APARATO Y METODO PARA TRATAR SUBSTRATOS PLANOS BAJO UNA PRESION REDUCIDA.
APARATO Y METODO PARA TRATAR UN SUSTRATO PLANO (10) MAS PARTICULARMENTE UNA OBLEA SEMICONDUCTORA EN LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS,
BAJO PRESION REDUCIDA QUE CONTIENE UNA CAMARA (2A, 2B) DE VACIO PROVISTA CON UN SOPORTE (11) DE SUSTRATO QUE TIENE UN CUERPO (11A) CON MEDIOS (12) DE CALENTAMIENTO Y/O ENFRIAMIENTO Y UNA SUPERFICIE (11B) DE SOPORTE, EN LA CUAL UNA PLURALIDAD DE ABERTURAS (20) DE INYECCION ESTA PRESENTE COMUNICANDO CON UN ESPACIO (12) DE INYECCION Y UNA ENTRADA (28) SUPLEMENTARIA DE GAS, A TRAVES DE CUYAS ABERTURAS DE INYECCION SE SUMINISTRA UN GAS ENTRE EL SUSTRATO Y LA SUPERFICIE DE SOPORTE PARA FORMAR ENTRE ELLOS UNA ALMOHADA DE GAS INTERCAMBIADORA DE CALOR. EN LA SUPERFICIE DE SOPORTE (11B) TAMBIEN UNA PLURALIDAD DE ABERTURAS (29) DE SALIDA ESTAN PRESENTES COMUNICANDO CON UN ESPACIO (24) DE SALIDA Y UN ORIFICIO (18) DE SALIDA A TRAVES DE CUYAS ABERTURAS DE SALIDA EL GAS ESCAPA DE ENTRE EL SUSTRATO (10) Y LA SUPERFICIE DE SOPORTE, DE MODO QUE, MIENTRAS SE MANTIENE LA ALMOHADILLA DE GAS, EL GAS INYECTADO A TRAVES DE CADA UNA DE LAS ABERTURAS DE INYECCION ES EXPULSADO A TRAVES DE LAS ABERTURAS ADYACENTES DE SALIDA. CON LO QUE, EL GAS INYECTADO, NO ALCANZARA PRACTICAMENTE LA PERIFERIA DEL SUSTRATO Y NO INTERFERIRA CON GASES EN LA CAMARA DE REACCION.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Nacionalidad solicitante: Países Bajos.
Dirección: GROENEWOUDSEWEG 1,NL-5621 BA EINDHOVEN.
Inventor/es: VISSER, JAN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 7 de Mayo de 1990.
Fecha Concesión Europea: 30 de Marzo de 1994.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C23C16/48 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › por irradiación, p. ej. por fotolisis, radiolisis o radiación corpuscular.
- C30B25/10 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Oficina Europea de Patentes, Japón, República de Corea, Estados Unidos de América.
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