CIP-2021 : C23C 14/28 : por energía electromagnética o por radiación corpuscular (C23C 14/32 - C23C 14/48 tienen prioridad).
CIP-2021 › C › C23 › C23C › C23C 14/00 › C23C 14/28[3] › por energía electromagnética o por radiación corpuscular (C23C 14/32 - C23C 14/48 tienen prioridad).
Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento.
C23C 14/28 · · · por energía electromagnética o por radiación corpuscular (C23C 14/32 - C23C 14/48 tienen prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Paneles de baja emisividad con una capa dieléctrica de óxido metálico ternario y método para formar los mismos.
(04/12/2019). Solicitante/s: Guardian Glass, LLC. Inventor/es: BLACKER,RICHARD, LU,Yiwei, LAO,JINGYU, DING,GUOWEN, SUN,ZHI-WEN, HASSAN,MOHD FADZIL ANWAR, LE,HIEN MINH HUU, NGUYEN,MINH ANH.
Un método para formar un panel de baja emisividad que comprende:
proporcionar un sustrato transparente;
formar una capa de oxinitruro metálico sobre el sustrato transparente, en donde la capa de oxinitruro metálico comprende un primer elemento, un segundo elemento y un tercer elemento, en donde el primer elemento es distinto del segundo elemento y del tercer elemento, y en donde el segundo elemento es distinto del tercer elemento, y en donde el primer elemento comprende estaño o zinc, y el segundo elemento y el tercer elemento comprenden cada uno, uno de estaño, zinc, antimonio, silicio, estroncio, titanio, niobio, circonio, magnesio, aluminio, itrio, lantano, hafnio o bismuto; y
formar una capa reflectante sobre el sustrato transparente.
PDF original: ES-2774261_T3.pdf
ELEMENTO FUNGIBLE PARA BOMBARDEO CON PARTÍCULAS, CONJUNTO DE DISPOSITIVO DE BOMBARDEO CON PARTÍCULAS Y ELEMENTO FUNGIBLE Y PROCEDIMIENTO DE DETERMINACIÓN DEL PATRÓN DE GRABADO POR BOMBARDEO DE PARTÍCULAS DE UN BLANCO.
(06/10/2016) Elemento fungible provisto de un blanco para bombardeo con partículas destinado a realizar deposición física de capa delgada en fase vapor sobre un sustrato , comprendiendo el elemento fungible una capa de base sobre la que está depositado el blanco , estando el blanco destinado a ser pulverizado por el bombardeo con partículas, en el que el blanco está constituido por al menos una capa en la que se define una pluralidad de zonas (xi, yi) con espesor promedio (ej(xi, yi)) variable entre las zonas (xi, yi), estando los espesores promedio (ej(xi, yi)) de cada zona (xi, yi) dimensionados para que, en unas condiciones de bombardeo determinadas, todas las zonas (xi, yi)…
Elemento fungible para bombardeo con partículas y procedimiento de determinación de grabado de dicho elemento.
(30/09/2016) Elemento fungible para bombardeo con partículas y procedimiento de determinación de grabado de dicho elemento.
Elemento fungible provisto de un blanco para bombardeo con partículas destinado a realizar deposición física de capa delgada en fase vapor sobre un sustrato , comprendiendo el elemento fungible una capa de base sobre la que está depositado el blanco , estando el blanco destinado a ser pulverizado por el bombardeo con partículas, en el que el blanco está constituido por al menos una capa en la que se define una pluralidad de zonas (xi, yi) con espesor promedio (ei(xi, yi))…
Método para depositar un material.
(19/04/2012) Método para depositar un material de una diana sobre una superficie de una muestra, método que comprende las etapas de:
- Irradiar una superficie de la diana con un rayo láser o de electrones para generar un penacho de partículas del material diana;
- Posicionar la muestra cerca del penacho, tal que las partículas del material diana se depositen sobre la superficie de la muestra;
- Hacer girar la muestra alrededor de un eje de rotación que es perpendicular a la superficie de la muestra sobre las cual se depositan las partículas;
- Mover el rayo láser o de electrones a lo largo de la superficie de la diana, tal que el penacho se mueva en una dirección…
CUERPO DE ÓXIDO SINTERIZADO, PELÍCULA TRANSPARENTE CONDUCTORA DE ÓXIDO Y MÉTODO PARA SU FABRICACIÓN.
(08/07/2011) Cuerpo de óxido sinterizado para una placa de fuente de evaporación que contiene óxido de indio y donde está contenido tungsteno en solución sólida, de forma que la proporción atómica entre el tungsteno y el indio es de 0,001 a 0,034 y la densidad está entre 4,0 g/cm 3 y 5,9 g/cm 3 , no conteniendo el cuerpo de óxido sinterizado ninguna fase metálica y presentando un tamaño medio de grano cristalino inferior o igual a 10 μm
PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE REDES DE DIFRACCION DE FASE EN UN SUSTRATO MEDIANTE ABLACION LASER DE UN BLANCO.
(27/05/2011) La invención se refiere a un procedimiento de obtención de redes de difracción de fase en un sustrato mediante ablación láser de un blanco , siendo definido un patrón de red de difracción de fase mediante medios informáticos. El procedimiento propuesto consta de las etapas de focalizar un haz de un láser en un blanco en un área de trabajo para la ablación de dicho blanco , orientar mediante un conjunto de galvanómetros el haz para realizar el patrón de red de difracción de fase sobre el blanco , homogeneizar el haz con la ayuda de una lente de campo plano para lograr una densidad de potencia homogénea en el área de trabajo. Con este procedimiento, la red de difracción de fase se puede realizar en una única fase, sin la presencia de elementos externos, siendo un procedimiento no contaminante, sencillo, rápido y preciso
PROCESO DE DEPOSICION LASER.
(18/05/2010) Un sistema para aplicar una capa de material a la superficie exterior de una pieza de trabajo, que comprende:
una fuente de haz de rayo láser capaz de producir un haz de rayo láser;
un soporte que comprende un substrato substancialmente transparente al láser, y una capa de material de impresión que revista al substrato substancialmente transparente al láser;
un actuador del movimiento del soporte capaz de mover al soporte en relación al haz de rayo láser;
un actuador del movimiento de la pieza de trabajo capaz de mover a la pieza de trabajo en relación al haz de rayo láser;
un controlador acoplado al actuador del movimiento del soporte, al actuador del movimiento de la pieza de trabajo, y…
PROCEDIMIENTO PARA LA DECORACION EN BAJO RELIVE DE MATERIALES CERAMICOS, PORCELANICOS Y VIDRIO Y PRODUCTO OBTENIDO.
(11/11/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: MAXIMINO PORTALES,JOSE. Inventor/es: MAXIMINO PORTALES,JOSE.
Procedimiento para la decoración en bajo relieve de materiales cerámicos, porcelánicos y vidrio y producto obtenido.
La presente invención se refiere a un procedimiento para la decoración de materiales cerámicos, vidrio y porcelánico en bajo relieve caracterizado porque comprende al menos las siguientes etapas:
- arenado de la zona a decorar con un control de profundidad,
- vitrificado superficial de la zona tratada en el paso anterior, y
- deposición por PVD,
así como a las baldosas decoradas cerámicas, porcelánicas y de vidrio obtenidas mediante el mismo.
METODO DE DEPOSICION DE PELICULA Y APARATO DE DEPOSICION DE PELICULA.
(16/11/2006) Método de deposición de película para formar una película esparciendo un material de deposición desde una superficie de un material seleccionado y depositando el material de deposición esparcido sobre una superficie de un sustrato , comprendiendo el método: - una fase que consiste en disponer dicho sustrato y dicho material seleccionado de manera que la superficie de dicho sustrato forme ángulo con la superficie del material seleccionado ; y - una fase de deposición que consiste en formar dicha película sobre dicho sustrato de manera que el área de la superficie de dicha película aumenta continuamente en dirección bidimensional, mientras que al mismo tiempo la posición relativa de dicho sustrato se desplaza…
PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE CAPAS FUNCIONALES DE METAL, CERAMICA O CERAMICA/METAL EN LA PARED INTERNA DE CUERPOS HUECOS.
(01/11/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: DAIMLERCHRYSLER AG. Inventor/es: POMPE, WOLFGANG, BEYER, STEFFEN, DIETSCH, REINER, MAI, HERMANN.
SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA CONSEGUIR CAPAS FUNCIONALES DE METAL, CERAMICA O CERAMICA/METAL SOBRE LA PARED INTERNA DE CUERPOS HUECOS UTILIZANDO EL PROCEDIMIENTO DE LA DEPOSICION POR LASER PULSADO (PLD), UTILIZANDOSE EN COMBINACION CON UN TRATAMIENTO DE CAPA FINA POR LASER DENSIDADES DE CORRIENTE DE ENERGIA Y DE MATERIA COMO FUNCION DE LA SEPARACION DE LAS ZONAS DE CONDENSACION DE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, UTILIZANDOSE IMPULSOS DE LASER CON ENERGIAS DE 1 - 2 JULIOS EN TASAS DE IMPULSOS DE REPETICION DE 10 HZ HASTA 50 HZ, Y FORMANDOSE UN REVESTIMIENTO DIRECTO INTERNO SEGUN LA LONGITUD DEL IMPULSO ELEGIDO Y LA ATMOSFERA DE GAS RESIDUAL EN LA CAMARA DE SEDIMENTACION EN VACIO MEDIANTE CORRIENTE DE PLASMA UNA ESTRUCTURA TIPICA EN CAPAS, VIDRIOSA - AMORFA, COLUMNAR O POLICRISTALINA, Y ESTANDO FORMADO EL MATERIAL DE LA CAPA O EL MATERIAL DIANA TANTO POR SUSTANCIAS CONDUCTORAS COMO TAMBIEN POR SUSTANCIAS AISLANTES.
DISPOSITIVO PARA RECUBRIR UNA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO.
(01/02/2001) DISPOSITIVO CONTENIENDO UNA CAMARA DE VACIO 30 Y UN SUSTRATO 10 COLOCADO DENTRO Y UN CRISOL DE EVAPORACION 22 LLENO CON MATERIALES INORGANICOS 24. EN EL LUGAR DE LA CAMARA DE VACIO 30 HAY UN CAÑON DE HAZ DE ELECTRONES O DE LASER 26, CUYO HAZ DE ELECTRONES O DE LASER 27 SE DIRIGE SOBRE EL CRISOL DE EVAPORACION. EL DISPOSITIVO SIRVE PARA RECUBRIR UNA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO 18, COMO P. E. UNA HOJA DE PLASTICO, CON UNA CAPA DE NANOMETROS DE ESPESOR, DE MATERIALES INORGANICOS, COMO P. E. OXIDOS DE SILICIO, POR EVAPORACION DE LOS MATERIALES INORGANICOS 24. EL HAZ DE ELECTRONES O DE LASER 27 DEL CAÑON DE HAZ DE ELECTRONES O DE RAYOS LASER…
INSTALACION DE RECUBRIMIENTO EN VACIO CON UNA CAMARA DE RECUBRIMIENTO Y AL MENOS UNA CAMARA DE ALIMENTACION.
(16/05/2000) LA INVENCION TRATA DE UN DISPOSITIVO EN PARTICULAR PARA UN EVAPORADOR DE DESCARGA EN ARCO DE VACIO INDUCIDO POR LASER PARA DEPOSITAR MULTIPLES CAPAS CON ELEVADA PUREZA Y ELEVADAS TASAS DE DEPOSICION SOBRE PIEZAS DE GRAN TAMAÑO. DE ACUERDO CON LA INVENCION SE ENCUENTRA LA ALIMENTACION DEL MATERIAL PARA EL MATERIAL DE RECUBRIMIENTO EN UNA CAMARA DE ALIMENTACION, QUE SE PUEDE SEPARAR Y SE PUEDE DEJAR AL VACIO DE MANERA ESTANCA CON RESPECTO A LA CAMARA DE RECUBRIMIENTO, EN LA CUAL SE ENCUENTRA SITUADO EL SUSTRATO QUE SE VA A RECUBRIR. EL EVAPORADOR PUEDE, EN PARTICULAR, UTILIZARSE PARA LA DEPOSICION DE CAPAS DE CARBONO AMORFO QUE NO LLEVAN HIDROGENO Y…
METODO DE MEJORA DE LA OSTEOINTEGRACION DE IMPLANTES DE FIJACION OSEA.
(01/01/1999). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE VIGO EROTHITAN TITANIMPLANTATE AG I. G. EURO TRS KLOKNER IMPLANTES AB BONE SYSTEM. Inventor/es: POU SARACHO,JUAN MARIA, PEREZ-MARTINEZ Y PEREZ-AMOR,MARIANO JESUS, GONZALEZ FERNANDEZ,PIO MANUEL, ARIAS OTERO,JORGE LUIS, MAYOR LEIROS,MERCEDES BELEN, LEON FONG,BETTY MIREYA, GARCIA SANZ, FRANCISCO JOSE.
LA OSTEOINTEGRACION DE IMPLANTES DE FIJACION OSEA PUEDE SER MEJORADA MEDIANTE UNA SERIE DE TRATAMIENTOS DE SU SUPERFICIE. ESTOS TRATAMIENTOS COMPRENDEN UN PROCESO DE LIMPIEZA Y PASIVADO, LA APLICACION DE UN RECUBRIMIENTO EN EL SISTEMA CA-P-H-O-C MEDIANTE LA TECNICA DE LA ABLACION LASER Y UN PROCESO DE ESTERILIZACION POR IRRADIACION. LA FLEXIBILIDAD DE ESTE METODO PERMITE CONTROLAR LAS PROPIEDADES FISICO-QUIMICAS DE LA SUPERFICIE RESULTANTE PUDIENDO SER ADAPTADAS A LAS DEL HUESO EN EL QUE VA A SER IMPLANTADO.
DISPOSITIVO Y PROCESO PARA LA EVAPORACION DE MATERIAL EN VACIO, DISPOSICION DE ARCO DE PLASMA ASI COMO UTILIZACION DEL PROCESO.
(01/03/1997). Solicitante/s: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: BERGMANN, ERICH, DR., RUDIGIER, HELMUT, DR.
EL OBJETIVO DE ESTA INVENCION ES LLEGAR A PRODUCIR LA INFLAMACION EN UN ARCO DE EVAPORACION, DE AL MENOS MATERIAL FUNDIDO EN SU SUPERFICIE COMO CONSECUENCIA DE LA EVAPORACION, ASI COMO SU ESTABILIZACION Y SU CONTROL. PARA ELLO SE PREVEE DE UN CAÑON DE RADIACION ELECTRONICA O DE UN LASER, PARA LA GENERACION DE UNA NUBE DE VAPOR LOCAL O UNAS MANCHAS DE MATERIAL PREFUNDIDO SOBRE LA SUPERFICIE OBJETO, Y CON ELLO PRODUCIR LA INFLAMACION DE MANCHA DE ARCO O RESPECTIVAMENTE SU CONTROL.
RECUBRIMIENTOS DE NITRURO DE SILICIO PRODUCIDOS MEDIANTE LAMPARA EXCIMERA DE DESCARGA SILENCIOSA.
(01/11/1995). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE VIGO. Inventor/es: POU SARACHO,JUAN MARIA, PEREZ-MARTINEZ Y PEREZ-AMOR,MARIANO JESUS, GONZALEZ FERNANDEZ,PIO MANUEL, GARCIA PARADA,EDUARDO, SERRA RODRIGUEZ,JULIA, LEON FONG,BETTY MIREYA, FERNANDEZ FERNANDEZ, MARIA DOLORES.
RECUBRIMIENTOS DE NITRURO DE SILICIO PRODUCIDOS MEDIANTE LAMPARA EXCIMERA DE DESCARGA SILENCIOSA. RECUBRIMIENTOS DE NITRURO DE SILICIO PUEDEN SER APLICADOS SOBRE DIFERENTES MATERIALES Y COMPONENTES POR MEDIO DE UN METODO BASADO EN LA DEPOSICION QUIMICA A PARTIR DE VAPOR INDUCIDA POR LAMPARA (LAMP-CVD). LA FLEXIBILIDAD DE ESTE METODO PERMITE CONTROLAR LAS PROPIEDADES FISICO-QUIMICAS DE LOS RECUBRIMIENTOS, SIENDO DE ESPECIAL APLICACION EN LOS CAMPOS DE LA MICROELECTRONICA, OPTOELECTRONICA, CELULAS SOLARES Y PROTECCION DE MATERIALES.
