(01/04/1997). Solicitante/s: MOVING MAGNET TECHNOLOGIES S.A.. Inventor/es: PRUDHAM, DANIEL, OUDET, CLAUDE.

LA PRESENTE INVENCION CONCIERNE A UN CAPTADOR DE POSICION DEL TIPO QUE INCLUYE UN ESTATOR QUE PRESENTA UNA HENDIDURA QUE CONSTITUYE UN ENTREHIERRO EN EL INTERIOR DEL CUAL ESTA POSICIONADO UN IMAN PERMANENTE, Y QUE INCLUYE UN MEDIO DE MEDIDA DEL FLUJO MAGNETICO CONSTITUIDO POR UNA SONDA MAGNETO SENSIBLE . EL IMAN ES DEL TIPO BIPOLAR Y ES MOVIL EN EL INTERIOR DE UN ENTREHIERRO PRINCIPAL DELGADO DELIMITADO POR LAS PARTES FERROMAGNETICAS UNIDAS POR PIEZAS DE ENLACE NO-MAGNETICAS . LA LONGITUD DEL ENTREHIERRO MEDIDA SEGUN LA DIRECCION DE DESPLAZAMIENTO DEL IMAN MOVIL ES AL MENOS IGUAL A 2(C+E), C DESIGNA EL RECORRIDO DEL IMAN Y E LA ANCHURA DEL ENTREHIERRO , LA LONGITUD DEL IMAN ES AL MENOS IGUAL A (C+E) Y SU RECORRIDO AL MENOS IGUAL A +AL ENTREHIERRO SECUNDARIO , PERPENDICULAR AL ENTREHIERRO PRINCIPAL.

(16/12/1996). Solicitante/s: MARS, INCORPORATED. Inventor/es: JONES, ROBERT, EDWARD, JR., KRYDER, MARK HOWARD, MOUNTFIELD, KEITH, ROBERT, GUZMAN, JAVIER, IGNACIO.

SE TRATA DE UN CABEZAL MAGNETORESISTIVO HORIZONTAL SIN BLINDAJE PARA DISPOSITIVOS DE EXPLORACION Y LECTURA MAGNETICA. EL CABEZAL MAGNETORESISTIVO HORIZONTAL SIN BLINDAJE SE COMPONE DE DOS ELEMENTOS MAGNETORESISTIVOS SEPARADOS POR UN VACIO , Y UNA BARRA CONDUCTORA QUE CONECTA ELECTRICAMENTE LOS ELEMENTOS MAGNETOSRESISTIVOS ENTRE SI Y CON UN PUNTO ELECTRICO COMUN, COMO PUEDE SER UNA TOMA DE TIERRA . UN CIRCUITO DETECTOR DE VOLTAJE DIFERENCIAL ESTA CONECTADO AL OTRO LADO DE LOS ELEMENTOS MAGNETORESISTIVOS PARA DETECTAR VARIACIONES EN EL VOLTAJE CUANDO EL CABEZAL ESTA EXPLORANDO DATOS MAGNETICOS. LA PRESENTE INVENCION ADEMAS PERMITE UN PROCESO DE FABRICACION SIMPLIFICADO, LO QUE CONLLEVA UNA REDUCCION DE COSTES Y METODOS Y PROCEDIMIENTOS DE FABRICACION MAS EFICIENTES.

(01/11/1995). Solicitante/s: HILTI AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: KOUSEK, HEINZ, DR., NIPP, HANSJORG, NOSER, OTTO, GANAHL, OTMAR, LEEMANN, HANS.

DISPOSITIVO PARA LOCALIZAR MATERIAL MAGNETICO EN OBRAS. LA INVENCION CONCIERNE A UN DISPOSITIVO PARA LA LOCALIZACION DE MATERIAL MAGNETIZABLE EN UNA OBRA . EL DISPOSITIVO CONTIENE UN CABEZAL PALPADOR , QUE P. EJ. PRESENTA UN IMAN PERMANENTE PARA LA APLICACION DE UN CAMPO MAGNETICO EN LA OBRA ASI COMO DOS PLACAS DE CAMPO DISPUESTAS JUNTAS SOBRE UNA SOLA SUPERFICIE POLAR DEL IMAN PERMANENTE , QUE ESTAN UNIDAS ENTRE SI MEDIANTE CONEXION DIFERENCIAL Y QUE MIDEN EL CAMPO MAGNETICO DETERIORADO POR EL MATERIAL MAGNETIZABLE DEL IMAN PERMANENTE . LOS VALORES DE DIFERENCIA DE MEDIDA SUMINISTRADOS POR LOS PARES DE PLACAS DE CAMPO EN LAS POSICIONES RESPECTIVAS SIRVEN PARA LA FORMACION DE UNA SEÑAL DE DIFERENCIA DE MEDIDA, A PARTIR DE LA CUAL SE DETERMINA LA POSICION DEL MATERIAL MAGNETIZABLE EN LA OBRA TRAS LA DIFERENCIACION. LA POSICION DEL MATERIAL MAGNETIZABLE DENTRO DE LA OBRA SE PUEDE VISUALIZAR EN UN MONITOR DE UNA UNIDAD DE EVALUACION.

(01/04/1994). Solicitante/s: EATON CORPORATION. Inventor/es: ROPS, PAUL GREGORY.

SISTEMA SENSOR DE POSICION DE EFECTO HAL PARTICULARMENTE VENTAJOSO PARA SU UTILIZACION EN VEHICULOS COMO PARA DETECTAR LA POSICION DE UN RIEL DE CAMBIO DE ENGRANAJE DE LA TRANSMISION QUE REQUIERE UNICAMENTE UN SOLO CONDUCTOR DE ENERGIA ENTRE EL CONMUTADOR DE EFECTO HALL Y UNA FUENTE DE ENERGIA ALEJADA COMO UNA BATERIA MEDIANTE LA CONEXION DE UN TERMINAL DE SEÑAL DE SALIDA DEL DISPOSITIVO A UN CONDUCTOR MUY PROXIMO AL DISPOSITIVO Y QUE INCLUYE UN RESISTOR DE CAIDA (R1) DE FORMA QUE UN MICROPROCESADOR PUEDE PROPORCIONAR UNA SEÑAL DE CONTROL DE SALIDA INDICATIVA DE LA POSICION CONTROLANDO EL EFECTO DE LA SEÑAL DE SALIDA DEL DISPOSITIVO (R) EN EL CONDUCTOR.

(01/10/1993). Solicitante/s: MANNESMANN KIENZLE GMBH (HR B1220). Inventor/es: WERNER, THOMAS, DIPL.-ING.

PARA OBTENER UNA RELACION DE LA SEÑAL UTIL-PARASITA LO MAS GRANDE POSIBLE, EN UN TRANSMISOR DEL CAMPO MAGNETICO EN FORMA DE BARRA CON UN IMAN PERMANENTE Y UN GENERADOR "HALL" EN UNA INDUCCION MINIMA Y MAGNETICA, A TRAVES DE LA EXPULSION DE CAMPO DENTRO DEL ESPACIO DADO DEL IMAN ANULAR.

(01/03/1988). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

CONSTA DE UNA PELICULA DELGADA ALARGADA MAGNETORRESISTIVA , POR EJEMPLO NI-FE, DE ESPESOR 200-500 A, QUE TIENE REGIONES EXTREMAS SEPARADAS POR UNA REGION CENTRAL; UNA PELICULA DELGADA ANTIFERROMAGNETICA , POR EJEMPLO MNFE, DE ESPESOR 100-500 A, EN CONTACTO CON LAS REGIONES EXTREMAS DE ; UNA PELICULA DELGADA DE MATERIAL MAGNETICO DE BAJA COERCITIVIDAD , POR EJEMPLO NIFERH, SEPARADA DE LA CAPA MAGNETORRESISTIVA. SE INDUCE UN ESTADO DE DOMINIO UNICO EN LA REGION DENTRAL DE LA CAPA MAGNETORRESISTIVA E IGUALMENTE SE GENERA UNA POLARIZACION TRANSVERSAL SUFICIENTE PARA MANTENER DICHA REGION EN UN MODO DE RESPUESTA LINEAL.

(16/05/1987). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..

SENSOR DE CAMPO MAGNETICO. COMPRENDE SUMINISTRADOR N.2 RESISTENCIA DEPENDIENTES DE CAMPO MAGNETICO (2 A 9) ADYACENTES PROXIMAS, EN DONDE N F 1, 2, 3... CON EL PRIMER EXTREMO DE CADA DOS RESISTENCIAS DEPENDIENTES DE CAMPO MAGNETICO , , , INTERCONECTADO ELECTRICAMENTE PARA FORMAR UN PAR DE RESISTENCIAS Y CON LOS ELECTRODOS TERMINALES (17 A 21) DISPUESTOS EN LOS EXTREMOS , ESTANDO HECHAS LAS RESISTENCIAS DEPENDIENTES DE CAMPO MAGNETICO DE UN MATERIAL FERROMAGNETICA CON UN GROSOR DE 0,5 MM. TIENE APLICACIONES EN EL CAMPO DE LA ELECTRONICA.

(01/10/1984). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

DISPOSITIVO DETECTOR DE CAMPO MAGNETICO.CONSTA DE UN MODULADOR PARA VARIAR EL AJUSTE DEL ELEMENTO SENSIBLE AL CAMPO MAGNETICO; Y DE UN CIRCUITO DE DETECCION PARA DETECTAR LAS VARIACIONES DE LA SEN/AL EN LA SALIDA DEL ELEMENTO EN FUNCION DE LA VARIACION DEL AJUSTE, AL OBJETO DE PRODUCIR UNA SEN/AL DE SALIDA EN LA QUE SE REDUZCA LA INFLUENCIA DEL COMPONENTE DE ERROR QUE SE FORMA, DEBIDO AL HECHO DE QUE HAY PRESENTE UNA SEN/AL EN LA SALIDA EN AUSENCIA DE UN CAMPO MAGNETICO.

(01/06/1984). Solicitante/s: LGZ LANDIS & GYR ZUG AG.

PERCEPTOR DE CAMPO MAGNETICO.CONSTA DE UN SUSTRATO CORRIENTE MONOCRISTALINO DE SILICIO, DE MATERIAL N- IMPURIFICADO DEBILMENTE CON ATOMOS EXTRAÑOS. SE FORMAN LAS SIGUIENTES CAPAS EN EL SUSTRATO DE SILICIO: A) DEPRESION P- DE MATERIAL P IMPURIFICADO; B) UNA CAPA NB DE MATERIAL N A CADA LADO DE LA DEPRESION P-, PARA LA FORMACION A CADA LADO DE UN CONTACTO (3A O 3B) SECUNDARIO DE COLECTOR. EN LA DEPRESION P SE FORMAN A SU VEZ LAS CAPAS: 1) PRIMERA SUBCAPA PB COMO PRIMER CONTACTO DE BASE; 2) PRIMERA SUBCAPA NB COMO PRIMERA CAPA DE COLECTOR;3) UNA SUBCAPA N-, COMO CAPA DE EMISOR; 4) SEGUNDA SUBCAPA NB COMO SEGUNDA CAPA DE COLECTOR; 5) UNA SEGUNDA SUBCAPA PB, COMO SEGUNDO CONTACTO DE BASE. LA CAPA DE EMISOR ESTA DISPUESTA EN EL CENTRO DE LA CAPA DE BASE Y TIENE EN SU SUPERFICIE UNA CAPA NB, PARA LA FORMACION DE UN CONTACTO OHMICO DE EMISOR.

(16/02/1980). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Transistor con tensión de avalancha mandada, siendo mantenido el modo bruscamente conductor de generación de corriente de avalancha estable a poca impedancia, estando caracterizado este transistor porque comprende: un cuerpo de una materia semiconductora de un primer tipo de portadores mayoritarios; al menos un emisor de una materia semiconductora de un segundo tipo de portadores mayoritarios, opuesto al del cuerpo, un primer contacto eléctricamente conductor dispuesto sobre el emisor, al menos un colector de una materia semiconductora del tipo de portadores mayoritarios opuesto al del cuerpo, un segundo contacto eléctricamente conductor dispuesto sobre el colector, medios de mando del rendimiento de inyección, medios de mando del rendimiento de transporte y medios que favorecen la ionización por impacto.

(01/09/1979). Solicitante/s: COMPAGNIE INTERNATIONALE POUR L'INFORMATIQUE CII-H.

Dispositivo de detección de campo magnético que comprende al menos un elemento magneto-resistente colocado en este campo caracterizado porque el elemento magneto-resistente está asociado con un elemento conductor eléctrico aislado de él y recorrido por una corriente de excitación alternativamente positiva y negativa, con el fin de detectar la presencia del campo en el que está colocado comparando la fase de dicha corriente de excitación y la fase de la corriente suministrada por el elemento magneto-resistente en respuesta a la acción sobre el mismo de dicho campo y del campo magnético producido por la corriente de excitación.

(01/10/1976). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Resumen no disponible.

(01/03/1976). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Resumen no disponible.

(16/02/1976). Solicitante/s: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED.

Resumen no disponible.