PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UNA CAPA ABSORBENTE PARA CELULAS SOLARES CON LA AYUDA DE TECNICA DE DEPOSICION GALVANICA.
SE DESCRIBE UN PROCESO PARA LA PRODUCCION DE UNA CAPA ABSORBENTE DE ALEACION TERNARIA PARA PILAS SOLARES,
UTILIZANDO UNA TECNICA DE ELECTRODEPOSICION. SE DEPOSITA UNA ALEACION BINARIA EN UN SUSTRATO DE UNA SOLUCION DE IONES DE ELEMENTOS QUE PERTENECEN AL PRIMER Y TERCER SUBGRUPOS DE LA TABLA PERIODICA, MIENTRAS QUE AL MISMO TIEMPO SE INCORPORA EN LA ALEACION UNA SUSPENSION MUY FINA EN EL BAÑO GALVANICO DE POLVO DE UN ELEMENTO DE SEXTO GRUPO PRINCIPAL DE LA TABLA PERIODICA, A MODO DE UNA DISPERSION MUY FINA MEDIANTE UNA ELECTROLISIS DE DISPERSION. A CONTINUACION, EJ. UNA REACCION QUIMICA TERMICA DE COMO RESULTADO UN COMPUESTO QUIMICO DEL TIPO I-III-VI SUB 2. ESTE PROCEDIMIENTO EVITA LAS DIFICULTADES QUE TENIAN LUGAR EN LOS PROCESOS DE ELECTRODEPOSICION HASTA AHORA EXISTENTES, EN PARTICULAR LA DEPOSICION DE CUINSE SUB 2, EN PARTICULAR LAS DIFICULTADES OCASIONADAS POR LA INESTABILIDAD DE BAÑOS TERNARIOS. SE OBTIENEN MEJORES RESULTADOS SI LAS CAPAS DE CUIN BINARIAS SE ELECTRODEPOSITAN BIEN, Y SE INCORPORAN EN ELLA. SE MUY DISPERSO MEDIANTE UNA ELECTROLISIS DE DISPERSION COMO EN LA INVENCION.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: YAZAKI CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 4-28, MITA 1-CHOME, MINATO-KU TOKYO 108.
Inventor/es: BONNET, DIETER, DR., EHRHARDT, JOSEF, HEWIG, GERT.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 9 de Septiembre de 1991.
Fecha Concesión Europea: 24 de Mayo de 1995.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0216 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Revestimientos (H01L 31/041 tiene prioridad).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Oficina Europea de Patentes, Japón, Estados Unidos de América.
Patentes similares o relacionadas:
Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor con una capa de pasivación y dispositivo semiconductor correspondiente, del 15 de Julio de 2020, de Hanwha Q.CELLS GmbH: Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento: - puesta a disposición […]
Célula solar y método de fabricación de células solares, del 15 de Enero de 2020, de SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.: Una célula solar que comprende un sustrato de silicio dopado con galio que tiene una unión p-n formada en el mismo, en el que el sustrato de silicio […]
Módulo fotovoltaico, del 11 de Diciembre de 2019, de National Taiwan University of Science and Technology: Un módulo fotovoltaico , que comprende un panel solar , en que: un elemento aislante reflectante y una placa están dispuestos en […]
Celda solar y método de fabricación de la misma, del 13 de Noviembre de 2019, de ASM International N.V: Un método de fabricación de una celda solar que tiene una vida útil (Γef). efectiva del portador de carga minoritaria de al menos 500 ms, comprendiendo dicho […]
Procedimiento para la fabricación de una célula solar, del 28 de Agosto de 2019, de International Solar Energy Research Center Konstanz E.V: Procedimiento para la fabricación de una célula solar a partir de silicio cristalino, en cuyo sustrato en una primera superficie (3a) está […]
Recubrimiento absorbente selectivo para la radiación y tubo absorbente con recubrimiento absorbente selectivo para la radiación, del 21 de Agosto de 2019, de SCHOTT SOLAR AG: Recubrimiento absorbente selectivo para la radiación para tubos absorbentes de colectores cilíndricos parabólicos , que se aplica sobre el lado externo de […]
Método de revestimiento de cobre para la fabricación de celdas solares, del 8 de Mayo de 2019, de MacDermid Enthone America LLC: Un método de revestimiento de cobre sobre un sustrato que comprende: proporcionar un sustrato, en donde el sustrato es una capa semilla metálica […]
Método para fabricar una célula solar y dispositivo de fabricación de película, del 8 de Mayo de 2019, de SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.: Un método para fabricar una célula solar que tiene una superficie receptora de luz, que comprende las etapas de: formar una capa de difusión de tipo […]