PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE UNA APLICACION DE MOLDE ESCALONADA, APLICACION DE MOLDE ESCALONADA Y CUERPO DE MICROESTRUCTURA ESCALONADA FORMADA DE ALTA PRECISION.

2.1 LAS APLICACIONES DE MOLDE ESCALONADAS SE ELABORACION BAJO UTILIZACION DE MASCARAS DE RADIACION ESTRUCTURADAS CON ABSORCION DIFERENTE POR ZONAS PARA RADIACION DE RAYOS X;

PARA ELLO SON NECESARIOS CALCULOS EXTENSOS. ADEMAS PUEDEN SER UTILIZADAS MULTIPLES MASCARAS, UNAS DESPUES DE OTRAS Y PARA CADA ETAPA DE RADIACION MODIFICAR LA PROFUNDIDAD DE LA PENETRACION DE RAYOS X; DEBIENDO SER POSICIONADAS LAS MASCARAS CON ALTA PRECISION. CON EL NUEVO PROCEDIMIENTO SE ELABORAN DE FORMA SENCILLA APLICACIONES DE MOLDE ESCALONADAS. 2.2 SOBRE UNA PLACA PLANA SE GENERAN DE FORMA LITOGRAFICA ZONAS DE APLICACION LIBRE MEDIANTE DESARROLLO, SIENDO LLENADAS DE UNA CAPA DE RESISTENCIA ESTRUCTURADA CON METAL. LA CAPA SE DESMONTA MECANICAMENTE HASTA CONSEGUIR EL ESPESOR PREDETERMINADO. DESPUES DE LA ELIMINACION DEL RESTO DE MATERIAL SE REPITE EVENTUALMENTE DE FORMA MULTIPLE ESTE PROCESO. LAS ZONAS DE APLICACION LIBRE CON ESTA CAPA APLICADA EN ULTIMO LUGAR SE RELLENAN CON METAL Y SE CUBREN DE FORMA SEPARADA CON OTRA CAPA, CON LO CUAL SE OBTIENE LA APLICACION DE MOLDE METALICO MULTIESCALONADA. 2.3 ELABORACION DE CUERPOS DE MICROESTRUCTURA DE ALTA PRECISION CON ESTRUCTURA MULTIESCALONADA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: MICROPARTS GESELLSCHAFT FUR MIKROSTRUKTURTECHNIK MBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: HAUERT 7,D-44227 DORTMUND.

Inventor/es: REINECKE, HOLGER, ROGNER, ARND, DR., NOKER, FRIEDOLIN FRANZ, SIEBER, ULRICH, DR., PRUFER, GERD, DR., PANNHOFF, HELGE, BRENK, UWE.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 3 de Diciembre de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G03F7/00 FISICA.G03 FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA.G03F PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO (aparatos de composición fototipográfica B41B; materiales fotosensibles o procesos para la fotografía G03C; electrofotografía, capas sensibles o procesos a este efecto G03G). › Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto (utilizando estructuras de fotorreservas para procesos de producción particulares, ver en los lugares adecuados, p. ej. B44C, H01L, p. ej. H01L 21/00, H05K).

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