METODO PARA PREPARAR UN BLINDAJE PARA REDUCIR LAS PARTICULAS EN UNA CAMARA FISICA DE DEPOSITACION DE VAPOR.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/11/1995). Inventor/es: MINTZ, DONALD M., GILBOA, HAIM, TALIEH, HUMOYOUN. Clasificación: C23C14/34, C23C14/56, C23C14/02, C23C14/22.
EN UN METODO PARA PREPARAR UN BLINDAJE PARA SU USO EN UN PROCESO FISICO DE DEPOSITACION DE VAPOR, EL BLINDAJE SE LIMPIA MEDIANTE UN PROCESO DE EROSION POR ACIDO PARA INCREMENTAR LA ADHESION DE LOS DEPOSITOS EN EL PROCESO FISICO DE DEPOSITACION DE VAPOR. LA LIMPIEZA MEDIANTE EROSION POR ACIDO SIRVE PARA DESPRENDER LA CONTAMINACION QUE PODRIA FORMAR UNA BARRERA DE DIFUSION Y EVITAR QUE LOS DEPOSITOS SE UNIERAN AL BLINDAJE. TAMBIEN LA LIMPIEZA MEDIANTE EROSION POR ACIDO CREA UN ALTO GRADO DE MICRORUGOSIDADES. LA ASPEREZA PERMITE UN INCREMENTO EN LOS LUGARES DE NUCLEACION QUE MINIMIZA LA FORMACION DE ESPACIOS VACIOS INTERMEDIOS. ADEMAS DE SER LIMPIADO MEDIANTE UN PROCESO DE EROSION POR ACIDO, EL BLINDAJE PUEDE EXPONERSE A LA ACCION DE UN CHORRO DE PARTICULAS. LA EXPOSICION AL CHORRO DE PARTICULAS HACE LA SUPERFICIE DEL BLINDAJE IRREGULAR. TODO ELLO MEJORA LA SEPARACION DE LA SUPERFICIE DE CONTACTO DEL MATERIAL DEPOSITADO EN UNA ESCALA MICROSCOPICA, DANDO COMO RESULTADO UN MENOR DESMENUZAMIENTO.
APARATO Y METODO DE VALVULA CON RANURA.
(16/12/1994) UN APARATO DE VALVULA CON RANURA ASOCIADO CON UNA APERTURA EN UNA PARED DE LA CAMARA A TRAVES DEL CUAL PUEDE PASARSE UN DISCO SEMICONDUCTOR A LO LARGO DE UN PLANO DE TRANSFERENCIA . EL APARATO ESTA CARACTERIZADO POR UN ASENTAMIENTO DE VALVULA EL CUAL ESTA EN ANGULO RELATIVO AL PLANO DE TRANSFERENCIA Y UNA PUERTA QUE SE MUEVE LINEALMENTE A LO LARGO DE UN EJE SUSTANCIALMENTE PERPENDICULAR AL ASIENTO DE LA VALVULA . TODAS LAS PARTES ENGANCHADAS POR FRICCION DEL MONTAJE DE VALVULA CON RANURA ESTAN AISLADAS DEL INTERIOR DE LA CAMARA MEDIANTE UN MANGUITO EN FUELLE PARA REDUCIR LA FORMACION DE PARTICULAS. EL METODO SE CARACTERIZA POR…
CAMPO MAGNETICO MEJORADO CON UN REACTOR DE PLASMA.
(01/11/1994) SE DESCRIBE UN REACTOR DE GRABACION POR PLASMA DE UNA SOLA OBLEA CON CAMPO MAGNETICO AUMENTADO. LAS PRESTACIONES DEL REACTOR INCLUYEN UN CAMPO MAGNETICO CONTROLADO ELECTRICAMENTE DEL TIPO PASO A PASO PARA PROPORCIONAR UNA VELOCIDAD UNIFORME DE GRABACION EN ALTAS PRESIONES. LAS SUPERFICIES CUYA TEMPERATURA ESTA CONTROLADA INCLUYE SUPERFICIES DE ANODO CALENTADAS (PAREDES Y GASES) Y UNA OBLEA ENFRIADA QUE SOPORTA EL CATODO/PEDESTAL ; Y UNA MECANISMO DE INTERCAMBIO DE OBLEAS UNICO QUE CONSTA DE PASADORES PARA SUSTENTACION DE LA MISMAS QUE ATRAVIESAS EL PEDESTAL Y UN ANILLO DE APRIETE DE LA OBLEAS . LOS PASADORES DE SUSTENTACION Y EL ANILLO DE APRIETE SE MUEVEN VERTICALMENTE POR UN MECANISMO DE UN EJE PARA ACEPTAR LA OBLEA A PARTIR DE UNA LAMINA EXTERNA COOPERANTE , UNA FIJACION AL PEDESTAL Y…
REACTOR TERMICO CVD/PECVD Y SU UTILIZACION PARA LA FABRICACION DE OXIDOS DE SILICIO Y PROCEDIMIENTO MULTIETAPA DE PLANARIZACION IN-SITU.
(01/05/1994) SE PRESENTA UN REACTOR DE PROCESO SEMICONDUCTOR, DE PASTILLA SIMPLE, DE ALTO RENDIMIENTO, Y ELEVADA PRESION EL CUAL ES CAPAZ DE CVD TERMICO, CVD AUMENTADO POR PLASMA, RETROGRABADO ASISTIDO POR PLASMA, AUTOLIMPIEZA POR PLASMA, Y MODIFICACION TOPOGRAFICA DE DEPOSICION MEDIANTE DESINTEGRACION, SEA SEPARADAMENTE O COMO PARTE DE UN PROCESO DE MULTIPLES ETAPAS IN-SITU. EL REACTOR INCLUYE DISPOSITIVOS DE COOPERACION DE SUSCEPTORES ENTRELAZADOS Y DEDOS DE PATILLAS QUE EXTRAEN COLECTIVAMENTE LA PASTILLA DESDE UNA PALETA DE TRANSFERENCIA ROBOT Y COLOCAN LA PASTILLA CON UNA SEPARACION PARALELA Y CERCANA, CONTROLADA Y VARIABLE ENTRE LA PASTILLA Y EL COLECTOR DE ENTRADA DE GAS A LA CAMARA VOLVIENDOLA DESPUES LA PASTILLA A LA PALETA. UN DISPOSITIVO DE ALIMENTACION COMBINADO RF/GAS PROTEGE CONTRA EL PROCESO DE PERDIDAS…
SISTEMA Y METODOS DE REDUCCION DE CARGA DE UNA PLAQUITA PARA IMPLANTACION IONICA.
Sección de la CIP Electricidad
(01/11/1992). Inventor/es: RENAU, ANTHONY, MOFFATT, STEPHEN, PLUMB, FREDERICK. Clasificación: H01L21/265, H01J37/317.
EL INVENTO SE REFIERE A UN SISTEMA PARA IRRADIAR UN OBJETIVO TIPO PLAQUITA CON UN HAZ IONICO EN LA ESTACION FINAL DE UN SISTEMA QUE INCLUYE UN ELECTRODO POST-ANALISIS PARA ACELERAR EL HAZ DE IONES HASTA UNA VELOCIDAD DADA DE INCIDENCIAS SOBRE EL BLANCO SITUADO MAS ALLA DEL ELECTRODO DE POST-ANALISIS, Y UN DISPARADOR DE FLUJO DIODICO INSERTADO ENTRE EL ELECTRODO DE POST-ANALISIS Y EL BLANCO PARA NEUTRALIZAR LA ACUMULACION DE CARGA POSICIONAL INDUCIDA EN EL BLANCO POR EL HAZ IONICO. EL DISPARADOR DE FLUJO DIODICO INTRODUCE UNA CORRIENTE AMPLIFICADA DE ELECTRONES DE BAJA ENERGIA EN EL HAZ IONICO, CORRIENTE QUE SE CREA INTRODUCIENDO UN GAS INERTE EN EL DISPARADOR A TRAVES DE UNA LINEA DE DERIVACION.