REACTOR TERMICO CVD/PECVD Y SU UTILIZACION PARA LA FABRICACION DE OXIDOS DE SILICIO Y PROCEDIMIENTO MULTIETAPA DE PLANARIZACION IN-SITU.

SE PRESENTA UN REACTOR DE PROCESO SEMICONDUCTOR, DE PASTILLA SIMPLE,

DE ALTO RENDIMIENTO, Y ELEVADA PRESION (10) EL CUAL ES CAPAZ DE CVD TERMICO, CVD AUMENTADO POR PLASMA, RETROGRABADO ASISTIDO POR PLASMA, AUTOLIMPIEZA POR PLASMA, Y MODIFICACION TOPOGRAFICA DE DEPOSICION MEDIANTE DESINTEGRACION, SEA SEPARADAMENTE O COMO PARTE DE UN PROCESO DE MULTIPLES ETAPAS IN-SITU. EL REACTOR INCLUYE DISPOSITIVOS DE COOPERACION DE SUSCEPTORES ENTRELAZADOS (16) Y DEDOS DE PATILLAS (20) QUE EXTRAEN COLECTIVAMENTE LA PASTILLA (15) DESDE UNA PALETA DE TRANSFERENCIA ROBOT (24) Y COLOCAN LA PASTILLA CON UNA SEPARACION PARALELA Y CERCANA, CONTROLADA Y VARIABLE ENTRE LA PASTILLA Y EL COLECTOR DE ENTRADA DE GAS A LA CAMARA (26) VOLVIENDOLA DESPUES LA PASTILLA A LA PALETA. UN DISPOSITIVO DE ALIMENTACION COMBINADO RF/GAS (36) PROTEGE CONTRA EL PROCESO DE PERDIDAS DE GAS Y APLICA ENERGIA RF AL COLECTOR DE ENTRADA DE GAS SIN ROTURAS INTERNAS O DEPOSICIONES DE GAS. EL COLECTOR DE ENTRADA DE GAS (26) SE ADAPTA PARA PROVEER UN FLUJO DE GAS UNIFORME SOBRE LA PASTILLA. LAS SUPERFICIES DEL COLECTOR EXTERNAS E INTERNAS ESTAN CON TEMPERATURA CONTROLADA CON LO QUE SE SUPRIME LA CONDENSACION, LAS REACCIONES PREMATURAS Y LA DECOMPOSICION Y DEPOSICION EN LAS SUPERFICIES EXTERNAS. EL REACTOR TAMBIEN INCORPORA UN SISTEMA DE BOMBEO RADIAL DE GAS UNIFORMEMENTE QUE PERMITE TENER UN FLUJO DE GAS REACTIVO UNIFORME A TRAVES DE LA PASTILLA Y QUE DIRIGE EL FLUJO DE GAS PURGANTE DESDE ABAJO Y DESDE ARRIBA HACIA LA PERIFERIA DE LA PASTILLA PARA EL BARRIDO EN LAS FASES DE SALIDA LEJOS DE LA PASTILLA PARA PREVENIR LA DEPOSICION EN EL EXTERIOR DE LA PASTILLA Y MANTENER LIMPIA LA CAMARA. EL REACTOR PROVEE UN PROCESO UNIFORME EN UN RANGO AMPLIO DE PRESIONES INCLUYENDO LAS PRESIONES MUY ELEVADAS. TAMBIEN SE EXPONE UN PROCESO CVD A BAJA TEMPERATURA PARA FORMAR UNA CAPA DE DIOXIDO DE SILICONA ALTAMENTE CONFORME. EL PROCESO USA UNA CAMARA DE PRESION MUY ELEVADA Y BAJA TEMPERATURA, Y COMO REACTIVOS TEOS Y OZONO. LA ETAPA DE DEPOSICION DE DIOXIDO DE SILICONA A BAJA TEMPERATURA ES PARTICULARMENTE UTIL PARA PLACAS DIELECTRICAS PLANARES Y SUBYACENTES POR PASOS, SEA SOLO O JUNTO CON UN ATAQUE ISOTROPICO SIGUIENTE. EL REFERIDO PROCESO MULTI-ETAPAS IN-SITU PARA FORMAR UNA CAPA PLANAR DE DIOXIDO DE SILICONA USA (1) UNA ALTA VELOCIDAD DE DEPOSICION DE DIOXIDO DE SILICONA A UNA TEMPERATURA BAJA Y UNA ELEVADA PRESION SEGUIDA POR (2) LA DEPOSICION DE LA CAPA DE DIOXIDO DE SILICONA CONFORME TAMBIEN A ALTA PRESION U BAJA TEMPERATURA, SEGUIDA POR (3) UN ATAQUE ISOTROPICO A ALTA VELOCIDAD, PREFERIBLEMENTE CON BAJA TEMPERATURA Y ALTA PRESION EN EL MISMO REACTOR USADO PARA LOS DOS PASOS DE DEPOSICION DE OXIDOS. SE EXPONEN VARIAS COMBINACIONES DE LAS ETAPAS PARA DIFERENTES APLICACIONES, COMO LA DEL REFERIDO REACTOR DE ETAPA DE AUTO-LIMPIEZA.