(07/09/2016) Célula fotovoltaica con heterounión que comprende un sustrato de un material semiconductor dopado, en la que: - una primera cara principal (1A) de dicho sustrato está recubierta sucesivamente de una capa de pasivación (2A), de una capa (3A) de un material semiconductor dopado del tipo opuesto al del sustrato , que forma el emisor de dicha célula, y de un electrodo (4A), - la segunda cara principal (1B) de dicho sustrato está recubierta sucesivamente de una 10 capa de pasivación (2B), de una capa (3B) de un material semiconductor dopado del mismo tipo que el sustrato, que forma un campo repulsivo (BSF) para los portadores minoritarios del sustrato, y de un electrodo (4B), estando dicha célula caracterizada por que: - el material de la capa de pasivación (2A) en el lado de emisor (E) se selecciona…

(25/12/2013) Célula fotovoltaica que comprende una heterounión entre un sustrato semiconductor cristalino de un primer tipo de conductividad y una primera capa amorfa , sobre una primera cara del sustrato, del mismo material semiconductor y de un segundo tipo de conductividad, opuesto al primero y que presenta un nivel de dopaje comprendido entre 1.1019 y 1.1022 átomos/cm3, estando recubierta la segunda cara del sustrato, opuesta a la primera cara, por una tercera capa amorfa del mismo material que el sustrato y del mismo tipo de conductividad, con un nivel de dopaje comprendido entre 1.1019 y 1.1022 átomos/cm3, caracterizada porque comprende además una segunda capa amorfa del mismo tipo de conductividad que la primera capa y que presenta un nivel de dopaje comprendido…

(16/04/2013) Célula fotovoltaica que incluye un substrato a base de semiconductor de un primer tipo de conductividad que incluye dos caras principales paralelas entre sí, comprendiendo el substrato una pluralidad de orificios ciegos cuyas aberturas están dispuestas a nivel de una sola de las dos caras principales, estando los orificios ciegos rellenos con un semiconductor de un segundo tipo de conductividad opuesta al primer tipo de conductividad, que forma el emisor de la célula fotovoltaica , formando el substrato la base de la célula fotovoltaica , caracterizada porque la célula fotovoltaica incorpora además, sobre la cara principal del substrato que incluye las aberturas de los orificios ciegos , primeros dedos de colecta a base de al menos un semiconductor del segundo tipo de conductividad, en contacto con el emisor…

(22/08/2012) Un dispositivo fotovoltaico de película delgada obtenido mediante: a) proporcionar una capa primera de un semiconductor de calcopirita de un tipo de dopaje primero; b) depositar una capa segunda de un óxido de cinc intrínseco mediante deposición química en fase vapor dela capa primera, y c) depositar una capa tercera de un semiconductor de óxido de cinc, de un tipo de dopaje segundo opuesto altipo de dopaje primero, mediante deposición por pulverización catódica sobre la capa segunda.

(04/04/2012) Método de fabricación de una célula solar a partir de un sustrato de silicio multicristalino tipo n, comprendiendo en secuencia: - proporcionar el sustrato de silicio multicristalino tipo n con un lado anterior y un lado posterior, siendo el lado anterior el lado de luz incidente; - difundir fósforo en ambos lados de dicho sustrato para constituir una capa de difusión de fósforo en dicho lado anterior y una capa de difusión de fósforo en dicho lado posterior; - depositar una película dieléctrica que comprende hidrógeno sobre dicha capa de difusión de fósforo en dicho lado posterior - eliminar dicha capa de difusión de fósforo en dicho lado anterior; - texturizar dicho lado anterior de dicho sustrato, después de la eliminación de dicha capa de difusión de fósforo, y a continuación - depositar una película delgada de silicio tipo…

(29/03/2010) Un dispositivo fotovoltaico basado en diseleniuro de cobre-indio (CIS) que comprende: una capa de absorción solar basada en CIS que comprende cobre, indio y selenio formada sobre un sustrato que incluye una capa de silicona formada a partir de una composición de silicona y una capa de lámina metálica : en el que dicha composición de silicona comprende una resina de silicona caracterizada por tener: 1) al menos uno de RSiO3/2 o SiO4/2; y 2) al menos uno de HRSiO2/2 o HR2O1/2; en la que R se selecciona del grupo de un grupo hidrocarbilo de C1 a C10 libre de instauración alifática, un grupo hidrocarbilo sustituido con…

(16/12/1998) ESTA INVENCION SE REFIERE A UNA CELULA SOLAR DE SILICIO POLICRISTALINO NO CARA QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA POLICRISTALINA DE GRAN DIMENSION DE GRANO CULTIVADA SOBRE UN SUSTRATO DE SILICIO DE NIVEL DE METAL DE BAJO COSTE, Y UN PROCESO PARA SU PRODUCCION. LA CELULA SOLAR DE SILICIO POLICRISTALINO COMPRENDE UN SUSTRATO DE SILICIO DE NIVEL DE METAL 101, UNA CAPA DE OXIDO DE METAL 102 FORMADA SOBRE ESTA Y UNA CAPA DE SILICIO POLICRISTALINO 105 FORMADO SOBRE LA CAPA DE OXIDO DE METAL. EL PROCESO PARA PRODUCIR LA CELULA SOLAR DE SILICIO POLICRISTALINO COMPRENDE LOS PASOS DE I) DEPOSICION DE CAPA DE OXIDO DE METAL 102 SOBRE UN SUSTRATO DE SILICOI DE NIVEL DE METAL 101, II) DEPOSICION D UNA CAPA DE SILICIO 103 SOBRE LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE OXIDO DE METAL, III) DEPOSICION DE UNA CAPA DE TAPA 104 SOBRE LA SUPERFICIE DE LA…