CIP-2021 : H01L 29/78 : estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/78 · · · · · estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación.
(03/06/2020) Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación, con dicho dispositivo semiconductor que comprende:
- un sustrato semiconductor que tiene una región activa y una región de terminación;
- un canal de terminación ubicado en la región de terminación y que se extiende desde un límite de la región activa hacia un borde del sustrato semiconductor ;
- una puerta MOS formada en una pared lateral del canal de terminación adyacente a dicho límite ;
- una capa de óxido de estructura de terminación formada en el canal de terminación y que cubre parcialmente la puerta MOS ;
…
Semiconductor de potencia no uniforme y método de fabricación.
(07/05/2019) Un dispositivo semiconductor transistor bipolar de puerta aislada comprendiendo:
una pastilla semiconductora con un área activa comprendiendo un conjunto de celdas activas ;
una primera parte del área activa compuesta por celdas (K) conforme con los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados determinan las dimensiones físicas de cada celda (K) de la primera parte del área activa , y donde la primera parte constituye la parte central del área activa ;
una segunda parte del área activa compuesta por celdas (M) conforme con los segundos parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los segundos parámetros de diseño…
Dispositivo semiconductor de puerta aislada de potencia de conmutación rápida.
(27/04/2016). Solicitante/s: AMBIXTRA (PTY) LTD. Inventor/es: VISSER, BAREND, DE JAGER,OCKER CORNELIS.
Un dispositivo de puerta aislada que comprende una fuente conectada a un terminal de fuente de una puerta conectado a un terminal de puerta y medios de capacitancia de entrada que proporcionan la capacidad de entrada (CG) entre el terminal de puerta y el terminal de fuente, los medios de capacidad de entrada comprendiendo o bien un condensador en serie entre la puerta y el terminal de puerta o una capa de aislamiento que tiene un espesor suficiente (dins) entre la puerta y un canal del dispositivo de tal manera que cuando el dispositivo es conmutado entre un estado apagado y un estado encendido, una relación de (Cfiss/Ciiss) entre un valor final de la capacitancia de entrada (Cfiss) cuando el dispositivo está encendido y un valor inicial de la capacitancia de entrada (Ciiss) cuando el dispositivo está apagado es de 1 < Cfiss/Ciiss <2,0.
PDF original: ES-2578678_T3.pdf
ESTRUCTURA PARA AUMENTAR LA TENSION MAXIMA DE TRANSISTORES DE POTENCIA DE CARBURO DE SILICIO.
(16/07/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: COOPER, JAMES, ALBERT, JR. TAN, JIAN. Inventor/es: COOPER, JAMES, ALBERT, JR., TAN, JIAN.
SE PRESENTA UN TRANSISTOR DE POTENCIA DE COMPUERTA AISLADA DE CARBURO DE SILICIO QUE PRESENTA UNA TENSION MAXIMA MAYOR. EL TRANSISTOR INCLUYE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO O DE COMPUERTA AISLADA CON UNA REGION PROTECTORA ADYACENTE A LA COMPUERTA AISLADA QUE TIENE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA A LA DE LA FUENTE PARA PROTEGER EL MATERIAL AISLANTE DE LA COMPUERTA CONTRA EL EFECTO DE DEGRADACION O RUPTURA DE UNA GRAN TENSION APLICADA A TRAVES DEL DISPOSITIVO. EL DISPOSITIVO INCLUYE OPCIONALMENTE UNA CAPA INTENSIFICADORA DE LA CORRIENTE QUE TIENE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA A LA DE LA REGION PROTECTORA Y SE COLOCA ENTRE LA REGION PROTECTORA Y OTRA REGION DEL TRANSISTOR CON EL PRIMER TIPO CONDUCTIVIDAD.
CELULA DE MEMORIA EEPROM FLASH DE PUERTA DIVIDIDA DE DOBLE BIT (DSG) AUTOALINEADA.
(16/01/2004) UNA ESTRUCTURA DE CELULA EEPROM INCLUYE DOS TRANSISTORES DE PUERTA FLOTANTE SEPARADOS POR UN TRANSISTOR SELECTOR DE PUERTA SIENDO COMPARTIDO EL TRANSISTOR SELECTOR, DURANTE LA PROGRAMACION, LA LECTURA, Y EL BORRADO DE UN TRANSISTOR DE PUERTA FLOTANTE, POR LOS DOS TRANSISTORES DE PUERTA FLOTANTE. LAS PUERTAS FLOTANTES (20B, 22B) DE LOS DOS TRANSISTORES SE FORMAN A PARTIR DE UNA PRIMERA LAMINA DE POLISILICEO, LAS PUERTAS DE CONTROL (20 C, 22C) DE LOS DOS TRANSISTORES SE FORMAN A PARTIR DE UNA SEGUNDA LAMINA DE POLISILICEO, Y LA PUERTA DE SELECCION (24A) ESTA FORMADA A PARTIR DE UNA TERCERA LAMINA DE POLISILICEO. LA LONGITUD DEL CANAL (24G) DEL TRANSISTOR SELECTOR ESTA COMPLETAMENTE AUTOALINEADA CON LOS TRANSISTORES DE PUERTA FLOTANTE . UNA LINEA DE PALABRAS SE FORMA SOBRE LAS PUERTAS DE CONTROL Y FORMA LA PUERTA DE SELECCION. LA LINEA DE PALABRAS …
FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/08/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: TOTEM SEMICONDUCTOR LTD. Inventor/es: EVANS, JONATHAN LESLIE.
UN METODO PARA FORMAR UN FOSO DOPADO COMO PARTE DE LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TAL COMO UN DISPOSITIVO DE POTENCIA CON PUERTA DE FOSO, TRANSISTOR LOGICO O CELDA DE MEMORIA. SE FORMA UN FOSO EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR USANDO UNA MASCARA . EL FOSO ESTA PARCIALMENTE RELLENO CON UN MATERIAL DE ELECTRODO Y SE DOPAN LAS PAREDES DEL FOSO CON LA MASCARA TODAVIA PUESTA.
PROCEDIMIENTO DE UTILIZACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UN SUSTRATO QUE TIENE UN ISLOTE SEMICONDUCTOR DIELECTRICAMENTE AISLADO.
(16/02/2001) LA ZONA DE OCUPACION Y EL GROSOR DE ESTRUCTURAS DE TRANSISTOR EN ISLOTES AISLADOS DIELECTRICAMENTE, QUE EMPLEAN UN SUBCOLECTOR ENTERRADO PARA SUMINISTRAR UNA RESISTENCIA DE COLECTOR BAJA EN EL FONDO DEL ISLOTE, SE REDUCEN MEDIANTE LA CONFECCION DE LA CONCENTRACION DE LAS IMPUREZAS DE UNA ZONA DE ISLOTE DE GROSOR REDUCIDO PARA PROPORCIONAR UN PASO DE CORRIENTE DE RESISTENCIA BAJA DESDE LA LOCALIZACION DE UN ISLOTE , DIRECTAMENTE POR DEBAJO DE LA REGION BASE AL CONTACTO DE COLECTOR . EL SUSTRATO DE SOPORTE ES DESVIADO A UN VOLTAGE QUE ES MENOR QUE EL VOLTAGE DEL COLECTOR, DE TAL MANERA QUE LA PARTE DEL ISLOTE DE COLECTOR DIRECTAMENTE…
ELECTRODO PARA DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y METODO PARA LA PRODUCCION DEL MISMO.
(16/10/1997). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: OHZU, HAYAO, CANON KABUSHIKI KAISHA, KOCHI, TETSUNOBU, CANON KABUSHIKI KAISHA.
SE PRESENTA UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON ELEMENTOS FUNCIONALES MUY PEQUEÑOS, QUE SE PUEDE CONSTRUIR UTILIZANDO LOS COMPONENTES MINIMOS NECESARIOS SIN NINGUN AREA DE SUPERFICIE INNECESARIA, SIENDO ASI CAPAZ DE REDUCIR SIGNIFICATIVAMENTE EL AREA DE DISTRIBUCION Y ADAPTADA PARA LOGRAR UNA GEOMETRIA FINA Y UN ALTO NIVEL DE INTEGRACION. EL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TIENE UNA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA DE UN PRIMER TIPO CONDUCTIVO (POR EJEMPLO UN POZO P) Y UNA SEGUNDA AREA SEMICONDUCTORA COLOCADA ENCIMA O DEBAJO DE LA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA Y QUE TIENE UN SEGUNDO TIPO CONDUCTIVO DIFERENTE DEL PRIMER TIPO CONDUCTIVO (POR EJEMPLO UN AREA GENERADORA O DE CONSUMO DE ENERGIA) EN QUE SE FORMA UN ELECTRODO CONECTADO A LA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA A TRAVES DE LA SEGUNDA AREA SEMICONDUCTORA Y LA PRIMERA Y LA SEGUNDA AREAS SEMICONDUCTORAS SON CORTOCIRCUITEADAS POR EL ELECTRODO ARRIBA MENCIONADO.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS QUE USAN TECNOLOGIA DE SEPARADOR LATERAL.
(16/05/1997). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHITTIPEDDI, SAILESH, CHEN, MIN-LIANG, KOOK, TAEHO, POWELL, RICHARD ALLYN, KUMAR ROY, PRADIP.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS QUE USAN TECNOLOGIA DE SEPARADOR LATERAL. LA PLACA BASE DE SEPARADORES DE ALTA CALIDAD, TALES COMO AQUELLOS QUE SE USAN SOBRE LOS LATERALES DE LA CADENA DE AISLADORES DE COMPUERTA DE DISPOSITIVOS SUBMICRONALES (POR EJEMPLO MOSFETS, EPROMS) SE FORMAN COMO ESTRUCTURAS MULTICAPA COMPUESTAS DE OXIDOS DE SILICIO O DE OXIDOS DE SILICIO Y NITRURO DE SILICIO.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/04/1997) SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO AISLANTE METALICO (MISFET) , CONSTRUIDO COMO UNA HETEROESTRUCTURA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DE APERTURA DE BANDA ESTRECHA IN1-XALXSB.EL MISFET ESTA FORMADO POR CUATRO CAPAS SEMICONDUCTORAS (112 A 118) SITUADAS EN SERIE COMO SIGUE: UNA PRIMERA CAPA TIPO-P FUERTEMENTE BARNIZADA , UNA SEGUNDA CAPA TIPO-P DE APERTURA DE BANDA RELATIVAMENTE AMPLIA FUERTEMENTE BARNIZADA , UNA TERCERA CAPA TIPO-P LIGERAMENTE BARNIZADA , Y UNA CUARTA CAPA TIPO-N FUERTEMENTE BARNIZADA .EN LA CUARTA CAPA SE SITUAN UNA FUENTE Y UN CONDUCTO ; EN LA TERCERA CAPA SE SITUA UNA APERTURA (116/205); ENTRE LAS CAPAS TERCERA Y CUARTA SE INCLUYE UNA…
INTERRUPTOR MOS BIDIRECCIONAL.
(01/07/1994). Solicitante/s: ASEA BROWN BOVERI AB. Inventor/es: SVEDBERG, PER.
SE PRODUCE UN INTERRUPTOR MOS BIDIRECCIONAL EN UNA CAPA SEMICONDUCTORA (POR EJEMPLO, SILICE) DISPUESTA SOBRE UNA BASE AISLANTE (POR EJEMPLO ZAFIRO). EL INTERRUPTOR TIENE DOS PARTES DE CONTACTO PRINCIPALES IMPURIFICADAS (3A,3B). ENTRE ESTAS REGIONES EL INTERRUPTOR TIENE UNA PARTE ABSORBENTE DE VOLTAJE QUE CONSTA DE UNA PACA DEBILMENTE IMPURIFICADA , SITUADA CERCA DE LA SUPERFICIE DE LA CAPA SEMICONDUCTORA, QUE TIENE EL MISMO TIPO DE CONDUCTIVIDAD QUE LAS PARTES DE CONTACTO PRINCIPALES, Y UNA CAPA DEBILMENTE IMPURIFICADA SITUADA CERCA DE LA BASE, DE TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO. ENTRE CADA UNA DE LAS ZONAS DE CONTACTO (3A,3B) Y LA CAPA DEBILEMNTE IMPURIFICADA SITUADAS CERCA DE LA SUPERFICIE, SE HALLAN DISPUESTAS NORMALMENTE UNAS ESTRUCTURAS MOS NO CONDUCTORAS. CONTROLANDO SIMULTANEAMENTE LAS DOS ESTRUCTURAS MOS HACIA UN ESTADO CONDUCTOR, EL INTERRUPTOR SE HACE CONDUCTOR Y PUEDE LLEVAR CORRIENTE HACIA UNA DIRECCION OPCIONAL ENTRE LOS CONTACTOS PRINCIPALES.
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO.
(16/03/1993). Solicitante/s: ADVANCED MICRO DEVICES INC.. Inventor/es: LIU, YOW-JUANG, CAGNINA, SALVATORE.
SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO DE EFECTO DE CAMPO DE UN TRANSISTOR GEOMETRICO Y METODO DE FABRICACION. EL FET PUEDE SER OPERADO DESDE UN POTENCIAL DE POLARIZACION QUE FORMA UN CAMPO ELECTRICO ENTRE EL DISPOSITIVO EXCEDIENDO UNA PREDETERMINADA INTENSIDAD DE CAMPO. EL APARATO COMPRENDE UNA PORCION DE SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD, QUE TIENE UNA SUPERFICIE PRINCIPAL Y UNA REGION DE UN SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD ADYACENTE A LA SUPERFICIE PRINCIPAL Y ADAPTADO PARA RECIBIR EL PREDETERMINADO POTENCIAL DE POLARIZACION, LA REGION INCLUYE UNA SUBREGION DE IGUAL TIPO DE CONDUCTIVIDAD Y MENOR CONDUCTIVIDAD, LA SUBREGION ESTA SITUADA ENTRE LA REGION PARA RECIBIR AL MENOS ESA PORCION DEL CAMPO ELECTRICO DIPLO INCLUYENDO Y EXCEDIENDO EL VALOR PREDETERMINADO.
DISPOSITIVO DE CARGA ACOPLADA.
(16/09/1990). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN. Inventor/es: PATHUIS, JAN WILLEM, SMIT, THEODORUS FERNAND.
EL INVENTO SE REFIERE A UN DISPOSITIVO DE CARGA ACOPLADA, EN EL QUE EL CANAL ESTA PROVISTO DE DOS O MAS REGIONES DE SEPARACION PARA OBTENER LA SUBDIVISION DE CARGA DESEADA, POR EJEMPLO PARA UN FILTRO TRANSVERSAL. DEBIDO A LA ASIMETRIA DE LA DISTRIBUCION DE POTENCIAL ENTRE LOS SUBCANALES EXTERNOS Y LOS SUBCANALES CENTRALES, TIENE LUGAR UN AJUSTE EN LA DISTRIBUCION DE CARGA QUE, DE ACUERDO CON EL INVENTO, ESELIMINADA EN SU MAYOR PARTE AL DOTAR LOCALMENTE DE UNA INTERRUPCION A LOS CANALES DE SEPARACION QUE LIMITAN CON LOS CANALES EXTERNOS.
DISPOSITIVO DE MEMORIA DINAMICA Y METODO PARA FABRICARLO.
(01/11/1988). Ver ilustración. Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: CHAU-CHUN LU, NICKY.
DISPOSITIVO DE MEMORIA DINAMICA Y METODO PARA FABRICARLO, EN DONDE EL DISPOSITIVO COMPRENDE UN SUSTRATO DE SILICIO MONOCRISTALINO PB, UN CONDENSADOR DE DEPRESION, UNA CAPA DE SILICIO EPITAXIAL MONOCRISTALINO, UN TRANSISTOR DE ACCESO Y UNA REGION DE SILICIO POLICRISTALINO NB, MIENTRAS QUE EL METODO COMPRENDE SITUAR UNA DEPRESION EN EL SUSTRATO, HABILITAR UNA PELICULA DE SIO2/SI3N4/SIO2 PARA AISLAR EL CONDENSADOR, SOBREPONER AL SILICIO POLICRISTALINO UNA DELGADA CAPA DE SIO2, APLICAR UNA CAPA DE SILICIO EPITAXIAL P SOBRE EL SUSTRATO Y LA CAPA DE SIO2, Y COLOCAR EL TRANSISTOR DE ACCESO ENCIMA DEL CONDENSADOR, CONECTANDO UN MATERIAL IMPURIFICADO NB LA REGION DE FUENTE DEL TRANSISTOR CON EL SILICIO POLICRISTALINO Y PUDIENDO DISPONERSE UNA REGION P IMPURIFICADA ENCIMA DE LA SUPERFICIE DE LA DEPRESION. EL INVENTO ES APLICABLE A MEMORIAS ELECTRONICAS DINAMICAS DE ACCESO ALEATORIO.
