CELULA DE MEMORIA.
UNA CELDA DE MEMORIA QUE INCLUYE AL MENOS TRES CAPAS CONDUCTORAS (20) SEPARADAS POR UNAS CAPAS AISLANTES (10),
UN PRIMER ELEMENTO APLICADOR DE UNA TENSION (24) PARA APLICAR UNA TENSION PREDETERMINADA ENTRE LA PRIMERA Y LA TERCERA CAPAS CONDUCTORAS (20A, 20C) DE AL MENOS TRES CAPAS CONDUCTORAS, EN DONDE NO FLUYE DIRECTAMENTE NINGUNA CORRIENTE DE TUNEL ENTRE LA PRIMERA Y LA TERCERA CAPAS CONDUCTORAS, Y UN SEGUNDO ELEMENTO APLICADOR DE UNA TENSION (5) CONECTADO A UNA SEGUNDA CAPA CONDUCTORA (20B) DE AL MENOS TRES CAPAS CONDUCTORAS, EN DONDE PUEDE FLUIR UNA CORRIENTE DE TUNEL ENTRE LA PRIMERA Y LA SEGUNDA CAPAS CONDUCTORAS Y ENTRE LA SEGUNDA Y LA TERCERA CAPAS CONDUCTORAS. DENTRO DE ESTAS CAPAS CONDUCTORAS (20) SE HA FORMADO UN CONFINAMIENTO MECANICO CUANTICO DE ELECTRONES LIBRES. CON ESTO SE CONSIGUE UN METODO DE ALMACENAMIENTO DE UNA MEMORIA ESTATICA MEDIANTE LA UTILIZACION DE UN DISPOSITIVO CUANTICO Y UNA ESTRUCTURA PARA EL MISMO. LA CELDA DE MEMORIA DE LA PRESENTE INVENCION TIENE UNA ESTRUCTURA MAS SENCILLA QUE LA DE LAS MEMORIAS ESTATICAS UTILIZADAS HASTA AHORA. TAMBIEN UN AREA QUE EN ESTA ESTRUCTURA ES SUSTANCIALMENTE IGUAL AL AREA DE UNA CELDA DE UNA DRAM. ADEMAS, PUESTO QUE EL CIRCUITO ES COMPLEMENTARIO, SE PUEDE REDUCIR CONSIDERABLEMENTE UNA CORRIENTE DE RESERVA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: OLD ORCHARD ROAD,ARMONK, N.Y. 10504.
Inventor/es: KATAYAMA, YASUNAO.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 19 de Diciembre de 2001.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/34 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan dispositivos de semiconductores.
- G11C11/38 G11C 11/00 […] › que utilizan diodos túnel.
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