METODO PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO.
Sección de la CIP Electricidad
(01/10/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Clasificación: H01L21/311, H01L21/314.
SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION QUE CONSISTE EN DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE FUSION BAJA TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES EL GRABADO EN SECO DE LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO, Y CURA SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y DE GRABADO SE REALIZAN SIN QUITAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.
METODO PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA INTEGRADA.
Sección de la CIP Electricidad
(01/10/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Clasificación: H01L21/316, H01L21/311, H01L21/314.
SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICO DE BAJA FUSION QUE COMPRENDE DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES GRABAR EN SECO LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO Y TRATAMIENTO SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y EL PASO DE GRABADO SE REALIZAN SIN SACAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.
PROCEDIMIENTO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR PLANARIZADO MULTIETAPA.
(16/07/1996) ES DESCUBIERTO UN PROCESO DE PLANARIZACION MEJORADO QUE COMPRENDE DEPOSITAR SOBRE UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO MODELADO EN UN CIERRE SEMICONDUCTOR , UNA CAPA DE AISLANTE CONFORMAL POR DEPOSICION DE PLASMA ECR DE UNA MATERIA AISLANTE. LA DEPOSICION DE PLASMA ECR ES REALIZADA HASTA LAS ZANJAS O LAS REGIONES BAJAS ENTRE LAS PARTES ELEVADAS ADYACENTES DE LA ESTRUCTURA SON COMPLETAMENTE RELLENADOS CON MATERIAL AISLANTE. UNA CAPA DE PLANARIZACION DE UN MATERIAL CRISTALINO DE FUSION BAJA, TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO, ES ENTONCES FORMADO SOBRE LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO A UNA PROFUNDIDAD O GROSOR SUFICIENTE PARA CUBRIR LAS PARTES MAS ALTAS DE LA CAPA AISLANTE DEPOSITADA DE PLASMA ECR. ESTA CAPA DE PLANARIZACION ES ENTONCES ANISOTROPICAMENTE GRABADO AL AGUAFUERTE SUFICIENTEMENTE PARA PROVEER UNA SUPERFICIE PLANARIZADA EN LA CAPA…
PROCEDIMIENTO DE AUTOLIMPIEZA DE CAMARA DE REACTOR.
Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia
(16/03/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Clasificación: H01L21/00, C23C16/50, H01L21/314.
EL INVENTO SE REFIERE A UN PROCESO PARA LIMPIAR UNA CAMARA DE REACTOR TANTO JUNTO A LOS ELECTRODOS DE RADIOFRECUENCIA COMO A TRAVES DE LA CAMARA Y EL SISTEMA DE SALIDA HASTA, E INCLUYENDO, COMPONENTES COMO LA VALVULA DE ESTRANGULACION. PREFERENTEMENTE, SE EMPLEA UNA SECUENCIA DE ATAQUE QUIMICO DE DOS FASES, LA PRIMERA DE LAS CUALES UTILIZA UNA PRESION RELATIVAMENTE ALTA Y GAS DE FLUOROCARBONO PARA LIMPIAR LA CAMARA Y EL SISTEMA DE SALIDA. LAS FASES LOCAL Y EXTENDIDA DE ATAQUE PUEDEN EMPLEARSE TANTO SEPARADA COMO CONJUNTAMENTE.
CAMPO MAGNETICO MEJORADO CON UN REACTOR DE PLASMA.
(01/11/1994) SE DESCRIBE UN REACTOR DE GRABACION POR PLASMA DE UNA SOLA OBLEA CON CAMPO MAGNETICO AUMENTADO. LAS PRESTACIONES DEL REACTOR INCLUYEN UN CAMPO MAGNETICO CONTROLADO ELECTRICAMENTE DEL TIPO PASO A PASO PARA PROPORCIONAR UNA VELOCIDAD UNIFORME DE GRABACION EN ALTAS PRESIONES. LAS SUPERFICIES CUYA TEMPERATURA ESTA CONTROLADA INCLUYE SUPERFICIES DE ANODO CALENTADAS (PAREDES Y GASES) Y UNA OBLEA ENFRIADA QUE SOPORTA EL CATODO/PEDESTAL ; Y UNA MECANISMO DE INTERCAMBIO DE OBLEAS UNICO QUE CONSTA DE PASADORES PARA SUSTENTACION DE LA MISMAS QUE ATRAVIESAS EL PEDESTAL Y UN ANILLO DE APRIETE DE LA OBLEAS . LOS PASADORES DE SUSTENTACION Y EL ANILLO DE APRIETE SE MUEVEN VERTICALMENTE POR UN MECANISMO DE UN EJE PARA ACEPTAR LA OBLEA A PARTIR DE UNA LAMINA EXTERNA COOPERANTE , UNA FIJACION AL PEDESTAL Y…
REACTOR TERMICO CVD/PECVD Y SU UTILIZACION PARA LA FABRICACION DE OXIDOS DE SILICIO Y PROCEDIMIENTO MULTIETAPA DE PLANARIZACION IN-SITU.
(01/05/1994) SE PRESENTA UN REACTOR DE PROCESO SEMICONDUCTOR, DE PASTILLA SIMPLE, DE ALTO RENDIMIENTO, Y ELEVADA PRESION EL CUAL ES CAPAZ DE CVD TERMICO, CVD AUMENTADO POR PLASMA, RETROGRABADO ASISTIDO POR PLASMA, AUTOLIMPIEZA POR PLASMA, Y MODIFICACION TOPOGRAFICA DE DEPOSICION MEDIANTE DESINTEGRACION, SEA SEPARADAMENTE O COMO PARTE DE UN PROCESO DE MULTIPLES ETAPAS IN-SITU. EL REACTOR INCLUYE DISPOSITIVOS DE COOPERACION DE SUSCEPTORES ENTRELAZADOS Y DEDOS DE PATILLAS QUE EXTRAEN COLECTIVAMENTE LA PASTILLA DESDE UNA PALETA DE TRANSFERENCIA ROBOT Y COLOCAN LA PASTILLA CON UNA SEPARACION PARALELA Y CERCANA, CONTROLADA Y VARIABLE ENTRE LA PASTILLA Y EL COLECTOR DE ENTRADA DE GAS A LA CAMARA VOLVIENDOLA DESPUES LA PASTILLA A LA PALETA. UN DISPOSITIVO DE ALIMENTACION COMBINADO RF/GAS PROTEGE CONTRA EL PROCESO DE PERDIDAS…