DISPOSITIVO DE FUENTE POLIGONAL MULTIPLE PARA MOSFET.
Dispositivo de fuente poligonal múltiple para "Mosfet", de gran potencia;
dicho dispositivo comprende un disco de material semiconductor con una primera superficie y una segunda superficie paralela; dicho dispositivo se caracteriza porque en la citada primera superficie existe una pluralidad de zonas fuentes dispuestas espaciadas simétricamente; una capa aislante de regulación en esa primera superficie y dispuesta entre las regiones fuente; y un electrodo de regulación en dicha capa aislante reguladora; un electrodo de consumo en la segunda superficie y medios de electrodo fuentes/generadores conectados a dichas regiones fuente; un canal del primer de los tipos de conductividad dispuesto alrededor de la periferia exterior de cada una de dichas regiones fuente y bajo la citada capa aislante de regulación; un extremo de cada uno de los cintados canales está eléctricamente conectado a los electrodos generadores; el extremo opuesto de cada uno de los canales está conectado a las regiones respectivas, centralmente dispuestas bajo dicha capa aislante reguladora, que cuenta con el segundo tipo de conductividad; una zona de relativamente alta resistividad del segundo de los tipos de conductividad subyacente a la zona común y continua a dicha zona común; esta cuenta con una conductividad esencialmente superior a la de la region subyacente; la zona común y la zona subyacente están en serie en el trayecto de la corriente desde el primero y el segundo electrodos generadores al electrodo de consumo.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 9220 SUNSET BOULEVARD-LOS ANGELES-CALIFORNIA.
Fecha de Solicitud: 2 de Octubre de 1979.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 1 de Septiembre de 1980.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/06 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
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