DISPOSITIVO DE MEMORIA DINAMICA Y METODO PARA FABRICARLO.
DISPOSITIVO DE MEMORIA DINAMICA Y METODO PARA FABRICARLO, EN DONDE EL DISPOSITIVO COMPRENDE UN SUSTRATO DE SILICIO MONOCRISTALINO PB,
UN CONDENSADOR DE DEPRESION, UNA CAPA DE SILICIO EPITAXIAL MONOCRISTALINO, UN TRANSISTOR DE ACCESO Y UNA REGION DE SILICIO POLICRISTALINO NB, MIENTRAS QUE EL METODO COMPRENDE SITUAR UNA DEPRESION EN EL SUSTRATO, HABILITAR UNA PELICULA DE SIO2/SI3N4/SIO2 PARA AISLAR EL CONDENSADOR, SOBREPONER AL SILICIO POLICRISTALINO UNA DELGADA CAPA DE SIO2, APLICAR UNA CAPA DE SILICIO EPITAXIAL P SOBRE EL SUSTRATO Y LA CAPA DE SIO2, Y COLOCAR EL TRANSISTOR DE ACCESO ENCIMA DEL CONDENSADOR, CONECTANDO UN MATERIAL IMPURIFICADO NB LA REGION DE FUENTE DEL TRANSISTOR CON EL SILICIO POLICRISTALINO Y PUDIENDO DISPONERSE UNA REGION P IMPURIFICADA ENCIMA DE LA SUPERFICIE DE LA DEPRESION. EL INVENTO ES APLICABLE A MEMORIAS ELECTRONICAS DINAMICAS DE ACCESO ALEATORIO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: ARMONK NUEVA YORK 10504.
Inventor/es: CHAU-CHUN LU, NICKY.
Fecha de Solicitud: 15 de Octubre de 1986.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 16 de Septiembre de 1988.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/34 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan dispositivos de semiconductores.
- H01L29/78 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.
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