(18/06/2013) Célula solar que comprende una capa semiconductora con un primer dopado, una capa inductora dispuesta sobre la capa semiconductora y una capa de inversión o capa de acumulación ,inducida por la capa inductora en la capa semiconductora , por debajo de la capa inductora ,estando hecha la capa inductora esencialmente por completo con un material con una densidad decarga superficial de al menos 1012 cm-2, preferentemente de al menos 5·1012 cm-2, de forma especialmentepreferente de al menos 1013 cm-2, caracterizada porque la capa inductora está dispuesta directamentesobra la capa semiconductora .

(30/05/2012) Un procedimiento para fabricar un recubrimiento de bajo índice basado en dióxido de silicio, comprendiendoel procedimiento: formar un precursor de dióxido de silicio que comprende un sol de dióxido de silicio que comprende un silanoy/o una dióxido de silicio coloidal; depositar el precursor de dióxido de silicio sobre un sustrato de cristal para formar una capa de recubrimiento;curar y/o hornear la capa de recubrimiento en un horno a una temperatura de aproximadamente 550 a 700 °C durante aproximadamente entre 1 a 10 minutos; formar una composición de tratamiento superficial que comprende ácido octadecilo fosfónico; depositar la composición de tratamiento superficial sobre la capa…

(02/05/2012) Procedimiento para el tratamiento de células solares , que muestran sobre un lado superior una capa activa con una capa antirreflejo encima, con las etapas: - producir varias cavidades en la capa antirreflejo mediante láser (20a), que llegan hasta la capa activa dedebajo, - introducir material de contacto sólo en las cavidades o sobre el fondo de las cavidades , - caldeamiento (20b) o calentamiento del material de contacto en las cavidades para la unión con el material de la capa activa colindante , con lo cual el calentamiento o caldeamiento del material de contacto tiene lugar localmente sólo en el material decontacto en las cavidades por radiación sólo del material de contacto con un láser (20b).

(24/04/2012) Procedimiento para el grabado de capas de pasivación y antirreflectantes de nitruro de silicio sobre una célula solar de silicio, caracterizado porque una sustancia de grabado en forma de pasta imprimible contiene un ácido fosfórico o sus sales se aplica en una etapa de procedimiento en toda la superficie o selectivamente sobre las zonas de la superficie a grabar y se calienta a una temperatura en el intervalo de 250 a 350 º C durante 30 a 120 segundos.

(18/04/2012) Sustrato (1, 1') con función de vidrio que contiene metales alcalinos, que comprende una primera cara principal destinada a asociarse con una capa a base de un material absorbente, de tipo calcopirita, y una segunda cara principal, comprendiendo al menos una porción de superficie de la primera cara principal del sustrato (1') una capa conductora a base de molibdeno, una capa de barrera frente a los metales alcalinos que no está interpuesta entre la capa conductora a base de molibdeno y la primera cara principal del sustrato (1'), caracterizado porque comprende sobre al menos una porción de superficie de la segunda…

(07/03/2012) Procedimiento para la dotación selectiva de silicio de un sustrato de silicio para la producción de una transición-pn en el silicio con las siguientes etapas: a) provisión de la superficie del sustrato de silicio con un agente de dotación basado en fósforo, b) calentamiento siguiente del sustrato de silicio para la generación de un cristal de silicato de fósforo sobre la superficie del silicio, en el que se difunde al mismo tiempo fósforo en el interior del silicio como primera dotación , c) aplicación de una máscara sobre el cristal de silicato de fósforo , de tal manera que la máscara cubre…

(02/03/2012) Un módulo de células solares que comprende: . un superestrato de vidrio , . una caja de conexiones , . células solares del tipo oblea interconectadas dispuestas en posiciones predeterminadas con relación al superestrato en una capa de adhesivo de silicona, . una capa de acabado de encapsulante de silicona dispuesta para proteger las obleas y conducciones eléctricas que unen obleas adyacentes revestidas de tal modo que dichas conducciones se pueden unir adicionalmente en un material de capa dorsal o el encapsulante de silicona para formar un cierre integral.

(16/07/2005) 1. Módulo solar fotovoltaico mejorado compacto que incorpora a su diseño la posibilidad de servir de elemento práctico en configuraciones arquitectónicas como techos acristalados, bóvedas traslúcidas, paredes decorativas, etc, así como el poder ser utilizado como ventanal o puerta con movimiento giratorio o abatible con características para tolerar esfuerzos mecánicos de uso continuado y a su vez actuar como excelente aislamiento térmico y acústico y subministrar, sin merma de sus otras funciones, energía eléctrica producida por la radiación solar incidente sobre el plano del elemento; se caracteriza por estar compuesto de los siguientes elementos: El módulo está formado por un conjunto de células obleas de silicio semiconductor que pueden ser, según el proceso, mono, amorfo o policristalino, recubiertas por una capa exterior que dispone…

(16/10/2004) UN DISEÑO CELULAR SOLAR MEJORADO Y METODO DE FABRICACION QUE PRIMERAMENTE USA DOS MATERIALES, SILICIO Y ALUMINIO IMPURIFICADOS DEL TIPO N PARA FORMAR UNA CELULA SOLAR DE CONTACTO POSTERIOR DE UNION DE ALEACION P-N. LA UNIONES DE ALEACION DE ALUMINIO SON COLOCADAS EL LADO POSTERIOR (NO ILUMINADO) DE LA CELULA, POR MEDIO DE LAS CUALES SE COMBINAN LAS CARACTERISTICAS DESEABLES DE ALUMINIO (COMO UN DOPANTE, METAL DE CONTACTO Y REFLECTOR DE LUZ), CON LAS VENTAJAS DE UNA CELULA DE CONTACTO POSTERIOR. EL DISEÑO CELULAR Y EL METODO DE FABRICACION INCLUYE TALES CARACTERISTICAS COMO TEXTURIZACION DE LA SUPERFICIE, ESPEJOS PORTADORES MINORITARIOS DEL CAMPO DE LA SUPERFICIE DELANTERA Y TRASERA, PASIVACION DE LA SUPERFICIE USANDO CAPAS DE OXIDACION, USO DE CONTACTOS AI COMO REFLECTORES DE LUZ, PROTECCION INTRINSECA CONTRA POLARIZACION IVERSA DEBIDO…

(01/07/1997) UN REVESTIMIENTO ANTIRREFRACCION DE BANDA ANCHA, DE CUATRO CAPAS, SE FORMA SOBRE UNA SUPERFICIE RECEPTORA DE LUZ, DE UN FOTODETECTOR DE ANTIMONIDE (INSB) DE INDIO PARA HACER POSIBLE LA DETECCION DE LUZ EN LONGITUDES DE ONDA VISIBLES Y DE RAYOS INFRARROJOS. LAS CAPAS (30A, 30B, 30C, 30D) TIENEN CADA UNA UN GROSOR OPTICO DE, APROXIMADAMENTE, UN CUARTO DE LONGITUD DE ONDA, EN UNA LONGITUD DE ONDA DE REFERENCIA DE 1'6 MICRONES. LOS INDICES DE REFRACCION DE LAS CAPAS (30A, 30B, 30C, 30D) ESTAN ESCALONADOS EN DISMINUCION, DESDE LA SUPERFICIE , TENIENDO VALORES APROXIMADOS DE 3'2 / 2'6 / 1'9 / 1'45 RESPECTIVAMENTE. LA SEGUNDA CAPA (30B) ESTA FORMADO PREFERENTEMENTE POR SUBOXIDO DE SILICIO (SIOO…

(01/08/1996) LA CABEZA OPTICA FOTODETECTORA CONSISTE EN UN DISPOSITIVO ACTIVO , UN CIRCUITO IMPRESO Y UN CONECTOR OPTICO , QUE SE ENCUENTRAN CONTENIDAS EN UN ENCAPSULADO Y A SU VEZ ALINEADOS DE FORMA TAL QUE LOS EJES DE LAS FIBRAS OPTICAS FORMAN UN CIERTO ANGULO AL CON LA PERPENDICULAR A LA ZONA ACTIVA DE UNOS FOTODIODOS DUALES , EFECTUANDOSE LA CONEXION ELECTRICA DEL CONECTOR OPTICO AL CONJUNTO FORMADO POR EL DISPOSITIVO ACTIVO Y EL CIRCUITO IMPRESO MEDIANTE TECNOLOGIA "FLIP-CHIP", DISPONIENDO EL DISPOSITIVO ACTIVO DE TRES DETECTORES OPTICOS BALANCEADOS PROCESADOS SOBRE UN UNICO CHIP Y A SU VEZ ESTANDO FORMADO CADA UNO DE ELLOS POR DOS FOTODIODOS DUALES , CONECTADOS EN SERIE Y ALIENADOS A SENDAS FIBRAS OPTICAS MONOMODO QUE ILUMINAN A LOS FOTODIODOS DUALES POR LA CARA OPUESTA A LOS TERMINALES DE SALIDA DE…

(01/10/1995) SE DESCRIBE UN PROCESO PARA LA PRODUCCION DE UNA CAPA ABSORBENTE DE ALEACION TERNARIA PARA PILAS SOLARES, UTILIZANDO UNA TECNICA DE ELECTRODEPOSICION. SE DEPOSITA UNA ALEACION BINARIA EN UN SUSTRATO DE UNA SOLUCION DE IONES DE ELEMENTOS QUE PERTENECEN AL PRIMER Y TERCER SUBGRUPOS DE LA TABLA PERIODICA, MIENTRAS QUE AL MISMO TIEMPO SE INCORPORA EN LA ALEACION UNA SUSPENSION MUY FINA EN EL BAÑO GALVANICO DE POLVO DE UN ELEMENTO DE SEXTO GRUPO PRINCIPAL DE LA TABLA PERIODICA, A MODO DE UNA DISPERSION MUY FINA MEDIANTE UNA ELECTROLISIS DE DISPERSION. A CONTINUACION, EJ. UNA REACCION QUIMICA TERMICA DE COMO RESULTADO…