MEMORIA DINAMICA VERTICAL DE ALTA DENSIDAD.
MEMORIA DINAMICA RAM, CADA UNA DE CUYAS CELDAS (10), TIENE UN CAPACITOR DE ALMACENAMIENTO (16) E INTERRUPTOR (12) Y UN BIT DE COMPROBACION DE LINEA (22) O PLACA SITUADO EN UNA PARED LATERAL DE UN CANAL (24) QUE SE HALLA EN UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR (26).
EL ANCHO DEL CANAL DEFINE LA LONGITUD DEL CONMUTADOR, TENIENDO EL CAPACITOR DE ALMACENAMIENTO Y UN BIT DE COMPROBACION DE LINEA ALTAMENTE CONDUCTOR SITUADOS EN PAREDES LATERALES OPUESTAS DEL CANAL. EN UN SISTEMA DE TALES CELDAS, EL BIT DE COMPROBACION DE LINEA O PLACA QUE CONECTA UN GRAN NUMERO DE CELDAS DEL SISTEMA SE EXTIENDE CONTINUAMENTE DE CELDA A CELDA EN UNA PARED LATERAL DEL CANAL. DE FORMA SIMILAR, LOS CAPACITORES DE ALMACENAMIENTO DE ESTAS CELDAS TIENEN UNA PLACA COMUN ALTAMENTE CONDUCTORA QUE SE EXTIENDE CONTINUAMENTE EN LA PARED OPUESTA DEL CANAL.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: OLD ORCHARD ROAD, ARMONK, N.Y. 10504.
Inventor/es: FITZGERALD, BRIAN F., NGUYEN, KIMM YEN T., NGUYEN, VAN S.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 14 de Agosto de 1991.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/34 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan dispositivos de semiconductores.
- G11C11/404 G11C 11/00 […] › con una puerta de transferencia de carga, p. ej. un transistor MOS, por celda.
- H01L27/10 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva.
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