TECNICAS DE EXPLOTACION DE RESISTENCIAS ELECTRONICAS PARA LAMPARAS DE DESCARGA DE GRAN INTENSIDAD (HID) Y DISPOSITIVO CORRESPONTIENTE.

Un método para hacer funcionar resistencias electrónicas para lámparas de Descarga de Gran Intensidad (GIL) (4),

dichas resistencias electrónicas presentan un excitador, dos interruptores de alimentación (PS1 y PS2 ) conectados en forma de medio puente, un circuito serie LC, un controlador del excitador (6) para controlar el funcionamiento del excitador, un sensor de corriente (8) del circuito de la lámpara, y un sensor de potencia (10) del circuito de interruptores de alimentación; dicho método comprende lo siguiente:
a) generar impulsos de frecuencia f1 para un tiempo t1, que es igual a n/f1, donde n es un número positivo, y f1 es igual a la frecuencia de resonancia del circuito de serie LC de la resistencia;
b) vigilar la presencia de corriente en el circuito de la lámpara después que ha transcurrido el tiempo t1, y en el caso de que no hubiera corriente en el circuito de la lámpara, proceder a realizar el paso h;
c) vigilar la corriente en el circuito de la lámpara y proceder a ejecutar el paso h una vez que se determine que la corriente ha dejado de circular por el circuito de la lámpara; d. continuar la generación de dichos impulsos de frecuencia f1 durante un tiempo predeterminado t2, contando desde el comienzo de la generación de dichos impulsos; e. cambiar la frecuencia f1 de dichos impulsos a una frecuencia de funcionamiento f2, a la que se alcance la potencia establecida para la lámpara (4);
f) vigilar la potencia de la lámpara (4) y estabilizar esta potencia en el nivel de la potencia establecida para la lámpara (4), modificando gradualmente la frecuencia f2, y proceder a realizar el paso h en el caso de que la potencia del circuito de la lámpara sea superior a la potencia establecida para la lámpara (4) por un cierto margen;
g) vigilar la corriente que llega al circuito de la lámpara y la potencia de la misma, conforme a los pasos c y f, y proceder a realizar el paso h si no se detecta ninguna potencia activa y, en caso de que sí se detecte, controlarla hasta que se desconecte la energía;
h) impedir la generación de impulsos durante un tiempo predeterminado, aproximadamente igual a t2/k, donde t2 es un tiempo predeterminado contado desde el inicio de la generación de dichos impulsos y k es un número positivo;
i) proceder a realizar el paso a, si dicho tiempo predeterminado t2 no ha transcurrido; en caso contrario proceder a ejecutar el paso j;
j) impedir la generación de dichos impulsos hasta que la potencia que llega a la resistencia primero se desactiva y luego se activa.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: JBP TECHNOLOGIES LTD.

Nacionalidad solicitante: Israel.

Dirección: PARK CENTER BUILDING, HAR HOTZVIM, P.O. BOX 45103,91450 JERUSALEM.

Inventor/es: POGADAEV, VLADIMIR, BLYASHOV, BORIS.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 20 de Enero de 1999.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H05B41/288 ELECTRICIDAD.H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR.H05B CALEFACCION ELECTRICA; ALUMBRADO ELECTRICO NO PREVISTO EN OTRO LUGAR.H05B 41/00 Circuitos o aparatos para la ignición o el funcionamiento de lámparas de descarga. › utilizando dispositivos semiconductores y especialmente adaptados para lámparas sin electrodos de precalentamiento, p. ej. para lámparas de descarga de alta intensidad, lámparas de mercurio o de sodio de alta presión o lámparas de sodio de baja presión.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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