FILM DE DIAMANTE EPITAXIAL DE CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO Y SU PREPARACION.

ESTA INVENCION ESTA DIRIGIDA A LA PRODUCCION DE UN DIAMANTE DE UN SOLO CRISTAL COMPUESTO DE CARBONO-12 O CARBONO-13 ISOTOPICAMENTE PURO.

SE CREE QUE EL PRODUCTO ES IGUAL QUE UN DIAMANTE EN LA SERIE DE APLICACION 448.469 PERO ESTA HECHO POR UN METODO DIFERENTE. EN ESTA INVENCION, SE HACE CRECER UN CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO DE DIAMANTE EN UN SUSTRATO DE CRISTAL UNICO DIRECTAMENTE DEL CARBONO-12 O CARBONO-14 ISOTOPICAMENTE PURO. UN METODO PARA FORMAR DIAMANTE ISOTOPICAMENTE PURO DE UN SOLO CRISTAL COMPRENDE LAS FASES DE EMPLAZAR EN UNA CAMARA DE REACCION UN SUSTRATO CRISTALINO CALENTANDOLO A UNA TEMPERATURA ELEVADA DE FORMACION DE DIAMANTE CVD. SE INTRODUCE EN LA CAMARA UNA MEZCLA GASEOSA DE HIDROGENO E HIDROCARBURO DE CARBONO-12 Y CARBONO-13 ISOTOPICAMENTE PURO. LA MEZCLA GASEOSA ES PARCIALMENTE DESCOMPUESTA EN LA CAMARA PARA FORMAR UNA CAPA DE DIAMANTE DE UN SOLO CRISTAL ISOTOPICAMENTE PURO SOBRE EL SUSTRATO DEPOSITADO ANTERIORMENTE. LA CAPA DE SUSTRATO CRISTALINO DE DIAMANTE ISOTOPICAMENTE PURO ASI FORMADO PUEDE SER EXTRAIDO DEL SUSTRATO CRISTALINO. OTRO METODO PARA FORMAR DIAMANTE DE CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO COMPRENDE LA DIFUSION DE CARBONO-12 O CARBONO-13 ISOTOPICAMENTE PURO A TRAVES DE UN CATALIZADOR/SOLVENTE METALICO BAJO ALTA PRESION A UNA REGION QUE CONTIENE UN SUSTRATO DE CRISTAL UNICO PARA FORMAR DIAMANTE DE CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO SOBRE DICHO SUSTRATO . EL SUSTRATO DE CRISTAL UNICO ES ESTABLE BAJO ALTA PRESION Y TEMPERATURA UTILIZADO DURANTE EL PROCESO DE DIFUSION. EL SUSTRATO DE CRISTAL UNICO PUEDE OPCIONALMENTE SER DE DIAMANTE, INCLUYENDO EL FILM DE DIAMANTE DE CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO FORMADO POR EL METODO DE ESTA INVENCION, FORMANDOSE, DE ESTA MANERA, ESTRUCTURAS MULTICAPAS DE DIAMANTE .

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: GENERAL ELECTRIC COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 1 RIVER ROAD,SCHENECTADY NEW YORK 12305.

Inventor/es: ANTHONY, THOMAS RICHARD, BANHOLZER, WILLIAM FRANK, WILLIAMS, DENNIS MARK.

Fecha de Publicación: 1 de Enero de 1996.

Fecha Concesión Europea: 27 de Septiembre de 1995.

Clasificación Internacional de Patentes:

B01J3/06 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B01 PROCEDIMIENTOS O APARATOS FISICOS O QUIMICOS EN GENERAL. › B01J PROCEDIMIENTOS QUÍMICOS O FÍSICOS, p. ej. CATÁLISIS O QUÍMICA DE LOS COLOIDES; APARATOS ADECUADOS. › B01J 3/00 Procedimientos que utilizan una presión superior o inferior a la presión atmosférica para obtener modificaciones químicas o físicas de la materia; Aparatos a este efecto (recipientes a presión para contener o almacenar gases comprimidos, licuados o solidificados F17C). › Procedimientos que utilizan hiperpresiones, p. ej. para la formación de diamantes; Equipos apropiados, p. ej. muelas o matrices (B01J 3/04 tiene prioridad).
C23C16/26 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Deposición solamente de carbono.
C30B25/02 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
C30B25/10 C30B 25/00 […] › Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato.

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