UNA DISPOSICION DE MEMORIA FIJA O DE SOLO LECTURA.
CIRCUITO SEMICONDUCTOR INTEGRADO PARA SISTEMA DE ALMACENAJE CON ELEVADA DENSIDAD DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO,
CON TENSIONES DE UMBRAL PREDETERMINADAS. FORMADO POR UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (10) DEL TIPO P CON SEGMENTOS DE OXIDO REBAJADOS (12), (14) Y (16) Y BANDAS DE OXIDO REBAJADAS (18), (20) Y (22). DOS LINEAS DE PALABRAS (24) Y (26) REALIZADAS EN METAL, SE ENCUENTRAN SITUADAS ENTRE LOS SEGMENTOS DE OXIDO REBAJADOS (12), (14) Y (16), Y AISLADAS DEL SUSTRATO SEMICONDUCTOR (10) POR UNA CAPA AISLANTE GRUESA. CUATRO REGIONES DE DIFUSION N + (38, 40, 46, 48) ESTAN CONECTADAS A CIRCUITOS (50) DE SELECCION DE COLUMNA Y PRECARGA, Y A AMPLICADORES DE SENTIDO (51).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: ARMONK, NUEVA YORK 10504.
Fecha de Solicitud: 5 de Enero de 1981.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 13 de Octubre de 1981.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/34 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan dispositivos de semiconductores.
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