(10/07/2019) Célula solar múltiple (MS) que presenta
una primera célula parcial (SC1) compuesta por un compuesto de InGaAs, presentando la primera célula parcial (SC1) una primera constante de red (ASC1), y
una segunda célula parcial (SC2) con una segunda constante de red (ASC2),
siendo la primera constante de red (ASC1) al menos 0,008 Å mayor que la segunda constante de red (ASC2), y
presentando cada célula parcial (SC1, SC2) una transición pn, y un tampón metamórfico (MP1), estando configurado el tampón (MP1) entre la primera célula parcial (SC1) y la segunda célula parcial (SC2) y presentando el tampón (MP1) una sucesión de una primera capa con una primera constante de red (MPA1), una segunda capa con una segunda constante de red (MPA2) y al menos una tercera capa con una tercera constante de red (MPA3) y aumentando las constantes de red (MPA1, MPA2,…
Apilamiento de células solares.
(12/06/2019) Apilamiento de células solares (ST) que presenta mayoritariamente capas semiconductoras III-V, con una primera célula parcial (SC1) con una primera banda prohibida y con una primera constante de red, y una segunda célula parcial (SC2) con una segunda banda prohibida y con una segunda constante de red, y una sucesión de capas intermedias dispuesta entre las dos células parciales (SC1, SC2), presentando la sucesión de capas intermedias una primera capa de barrera (B1) y un diodo túnel (TD1) y una segunda capa de barrera (B2), y presentando el diodo túnel (TD1) una capa n+ degenerada con una tercera constante de red y una capa p+ degenerada con una cuarta constante de red, y estando dispuestas las capas en dicho orden,
siendo…
Célula solar múltiple monolítica.
(21/09/2016) Célula solar múltiple monolítica que consiste esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico, comprendiendo la célula solar múltiple al menos tres subcélulas de las que una subcélula es una subcélula de GaInAs y estando construida sobre un sustrato de Ge caracterizada porque por debajo de la subcélula de GaInAs está dispuesto un espejo semiconductor , y porque el espejo semiconductor presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y siendo el espesor d de las capas del espejo semiconductor 10 nm ≤ d ≤ 150 nm y el espejo semiconductor consiste en n capas donde 10 ≤ n ≤ 50, y la semianchura HWB del espejo semiconductor…
Célula solar múltiple monolítica.
(10/03/2016) Célula solar múltiple monolítica compuesta esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico, en la que la célula solar múltiple comprende tres subcélulas de GaInP / GaInAs / Ge, en la que GaInP está configurada como célula superior y GaInAs como célula intermedia y Ge como célula inferior, caracterizada porque
entre la célula intermedia y la célula inferior está dispuesto un espejo semiconductor y la célula intermedia presenta un espesor reducido y el espesor dm es de 500 ≤ dm ≤ 2500 nm, porque el espejo semiconductor presenta varias capas de índice de refracción y/o composición de material y/o espesor diferente uno de otro, y siendo el espesor d de las capas del espejo…
Célula solar múltiple monolítica.
(19/02/2016) Célula solar múltiple monolítica constituida esencialmente por elementos de los grupos principales III y V del sistema periódico, comprendiendo la célula solar múltiple al menos tres subcélulas y estando construida sobre un sustrato de Ge
caracterizada porque
una de las subcélulas de la célula solar múltiple es del grupo de GaInNAs y está dispuesto un espejo semiconductor entre dos subcélulas , estando incorporado el espejo por debajo de la subcélula de GaInNAs y
porque el espejo semiconductor presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y
siendo el espesor…
MÓDULO DE CÉLULAS SOLARES.
(18/11/2013) La invención se refiera a un módulo de células solares, que comprende subunidades conectadas en serie de células solares conectadas en paralelo. Para permitir una adaptación individual sin problemas a la distribución de intensidad luminosa incidente de tal manera que en cada subunidad se genere esencialmente la misma corriente fotoeléctrica, la invención prevé que las células solares comprendan al menos primeras y segundas células solares con en cada caso superficies sensibles a la radiación que difieren entre sí y que al menos una subunidad del módulo de células solares presente una primera y al menos una segunda célula solar.
CELULA SOLAR CON UN DIODO DE PROTECCION INTEGRADO.
Sección de la CIP Electricidad
(16/12/2008). Ver ilustración. Inventor/es: STROBL,GERHARD. Clasificación: H01L31/05, H01L31/068, H01L31/0304, H01L27/142.
Célula solar con capas semiconductoras fotoactivas que se extienden entre el contacto frontal y el contacto posterior, con un diodo de protección (diodo de bypass) que puede unirse al contacto frontal, con una polaridad opuesta a la célula solar y una capa semiconductora de conductividad p que se extiende en la cara frontal, sobre la cual se extiende un diodo túnel, caracterizada porque en el diodo túnel se extiende una capa de conductividad n + a través de la cual está unido o puede unirse el diodo de protección con el contacto frontal.