MEMORIA CON CELULA DE MEMORIA EEPROM DE EFECTO CAPACITIVO Y PROCESO DE LECTURA DE TAL CELULA DE MEMORIA.

EN UNA CELULA DE MEMORIA DE UNA MEMORIA EEPROM O FLASH-EEPROM,

SE CONECTAN JUNTOS LA FUENTE Y EL DRENAJE DE UN TRANSISTOR DE REJILLA FLOTANTE FORMANDO EL DISPOSITIVO DE MEMORIZACION NO VOLATIL. SE MUESTRA QUE ENTONCES EL COMPORTAMIENTO CAPACITIVO DE LA CELULA SE DIFERENCIA EN EL MOMENTO DE LA LECTURA SEGUN ESTE EN UN ESTADO PROGRAMADO O BORRADO. ESTA DIFERENCIA DE COMPORTAMIENTO SIRVE PARA DIFERENCIAR LOS ESTADOS LOGICOS.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: GEMPLUS.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: AVENUE DU PIC DE BERTAGNE, PARC D'ACTIVITES DE LA PLAINE DE JOUQUES,13420 GEMENOS.

Inventor/es: KOWALSKI, JACEK.

Fecha de Publicación: 16 de Abril de 1999.

Fecha Concesión Europea: 11 de Noviembre de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

G11C16/02 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › programables eléctricamente.
H01L27/10 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva.
H01L29/94 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Dispositivos de metal-aislante-semiconductor, p. ej. MOS.

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