TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTOR DE ALTA FRECUENCIA Y ALTA POTENCIA FORMADO DE CARBURO DE SILICIO.

SE PRESENTA UN TRANSISTOR DE ALTA POTENCIA, DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTOR, Y DE ALTA FRECUENCIA QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO DE CARBURO DE SILICIO DE CRISTAL SIMPLE EN BRUTO

(10), UNA PRIMERA CAPA EPITAXIAL (12) DE CARBURO DE SILICIO DE CONDUCTIVIDAD TIPO P FORMADA SOBRE EL SUBSTRATO, Y UNA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL (14) DE CARBURO DE SILICIO DE TIPO N FORMADA SOBRE LA PRIMERA CAPA EPITAXIAL. LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL TIENE DOS CAVIDADES SEPARADAS (18, 16) QUE ESTAN DEFINIDAS RESPECTIVAMENTE POR CONCENTRACIONES MAYORES DE MATERIAL DE SOPORTE DE IONES DOPANTES DE TIPO N DE LAS QUE ESTAN PRESENTES EN EL RESTO DE LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL. UNOS CONTACTOS OMICOS (20, 22) ESTAN SITUADOS SOBRE LAS CAVIDADES PARA DEFINIR RESPECTIVAMENTE UNA DE LAS CAVIDADES (18) COMO CATODO Y LA OTRA (16) COMO ANODO. UN CONTACTO DE METAL "SCHOTTKY" SE SITUA SOBRE UNA PARTE DE LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL (149 QUE SE ENCUENTRA ENTRE LOS CONTACTOS OMICOS (20, 22) Y POR LO TANTO ENTRE EL CATODO Y EL ANODO PARA FORMAR UN CANAL ACTIVO EN LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL CUANDO SE EFECTUE UNA DESVIACION HACIA EL CONTACTO "SCHOTTKY" (24).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CREE RESEARCH, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 2810 MERIDIAN PARKWAY, SUITE 176, DURHAM, NORTH CAROLINA 27713.

Inventor/es: PALMOUR, JOHN, W.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 28 de Agosto de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación,... > H01L29/24 (con únicamente materiales semiconductores inorgánicos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, no previstos en los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 o H01L 29/22)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/34 (los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos H01L 21/06, H01L 21/16, y H01L 21/18 con o sin impurezas, p. ej. material de dopado)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación,... > H01L29/812 (puerta Schottky)
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