UNA FORMACION DE MEMORIA ELECTRONICA DE CIRCUITO INTEGRADO.

MEMORIA ELECTRONICA PARA CIRCUITO INTEGRADO QUE TIENE UNA PLURALIDAD DE CELDAS DE MEMORIA.

CADA UNA DE LAS CELDAS DE MEMORIA COMPRENDE UN ELECTRODO DE CONTROL (G10) PARA CONTROLAR LA TRANSFERENCIA DE INFORMACION BINARIA, UNA REGION DE ALMACENAMIENTO DE DATOS Y UNA PLURALIDAD DE LINEAS PARA EL CONTACTO ELECTRONICO Y PARA LAS FUNCIONES DE MEMORIA ENTRE LOS ELEMENTOS DEL CIRCUITO INTEGRADO. OFRECE VARIANTES DE FORMA Y REALIZACION.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: ARMONK, NUEVA YORK 10504.

Fecha de Solicitud: 24 de Diciembre de 1980.

Fecha de Publicación: 1 de Enero de 1982.

Fecha de Concesión: 28 de Septiembre de 1981.

Clasificación Internacional de Patentes:

G11C5/06 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 5/00 Detalles de memorias cubiertos por el grupo G11C 11/00. › Disposiciones para interconectar eléctricamente elementos de almacenamiento, p. ej. por cableado.

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