ORDENACION Y MEJORA DE UN MATERIAL SEMI-CONDUCTOR.

LA FABRICACION DE UN MATERIAL SEMI CONDUCTOR, MEJORANDO SU TIEMPO DE ABILIDAD,

EN SU CAMPO DE MAGNESIO, Y SOBRE TODO MEJORAR EL ALMACEN DE ELEMENTOS. LA ORDENACION CONSTA DE UNA CONFECCION DE VARIANTES EN UN CAMPO MAGNETICO (1) CONTINUANDO A SU VEZ CON LA INTENSIDAD ELECTRONICA Y EL SISTEMA METAMORFOSICO (2). EL CAMPO MAGNETICO (1), CONSTA DE UN ALMACEN ELECTRONICO (1) UNO DE ESTOS CAMPOS ACTUAN CONFORME AL AMPLIFICADOR (3) Y EL CONDUCTOR MORFOSICO (4). LOS CAMBIOS SE PRODUCEN POR LA INTENSIDAD DE FRECUENCIAS, Y EL ANALOGO DIGITAL. EL AMPLIFICADOR (3) ES MIEMBRO DE CORRECCION QUE TRANSMITE PROPORCIONALMENTE LA CONFECCION DE VRIANTES A LOS FACTORES (1+ N/N) O (1 N/N). ESTE CONSTA (3) DE UN AMPLIFICADOR OPERATIVO, QUE SE INTERPONE, ENTRE LA RESISTENCIA DE ACOPLAMIENTO Y LA RESISTENCIA DE ENTRADA DEL AMPLIFICADOR, ESTE FACTOR ESTA RELACIONADO CON LA OPOSICION DE VALORES, QUE ACTUAN SIMETRICAMENTE EN MEDIO Y UNIENDO EL CAMPO MAGNETIO (1) CON EL MATERIAL SEMI CONDUCTOR. POR OTRA PARTE EL FACTOR N ES EL PORTADOR DE CONCENTRACION DEL MATERIAL SEMI CONDUCTOR, Y APLICANDOLE EL FACTOR N, SE PRODUCE UN CAMBIO EN EL PORTADOR DE MATERIALES (R). OBTENIENDO LA IGUALDAD DEL CAMPO MAGNETIDO (1) QUEDANDO ASI EL PORTADOR DE CONCENTRACION (N) AL MIMO NIVEL QUE EL CAMPO MAGNETICO (1).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: LANDIS & GYR BETRIEBS AG.

Nacionalidad solicitante: Suiza.

Dirección: , CH-6301 ZUG.

Inventor/es: DE VRIES, JACOB, FURRER,BEAT, HALG, BEAT.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 10 de Marzo de 1993.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G01R33/06 SECCION G — FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12). › G01R 33/00 Dispositivos o aparatos para la medida de valores magnéticos. › utilizando dispositivos galvanomagnéticos.
  • H01L27/22 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con componentes que utilizan los efectos galvanomagnéticos, p. ej. efecto Hall; que utilizan los efectos de campos magnéticos análogos.
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