SOPORTE DE OBLA ELECTROSTATICO CON REALIMENTACION DINAMICA.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN SISTEMA DE SOPORTE ELECTROSTATICO PARA SUJETAR DE FORMA SEGURA UNA OBLEA (108) SOBRE UNA SUPERFICIE DEL SOPORTE ELECTROSTATICO (302),
SISTEMA QUE CONSTA DE UN SENSOR (400) DE SESGO DE OBLEAS ACOPLADO A UNA PRIMERA PARTE DEL SOPORTE ELECTROSTATICO PARA DETECTAR UNA SEÑAL CORRIENTE ELECTROSTATICA ALTERNANTE EN LA PRIMERA PARTE. EL SENSOR PRODUCE COMO RESULTADO, EN RESPUESTA A LA SEÑAL DE CORRIENTE ALTERNANTE, UN NIVEL DE TENSION DE CORRIENTE DIRECTA QUE REPRESENTA UN NIVEL DE SESGO DE CORRIENTE DIRECTA DE LA OBLEA, Y ESTA ACOPLADO A UNA FUENTE DE ENERGIA VARIABLE (412) QUE PROPORCIONA UN PRIMER NIVEL DE POTENCIAL A LA PRIMERA PARTE DEL SOPORTE ELECTROSTATICO. EL PRIMER NIVEL DE POTENCIAL SE MODIFICA, EN RESPUESTA AL NIVEL DE TENSION DE CORRIENTE DIRECTA, PARA MANTENER DE FORMA SUSTANCIAL UNA PRIMERA DIFERENCIA DE POTENCIAL PREDEFINIDA ENTRE LA PRIMERA PARTE DEL SOPORTE ELECTROSTATICO Y UNA PRIMERA REGION DE LA OBLEA QUE SE SUPERPONE A LA PRIMERA PARTE, CON INDEPENDENCIA DE LA MAGNITUD DEL SESGO DE LA CORRIENTE DIRECTA DE LA OBLEA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: LAM RESEARCH CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 4650 CUSHING PARKWAY,FREMONT, CA 94538-6470.
Inventor/es: JAFARIAN-TEHRANI, SEYED, JAFAR, JONES, PHILLIP, L., ATLAS, BORIS, V., CHEN LIU, DAVID, R., TOKUNAGA, KEN, E., CHEN, CHING-HWA.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 19 de Marzo de 1997.
Fecha Concesión Europea: 26 de Febrero de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/68 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › para el posicionado, orientación o alineación.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Irlanda, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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