ESTRUCTURA DE ALTA CAPACIDAD Y BAJA RESISTENCIA SERIE EQUIVALENTE EN TECNOLOGIA INTEGRADA CMOS ESTANDAR.
Estructura de alta capacidad y baja resistencia serie equivalente en tecnología integrada CMOS estándar.
La presente invención consiste en una estructura modular de elevada densidad capacitiva y baja resistencia serie equivalente implementada en tecnología CMOS estándar, para su aplicación en el ámbito de los circuitos integrados, en particular para los subcircuitos de gestión de potencia dentro de un chip. La estructura capacitiva propuesta está formada por uno o más condensadores basados en transistores MOSFET con terminales de drenador y fuente cortocircuitados, que presentan unas dimensiones óptimas con objeto de exhibir un ESR mínima. Relacionado con dicha estructura, se describe asimismo un procedimiento de diseño para la obtención por parte de la estructura de una cierta impedancia objetivo a una frecuencia de operación, con la mínima ocupación de área de silicio.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: UNIVERSITAT POLITECNICA DE CATALUNYA.
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: BARCELONA.
Inventor/es: VILLAR PIQUE,GERARD, ALARCON COT,EDUARD, GUINJOAN GISPERT,FRANCESC, POVEDA LOPEZ,ALBERTO.
Fecha de Solicitud: 14 de Octubre de 2003.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 18 de Mayo de 2006.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/94 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Dispositivos de metal-aislante-semiconductor, p. ej. MOS.
Clasificación PCT:
- H01L29/94 H01L 29/00 […] › Dispositivos de metal-aislante-semiconductor, p. ej. MOS.
Patentes similares o relacionadas:
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO, del 4 de Junio de 2020, de UNIVERSIDAD DE CADIZ: Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo (MOSFET) […]
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO, del 29 de Mayo de 2020, de UNIVERSIDAD DE CADIZ: Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto […]
Dispositivo eléctrico que comprende una capacitancia o capacidad dependiente del voltaje o tensión y método de fabricación del mismo, del 4 de Abril de 2013, de TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (PUBL): Un método para fabricar un dispositivo eléctrico que tiene una capacitancia o capacidad dependiente de voltaje otensión por medio de un proceso CMOS convencional que comprende […]
MEMORIA CON CELULA DE MEMORIA EEPROM DE EFECTO CAPACITIVO Y PROCESO DE LECTURA DE TAL CELULA DE MEMORIA., del 16 de Abril de 1999, de GEMPLUS: EN UNA CELULA DE MEMORIA DE UNA MEMORIA EEPROM O FLASH-EEPROM, SE CONECTAN JUNTOS LA FUENTE Y EL DRENAJE DE UN TRANSISTOR DE REJILLA FLOTANTE FORMANDO EL […]
DISPOSITIVO ELECTRICO QUE COMPRENDE UNA CAPACITANCIA O CAPACIDAD DEPE NDIENTE DEL VOLTAJE O TENSION Y METODO DE FABRICACION DEL MISMO, del 16 de Abril de 2009, de TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON: SE PROPORCIONA UN DISPOSITIVO ELECTRICO 10, QUE TIENE UNA CAPACITANCIA DEPENDIENTE DE LA TENSION, Y QUE COMPRENDE UNA PRIMERA REGION 12 DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR, […]
CONDENSADOR APILADO Y METODO DE FABRICACION DEL CONDENSADOR APILADO, del 1 de Octubre de 2007, de INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION: Un condensador Poli-Poli/MOS apilado comprende: un sustrato semiconductor que tiene una región de un primer tipo de conductividad presente en una superficie del mismo; […]