MEMORIA ACTIVA ESTATICA DE TIPO MOS Y SU PROCEDIMIENTO DE MEMORIZACION.
PROCEDIMIENTO DE MEMORIZACION DE UN BIT DE INFORMACION EN UNA CELULA DE MEMORIA ACTIVA INTEGRADA DE TIPO MOS,
TRANSISTOR PARA LA EJECUCION DE TAL PROCEDIMIENTO Y MEMORIA RESULTANTE. UN TRANSISTOR MOS QUE PRESENTA UN FENOMENO DE ISTERESIS EN REGIMEN DE CONDUCCION BAJO LA SEÑAL. ESTE TRANSISTOR ES VENTAJOSAMENTE UTILIZADO COMO ELEMENTO DE MEMORIA EN UNA CELULA DE MEMORIA ACTIVA ESTATICA INTEGRADA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: BULL S.A..
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 121 AVENUE DE MALAKOFF P.B. 193.16, F-75764 PARIS CEDEX 16.
Inventor/es: DOYLE, BRIAN, BOUDOU, ALAIN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 25 de Septiembre de 1991.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/34 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan dispositivos de semiconductores.
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