CIP-2021 : H01L 29/24 : con únicamente materiales semiconductores inorgánicos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas,
no previstos en los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 o H01L 29/22.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 29/00 › H01L 29/24[3] › con únicamente materiales semiconductores inorgánicos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, no previstos en los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 o H01L 29/22.
Notas[n] desde H01L 29/16 hasta H01L 29/26:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/24 · · · con únicamente materiales semiconductores inorgánicos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, no previstos en los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 o H01L 29/22.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Convertidor matricial para la transformación de energía eléctrica.
(15/03/2017). Solicitante/s: ALSTOM Transport Technologies. Inventor/es: DUTARDE,EMMANUEL, BREIT,FABRICE, Beuille,Christophe, SCHNEIDER,HENRI.
Convertidor matricial para la transformación de energía eléctrica entre al menos una fuente de tensión , especialmente una red de alimentación y al menos una fuente de corriente , especialmente una carga, constando dicho convertidor de una matriz de interruptores que une dichas fuentes de tensión con dichas fuentes de corriente , caracterizado porque dichos interruptores constan cada uno de dos bornes dispuestos en dos planos paralelos distintos y un sustrato diamante fotoconductor interpuesto entre dichos dos bornes del interruptor , estando realizado el control de cada interruptor por medio de una fuente óptica que irradia el sustrato diamante interpuesto entre los dos bornes y porque cada interruptor del convertidor está formado por un sustrato diamante individual que está soportado por un sustrato cerámico soporte por medio de una capa de vidrio.
PDF original: ES-2625771_T3.pdf
Método de fabricación de un transistor de película fina.
(19/03/2014) Método de fabricación de un transistor de película fina de tipo puerta inferior que utiliza un semiconductor de óxido amorfo InxGayZnz como capa de canal, en el que el semiconductor de óxido amorfo contiene In, Ga y Zn en una proporción atómica de InxGayZnz, la densidad de masa M [g/cm3] del semiconductor de óxido amorfo satisface la expresión siguiente:
M ³ 0,94 x (7,121x + 5,941y + 5,675z)/(x+y+z)
en la que 0< x £ 1, 0< y £ 1, 0< z £ 1, y
en el que dicho canal se prepara mediante un proceso de pulverización a una temperatura de formación de la película en el rango desde 150 oC hasta la temperatura de cristalización
ESTRUCTURA PARA AUMENTAR LA TENSION MAXIMA DE TRANSISTORES DE POTENCIA DE CARBURO DE SILICIO.
(16/07/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: COOPER, JAMES, ALBERT, JR. TAN, JIAN. Inventor/es: COOPER, JAMES, ALBERT, JR., TAN, JIAN.
SE PRESENTA UN TRANSISTOR DE POTENCIA DE COMPUERTA AISLADA DE CARBURO DE SILICIO QUE PRESENTA UNA TENSION MAXIMA MAYOR. EL TRANSISTOR INCLUYE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO O DE COMPUERTA AISLADA CON UNA REGION PROTECTORA ADYACENTE A LA COMPUERTA AISLADA QUE TIENE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA A LA DE LA FUENTE PARA PROTEGER EL MATERIAL AISLANTE DE LA COMPUERTA CONTRA EL EFECTO DE DEGRADACION O RUPTURA DE UNA GRAN TENSION APLICADA A TRAVES DEL DISPOSITIVO. EL DISPOSITIVO INCLUYE OPCIONALMENTE UNA CAPA INTENSIFICADORA DE LA CORRIENTE QUE TIENE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA A LA DE LA REGION PROTECTORA Y SE COLOCA ENTRE LA REGION PROTECTORA Y OTRA REGION DEL TRANSISTOR CON EL PRIMER TIPO CONDUCTIVIDAD.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTOR DE ALTA FRECUENCIA Y ALTA POTENCIA FORMADO DE CARBURO DE SILICIO.
(01/03/2003) SE PRESENTA UN TRANSISTOR DE ALTA POTENCIA, DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTOR, Y DE ALTA FRECUENCIA QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO DE CARBURO DE SILICIO DE CRISTAL SIMPLE EN BRUTO , UNA PRIMERA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO DE CONDUCTIVIDAD TIPO P FORMADA SOBRE EL SUBSTRATO, Y UNA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO DE TIPO N FORMADA SOBRE LA PRIMERA CAPA EPITAXIAL. LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL TIENE DOS CAVIDADES SEPARADAS QUE ESTAN DEFINIDAS RESPECTIVAMENTE POR CONCENTRACIONES MAYORES DE MATERIAL DE SOPORTE DE IONES DOPANTES DE TIPO N DE LAS QUE ESTAN PRESENTES EN EL RESTO DE LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL. UNOS CONTACTOS OMICOS…
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, AUTOALINEADO, PARA APLICACIONES DE ALTA FRECUENCIA.
(16/07/2002). Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es: ALLEN, SCOTT, T.
SE REVELA UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SEMICONDUCTOR METALICO (MESFET) QUE MUESTRA UNA RESISTENCIA DE FUENTE REDUCIDA Y FRECUENCIAS DE OPERACION SUPERIORES. EL MESFET COMPRENDE UNA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO Y UNA ZANJA DE PUERTA EN LA CAPA EPITAXIAL QUE EXPONE UNA SUPERFICIE DE PUERTA DE CARBURO DE SILICIO ENTRE LOS DOS BORDES RESPECTIVOS DE LA ZANJA. UN CONTACTO DE PUERTA SE REALIZA PARA LA SUPERFICIE DE PUERTA Y CON LA ZANJA DEFINE ADEMAS LAS REGIONES DE ORIGEN Y DE DRENAJE DEL TRANSISTOR. LAS SUPERFICIES METALICAS OHMICAS RESPECTIVAS FORMAN CONTACTOS OHMICOS SOBRE LAS REGIONES DE ORIGEN Y DRENAJE DE LA CAPA EPITAXIAL, Y LOS BORDES DE LAS CAPAS DE METALICAS EN LA ZANJA ESTAN ESPECIFICAMENTE ALINEADOS CON LOS BORDES DE LA CAPA EPITAXIAL EN LA ZANJA.
METODO DE OBTENCION DE PASIVACION DE DIOXIDO DE SILICIO DE ALTA CALIDAD SOBRE CARBURO DE SILICIO.
(01/06/2001). Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es: PALMOUR, JOHN, W.
UN METODO PARA OBTENER CAPAS DE PASIVACION DE GRAN CALIDAD, SOBRE SUPERFICIES DE CARBURO DE SILICIO, MEDIANTE OXIDACION DE UNA CAPA SACRIFICIAL DE UN MATERIAL QUE CONTIENE SILICIO, SOBRE UNA PORCION DE CARBURO DE SILICIO, DE UNA ESTRUCTURA DE DISPOSITIVO, PARA CONSUMIR SUSTANCIALMENTE LA CAPA SACRIFICIAL Y OBTENER UNA CAPA DE PASIVACION DE OXIDO SOBRE LA PORCION DE CARBURO DE SILICIO QUE ESTA SUSTANCIALMENTE LIBRE DE ADULTERANTES QUE, DE OTRO MODO, DEGRADARIAN LA INTEGRIDAD ELECTRICA DE LA CAPA DE OXIDO. LA OXIDACION DE LA CAPA SACRIFICIAL SE OBTIENE PREFERENTEMENTE MEDIANTE OXIDACION TERMICA. LA PORCION DE CARBURO DE SILICIO PUEDE SER CARBURO DE SILICIO DEL TIPO P, QUE ES ALUMINIO IMPURIFICADO.
