CIP-2021 : H01L 21/68 : para el posicionado, orientación o alineación.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/68 · · para el posicionado, orientación o alineación.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo de almacenamiento de artículos en atmósfera controlada.
(02/11/2016) Dispositivo de almacenamiento de artículos en atmósfera controlada, que comprende:
- al menos un módulo de almacenamiento apto para acoger los artículos que haya que almacenar; módulo de almacenamiento provisto de al menos un estante para situar los artículos;
- medios de llegada de gas al interior del citado módulo; y
- medios de evacuación del gas fuera del citado al menos un módulo,
- siendo el citado al menos un módulo de almacenamiento de forma sensiblemente paralelepipédica, y teniendo dos paredes sensiblemente verticales y opuestas y entre las cuales se extienden el o los estantes, y
- permitiendo los citados medios de llegada de gas la inyección del gas en la parte…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(04/06/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de:
irradiar un sustrato semiconductor , que tiene una lamina pegada al mismo mediante una capa de resina de pegado de plaquetas , con luz laser (L) mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada ; y
expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada , a fin de cortar el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada ,
caracterizado por el hecho de que la lamina es expandida tirando de una porcion periferica de la lamina hacia…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de irradiar un sustrato semiconductor con luz láser mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor, con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, y se causa que la región modificada forme una parte destinada a ser cortada; y
expandir una lámina después de la etapa de formar la parte destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que está destinada a ser cortada, en el que la lámina está pegada al sustrato…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al mismo con luz laser mientras se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; y
expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, a fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada
caracterizado…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(02/04/2014) Un procedimiento de procesamiento por láser para cortar un objeto a procesar que incluye un sustrato semiconductor y unos dispositivos funcionales dispuestos en el sustrato,
comprendiendo el procedimiento las etapas de pegar una película protectora a una cara delantera del objeto en el lado de los dispositivos funcionales, irradiar el objeto con luz láser mientras se usa una cara trasera del objeto como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor,
causando que la región modificada forme una región de inicio de corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende cortar el objeto,
en el que una película expansible es…
Procedimiento de mecanizado de una plaquita.
(08/01/2014) Procedimiento para mecanizar una plaquita, que lleva con preferencia componentes en una cara (anverso),caracterizado por los pasos siguientes:
- aplicar un material polimérico de capa sobre el anverso, dicho material polimérico de capa consta por lo menos deuna capa viscoelástica que tiene las propiedades siguientes:
• alcanzar una tensión de cizallamiento por lo menos de 1000 Pa en el ensayo de intervalos temporales decizallamiento a una temperatura de 20ºC y un intervalo de cizallamiento de 100 Pa/min, sin que el materialviscoelástico empiece a fluir,
• una viscosidad compleja eta* inferior a 50000 Pas en el ensayo de cizallamiento oscilante (DMA) en latemperatura de aplicación y una frecuencia de 0,01 s-1,
•…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(01/01/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de:
irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa deresina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor , y causando que la regiónmodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada;
generar una tensi6n en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despuesde la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lolargo de la parte…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara delantera formada con un dispositivo funcional a lo largo de una línea de corte , comprendiendo el procedimiento las etapas de:
irradiar el sustrato semiconductor con luz láser mientras se usa una cara trasera del sustrato semiconductor como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una región modificada, y hacer que la región modificada forme una región de inicio de corte dentro del sustrato semiconductor dentro de la superficie de entrada de la luz láser a…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara frontal formada con unapluralidad de dispositivos funcionales para dividirlo en ca 5 da uno de dichos dispositivos funcionales, comprendiendoel procedimiento las etapas de:
pegar una lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor por medio de una capa de resina depegado de plaquetas ;
después del pegado de la lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor , formar una regiónprocesada fundida dentro del sustrato semiconductor irradiando el sustrato semiconductor con luz lásermientras se utiliza una cara frontal del sustrato semiconductor como una superficie de…
Tipo de ventosa sin contacto.
(21/08/2013) Una ventosa del tipo sin contacto, que comprende un cuerpo principal que tiene un agujero de suministro deaire comprimido formado en una parte central del mismo, y una superficie ensanchada hacia fuera formada en unextremo inferior del agujero de suministro; una guía de aire montada en el cuerpo principal que tiene un rebaje de flujo de entrada central que comunica con el agujero de suministro, al menos una trayecto de circulación quees formado desde el rebaje de flujo de entrada a través de una superficie de pared, y un agujero de succión deforma anular que se extiende desde una superficie inferior entre una superficie inferior de una parte central de laguía de aire y una superficie inferior de una parte exterior de la guía de aire , cuyo agujero de succión está conectado…
Procedimiento de desmontaje de obleas, dispositivo de desmontaje de obleas, y máquina de desmontaje y transferencia de obleas.
(28/03/2012) Procedimiento de liberación de obleas en el cual se libera la oblea más superior de un laminado de oblea obtenido por laminado de muchas o una pluralidad de obleas, que comprende las etapas de:
presionar la oblea más superior a lo largo de una dirección de un eje desplazado un ángulo en el intervalo de 15 a 75 grados desde un eje de la línea de hábito del cristal de la oblea más superior en sentido horario o antihorario;
doblar hacia arriba la parte periférica de la oblea posición más superior para producir un esfuerzo de flexión en la oblea más superior en la dirección del eje desplazado por el ángulo;
introducir un fluido en un espacio entre la superficie inferior de la oblea más superior y la superficie superior…
DISPOSITIVO PARA EL DEPOSITO DE SUSTRATOS.
(01/03/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: ASTEC HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH. Inventor/es: NIESE, MATTHIAS, FRANZKE, JIRG, SCHWECKENDIEK, JURGEN.
El dispositivo para el depósito de substratos (S), especialmente obleas o substratos de silicio para la fabricación de elementos fotovoltaicos, con dos paredes opuestas , donde al menos están previstos dos soportes en forma de barras conectados a las paredes , donde los soportes están previstos para mantener los substratos (S) afianzados en una posición vertical, paralela a las paredes , mediante piezas de parada , muestra que se ha previsto al menos un contra- soporte con forma de barra conectado a ambas paredes , que está colocado, con respecto a los soportes , de tal forma, que limita un movimiento vertical de los substratos (S) con respecto a las paredes , y una carga o descarga de los substratos (S) de forma oblicua con respecto a la dirección vertical (V) es posible.
SISTEMA DE ALINEAMIENTO DE OBLEAS Y DE LECTURA DE MICROCODIGOS DE BARRAS Y DE MARCAS EN CHIPS CON LASER.
(16/03/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUP. INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: LOZANO FANTOBA,MANUEL, PERELLO GARCIA,CARLES, ENRICH SARD,XAVIER, SANTANDER VALLEJO,JOAQUIN.
Sistema de alineamiento de obleas y de lectura de microcódigos de barras y de marcas en chips con láser. La invención es un sistema para leer marcas del tamaño de micras en obleas de semiconductor, adaptable a estaciones de prueba para medirlas. Estas pueden ser códigos de barras conteniendo información o marcas especiales para el alineamiento de los ejes de los chips en la oblea con respecto a los ejes de movimiento X e Y de la estación. Consiste en un sistema lector láser de los utilizados en reproductores de CD y permite resolución de micrómetros. El sistema de lectura está fijo y es la oblea, gracias a los motores de la estación de pruebas, quién se mueve. Las ventajas son su simplicidad, puede adaptarse a cualquier estación de pruebas existente y resulta muy barato. Además permite la lectura de microcódigos de barras, conteniendo información relevante de cada chip.
SOPORTE DE OBLA ELECTROSTATICO CON REALIMENTACION DINAMICA.
(01/11/2003) LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN SISTEMA DE SOPORTE ELECTROSTATICO PARA SUJETAR DE FORMA SEGURA UNA OBLEA SOBRE UNA SUPERFICIE DEL SOPORTE ELECTROSTATICO , SISTEMA QUE CONSTA DE UN SENSOR DE SESGO DE OBLEAS ACOPLADO A UNA PRIMERA PARTE DEL SOPORTE ELECTROSTATICO PARA DETECTAR UNA SEÑAL CORRIENTE ELECTROSTATICA ALTERNANTE EN LA PRIMERA PARTE. EL SENSOR PRODUCE COMO RESULTADO, EN RESPUESTA A LA SEÑAL DE CORRIENTE ALTERNANTE, UN NIVEL DE TENSION DE CORRIENTE DIRECTA QUE REPRESENTA UN NIVEL DE SESGO DE CORRIENTE DIRECTA DE LA OBLEA, Y ESTA ACOPLADO A UNA FUENTE DE ENERGIA VARIABLE QUE PROPORCIONA UN PRIMER NIVEL DE POTENCIAL A LA PRIMERA PARTE DEL SOPORTE ELECTROSTATICO. EL PRIMER NIVEL DE POTENCIAL SE MODIFICA, EN RESPUESTA AL NIVEL DE TENSION DE CORRIENTE DIRECTA, PARA…
MORDAZA CON PARTE DE SOMBRA.
(01/01/2001). Solicitante/s: LAM RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: LENZ, ERIC HOWARD, BRUMBACH, HENRY.
UN ELEMENTO DE PINZADO DE LAMINA PARA PINZAR UNA LAMINA EN UNA CAMARA DE REACCION DE PLASMA. EL ELEMENTO TIENE UN DISEÑO QUE MINIMIZA LA CONTAMINACION DE PARTICULAS DE LA LAMINA Y QUE PERMITE PROCESAR MAS LAMINAS ANTES QUE SEA NECESARIO LA LIMPIEZA DE DEPOSITOS ACUMULADOS EN EL ELEMENTO DE PINZA . EL ELEMENTO INCLUYE UNA PARTE DE PINZA QUE PINZA UNA PERIFERIA EXTERNA DE LA LAMINA CONTRA UN ELECTRODO INFERIOR , Y UNA PARTE ENCUBIERTA QUE PROPORCIONA UN HUECO ENTRE UN BORDE INTERNO DEL ELEMENTO DE PINZA Y LA SUPERFICIE SUPERIOR DE LA LAMINA . EL HUECO ESTA ABIERTO HACIA EL INTERIOR DE LA CAMARA DE REACCION DE PLASMA, Y POSEE PREFERIBLEMENTE UNA ALTURA IGUAL A APROXIMADAMENTE EL CURSO LIBRE MEDIO DE UN GAS ACTIVADO PARA FORMAR UN PLASMA EN LA CAMARA DE REACCION DE PLASMA.
COMPONENTE ELECTRICO DE PELICULA FINA.
(16/05/1996) UN COMPONENTE ELECTRICO DE PELICULA FINA BIOCOMPATIBLE SE CONFIGURA PARA SU USO EN UN CUERPO HUMANO U OTRO AMBIENTE LIQUIDO IONICO. UN SUBSTRATO DE POLIIMIDO SE ENRROLLA A UNA PLATINA DE CRISTAL PORTADORA DE UN TAMAÑO ADECUADO PARA SER MANEJADA POR UN EQUIPO AUTOMATICO Y UN CONDUCTOR DE METAL MULTI-CAPA SE DEPOSITA SOBRE EL SUBSTRATO CON UNA DISPOSICION QUE DEFINE UN CIRCUITO ELECTRICO O BIOSENSOR. EL POLIIMIDO Y EL CRISTAL ESTABLECEN UNA UNION ENTRE AMBOS QUE SOPORTA SU MANEJO, INCLUSO CUANDO SE ROMPE USANDO TECNICAS Y AGENTES DE LIBERACION BIOCOMPATIBLES. EL SUBSTRATO DE POLIIMIDO Y LA PLATINA DE CRISTAL PORTADORA TIENEN PREFERIBLEMENTE PROPIEDADES DE EXPANSION TERMICA SIMILARES PARA REDUCIR EL PELIGRO DE FRACTURA O LOS PROBLEMAS DE LAMINACION DURANTE LA LIBERACION DEL SUBSTRATO DE LA PLATINA PORTADORA. UNA CAPA AISLANTE CUBRE EL CONDUCTOR…
ELEMENTO DE SOPORTE PARA TRANSPORTAR CIRCUITOS HIBRIDOS EN UN HORNO REFUSOR.
(16/10/1994). Solicitante/s: MARELLI AUTRONICA S.P.A.. Inventor/es: SCARANO, GIUSEPPINA, FANTINATI, GABRIELE.
EL ELEMENTO DE SOPORTE INCLUYE UN ENTRAMADO CUADRANGULAR DE UN MATERIAL METALICO, A PARTIR DE LOS VERTICES EXTERIORES DE LO CUAL SE EXTIENDEN CUATRO APENDICES DE SOSTEN ADAPTADOS PARA SER DISPUESTOS EN LAS TABLILLAS DEL TRANSPORTADOR Y CERCA DE CUYOS VERTICES INTERIORES ESTAN PREDISPUESTAS CUATRO AREAS ENTRANTES DE FORMA SEMILUNAR DISEÑADAS PARA RECIBIR Y SOPORTAR LOS BORDES O ESQUINAS DEL SUSTRATO DE UN CIRCUITO.
TRATAMIENTO DE OBLEAS SEMICONDUCTORAS.
(01/04/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: FELDMAN, MARTIN.
UN MANGUITO PARA MANTENER UNA PIEZA (TAL COMO UNA LAMINA DE SEMICONDUCTOR) EN EL VACIO QUE COMPRENDE UNA SUPERFICIE CURVADA . EMPALMANDO LOS EJES DE LA PIEZA Y MANTENIENDO SU PARTE POSTERIOR CONTRA LA SUPERFICIE CURVADA LA PARTE FRONTAL DE LA MISMA PUEDE SER ESTABLECIDA EN UNA RELACION EQUIDISTANTE PRECISA CON RESPECTO A LA SUPERFICIE DE REFERENCIA. ESTE MANGUITO ES ADECUADO PARA MANTENER LAMINAS QUE VAN A SER LITOGRAFIADAS EN ALTA RESOLUCION POR UN HAZ DE ELECTRONES, UNA HAZ DE IONES O UN HAZ DE RAYOS X.
