
Fecha Concesión Europea: 11 de Agosto de 2004.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B15/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).
- C30B15/02 C30B […] › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ.
- C30B15/22 C30B 15/00 […] › Estabilización, o control de la forma, de la zona fundida próxima al cristal estirado; Control de la sección del cristal.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes.
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