CIP-2021 : H01L 33/00 : Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz;
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
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Notas[n] de H01L 33/00: - Este grupo cubre los diodos de emisión de luz [LEDs] o diodos superluminiscentes [SLDs], incluyendo LEDs o SLDs que emiten luz infrarroja [IR] o luz ultravioleta [UV].
- En este grupo, se aplica la regla del primer lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, la clasificación se realiza en el primer lugar apropiado
H01L 33/02 · caracterizados por los cuerpos de semiconductores.
H01L 33/04 · · con una estructura de efecto cuántico o super-red, p. ej. unión túnel.
H01L 33/06 · · · dentro de la región electroluminiscente, p. ej. estructura de confinamiento o barrera túnel.
H01L 33/08 · · con una pluralidad de regiones electroluminiscentes, p. ej. capa de emisión de luz lateralmente discontinua o región fotoluminiscente integrada en el cuerpo de semiconductores (H01L 27/15 tiene prioridad).
H01L 33/10 · · con una estructura reflectante, p. ej. reflector de Bragg de semiconductor.
H01L 33/12 · · con una estructura de relajación de esfuerzo, p. ej. capa tope.
H01L 33/14 · · con una estructura de control de transporte de carga, p. ej. capa semiconductora altamente dopada o estructura de bloqueo de corriente.
H01L 33/16 · · con una estructura cristalina o una orientación particular, p. ej. policristalina, amorfa o porosa.
H01L 33/18 · · · dentro de la región electroluminiscente.
Notas[n] de H01L 33/18: - Cuando se clasifica en este grupo, se clasifica también en el grupo H01L 33/26 o en alguno de sus subgrupos con el objeto de identificar la composición química de la región electroluminiscente.
H01L 33/20 · · con una forma particular, p. ej. sustrato curvado o truncado.
H01L 33/22 · · · Superficies irregulares o rugosas, p. ej. en la interfaz entre capas epitaxiales.
H01L 33/24 · · · de la región electroluminiscente, p. ej. unión de tipo no plana.
H01L 33/26 · · Materiales de la región electroluminiscente.
H01L 33/28 · · · que contienen únicamente elementos del grupo II y del grupo VI del sistema periódico.
H01L 33/30 · · · que contienen únicamente elementos del grupo III y del grupo V del sistema periódico.
H01L 33/32 · · · · que contienen nitrógeno.
H01L 33/34 · · · que contienen únicamente elementos del grupo IV del sistema periódico.
H01L 33/36 · caracterizados por los electrodos.
H01L 33/38 · · con una forma particular.
H01L 33/40 · · Materiales.
H01L 33/42 · · · Materiales transparentes.
H01L 33/44 · caracterizados por los revestimientos, p. ej. capa de pasivación o revestimiento anti-reflectante.
H01L 33/46 · · Revestimiento reflectante, p. ej. reflector de Bragg de dieléctricos.
H01L 33/48 · caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores.
Notas[n] de H01L 33/48: - Este grupo cubre elementos en contacto directo con el cuerpo de semiconductores o integrados con el empaquetamiento.
H01L 33/50 · · Elementos de conversión de longitud de onda.
H01L 33/52 · · Encapsulados.
H01L 33/54 · · · que tienen una forma particular.
H01L 33/56 · · · Materiales, p. ej. epoxy o resina de silicona.
H01L 33/58 · · Elementos ópticos para modificación del campo.
H01L 33/60 · · · Elementos reflectantes.
H01L 33/62 · · Disposiciones para llevar la corriente eléctrica a o desde el cuerpo de semiconductores, p. ej. leadframes, hilos de conexión o bolas de soldadura.
H01L 33/64 · · Elementos de extracción de calor o refrigerantes.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
DISPOSITIVOS ELECTROLUMINISCENTES.
(01/06/1995) UN DISPOSITIVO ELECTROLUMINESCENTE QUE CONSTA DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA EN LA FORMA DE UNA PELICULA DE POLIMERO DE DENSIDAD DELGADA QUE CONSTA AL MENOS DE UN POLIMERO CONJUGADO, UNA PRIMERA CAPA DE CONTACTO EN CONTACTO CON UNA PRIMERA SUPERFICIE DE LA CAPA SEMICONDUCTORA, Y UNA SEGUNDA CAPA DE CONTACTO EN CONTACTO CON UNA SEGUNDA SUPERFICIE DE LA CAPA SEMICONDUCTORA. LA PELICULA DE POLIMERO DE LA CAPA SEMICONDUCTORA TIENE UNA CONCENTRACION SUFICIENTEMENTE BAJA DE TRANSPORTADORES DE CARGA EXTRINSECA QUE AL APLICAR UN CAMPO ELECTRICO ENTRE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DE CONTACTO A LO LARGO DE LA CAPA SEMICONDUCTORA PARA CONVERTIR LA SEGUNDA CAPA DE CONTACTO EN POSITIVA EN RELACION A LA PRIMERA CAPA DE CONTACTO SE INYECTAN LOS TRANSPORTADORES DE CARGA EN LA CAPA SEMICONDUCTORA Y SE EMITE RADIACION…
ELEMENTO DE CONSTRUCCION OPTICA QUE PERMITE UN MONTAJE SUPERFICIAL.
(01/03/1995). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: WAITL, GUNTER, SCHELLHORN, FRANZ.
UN ELEMENTO DE CONSTRUCCION OPTICA PREPARADO PARA UN MONTAJE SUPERFICIAL, Y CON UNO O MAS EMISORES Y/O RECEPTORES TIENE QUE EMPLEARSE DE VARIAS FORMAS. SE PROVEE, PUES, DE AL MENOS DOS SUPERFICIES Y AL MENOS DOS CONEXIONES ELECTRICAS EN CADA SUPERFICIE , DE MODO QUE SIEMPRE UNA DE LAS DOS SUPERFICIES PUEDA SERVIR COMO SUPERFICIE DE MONTAJE.
MICRORESONADOR DE MODO SUSURRO.
(01/03/1995). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: MCCALL, SAMUEL LEVERTE.
DISPOSITIVO PARA EMISION ELECTROMAGNETICA DEPENDE DE LA REFLEXION INTERNA TOTAL, DE CAVITACION DE MODO DE GALERIA DE SUSURROS EN LA PERIFERIA DE UN ELEMENTO EN FORMA DE DISCO DE GROSOR POR DEBAJO DE LONGITUD DE ONDA. EL DISEÑO, QUE OPERA POR ENCIMA DE UN UMBRAL DE ACCION LASER, ES ALTERNATIVO AL DEL LASER DE EMISION DE SUPERFICIE PARA INTEGRACION EN UN CIRCUITO INTEGRADO, BIEN TOTALMENTE OPTICO O ELECTRO-OPTICO. OPERANDO POR DEBAJO DEL UMBRAL, PUEDE UTILIZARSE COMO UN DIODO EMISOR DE LUZ.
ESTRUCTURA DE SEMICONDUCTOR DE ELEMENTO DE CUERDA.
(16/10/1994) UNA CUERDA DE ELEMENTO SEMICONDUCTOR TIENE UN NUMERO DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES , TENIENDO CADA UNO LOS PRIMEROS Y SEGUNDOS CONDUCTORES (14 Y 15) MONTADOS EN UNA PLACA TRANSVERSAL . LOS PRIMEROS CONDUCTORES SON CORTADOS DE LA PLACA TRANSVERSAL , CUANDO LA CUERDA DE ELEMENTO SEMICONDUCTOR TIENE QUE SER MONTADA EN EL TABLERO DE CIRCUITO IMPRESO . LOS SEGUNDOS CONDUCTORES CONECTADOS A LA PLACA TRANSVERSAL SIRVEN COMO LINEAS DE TIERRA PARA LOS RESPECTIVOS ELEMENTOS CONDUCTORES AL DOBLAR DOS EXTREMOS DISTALES DE LA PLACA TRANSVERSAL A SER MONTADOS EN EL TABLERO DE CIRCUITO IMPRESO . SE PROVEE UNA PIEZA DE UNION CRUZANDO SOBRE LAS PARTES MEDIAS DE LOS PRIMEROS Y SEGUNDOS CONDUCTORES…
LASER SEMICONDUCTOR DE DOBLE CANAL Y SU PROCESO DE REALIZACION.
(01/09/1994). Solicitante/s: ALCATEL CIT. Inventor/es: GOLDSTEIN, LEON, BRILLOUET, FRANCOIS, GARABEDIAN, PATRICK, PAGNOD-ROSSIAUX, PHILIPPE.
LA CORRIENTE DE ALIMENTACION DE UN LASER DE FOSFURO DE INDIO O ARSENIURO DE GALIO ESTA CONFINADO EN UNA CINTA LASER (14A) POR DOS MEDIOS. UN MEDIO DE BLOQUEO DE CORRIENTE CERCANA Y CONSTITUIDO POR UNA UNION BLOQUEANTE (JB) FORMADA EN DOS CANALES LATERALES (CL) QUE DELIMITAN ESTA CINTA. UN MEDIO DE BLOQUEO DE CORRIENTE ALEJADA ESTA CONSTITUIDA POR UNA CAPA SEMIAISLANTE IMPURIFICADA CON HIERRO Y DEPOSITADA EPITAXIALMENTE ANTES DEL GRABADO DE LOS CANALES LATERALES. LA INVENCION SE APLICA PARTICULARMENTE EN LA REALIZACION DE LOS LASERES DE BOMBEO UTILIZADOS EN LOS AMPLIFICADORES OPTICOS DE LAS CONEXIONES DE FIBRAS OPTICAS.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN LASER SEMICONDUCTOR CON CINTA ENTERRADA.
(01/08/1994). Solicitante/s: ALCATEL N.V.. Inventor/es: DOUSSIERE, PIERRE, LIEVIN, JEAN-LOUIS, LE GOUEZIGOU, LIONEL, LABOURIE, CHRISTINE.
PROCESO DE REALIZACION DE UN LASER SEMICONDUCTOR DE CINTA SUBTERRANEA. SE EFECTUA UN GRABADO EN UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA PARA DELIMITAR UNA CINTA LASER (2A) EN RELIEVE SOBRE UNA CAPA DE CONFINAMIENTO . UNAS CAPAS LATERALES DEBEN ENVOLVER ESTA CINTA PARA CONSTITUIR UN LASER DE CINTA SUBTERRANEA. ESTAN FORMADAS POR UN METODO DE CRECIMIENTO NO SELECTIVO QUE REALIZA UNA DEPOSICION NO SOLAMENTE AL LADO DE ESTA CINTA, SINO TAMBIEN POR ENCIMA DE ESTA CREANDO UN SALIENTE PARASITO (6A, 7A). SE RECUBREN A CONTINUACION ESTAS CAPAS Y ESTE SALIENTE CON UNA CAPA DE LOCALIZACION DE CONTACTO . A CONTINUACION SE ELIMINA ESTE SALIENTE, LO QUE FORMA EN ESTA CAPA UNA VENTANA DE CONTACTO (32B) QUE PERMITIRA LOCALIZAR UN CONTACTO ELECTRICO POR ENCIMA DE LA CINTA LASER. LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA REALIZACION DE LASERES PARA LOS SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES DE FIBRAS OPTICAS.
SISTEMA DE MANDO A DISTANCIA PARA ABERTURA Y CIERRE DE PUERTAS DE VEHICULOS AUTOMOVILES.
(01/04/1994). Solicitante/s: VALEO NEIMAN. Inventor/es: RYDEL, CHARLES.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN SISTEMA DE MANDO A DISTANCIA PARA EL CIERRE Y LA ABERTURA DE LAS PUERTAS DE UN AUTOMOVIL DEL TIPO QUE COMPRENDE MEDIOS QUE FORMAN UNA FUENTE DE LUZ ASOCIADOS A MEDIOS OTICOS ADAPTADOS PARA CONFIGURAR EL HAZ GENERADO POR LA FUENTE DE LUZ, SE CARACTERIZA POR EL HECHO DE QUE LOS MEDIOS OPTICOS ASOCIADOS A LA FUENTE DE LUZ ESTAN ADAPTADOS PARA DEFINIR UN LOBULO DE EMISION CENTRADO SOBRE UN ARBOL DE DIRECCION (O, O) QUE COMPRENDE UNA PRIMERA COMPONENTE (C1) DE GRAN ALCANCE Y DE ANGULO CORTO DE ABERTURA (A) Y UNA SEGUNDA COMPONENTE (C2) DE ALCANCE MAS CORTO Y DE GRAN ANGULO DE ABERTURA.
RED DE DIODOS ELECTROLUMINISCENTES.
(16/03/1994). Solicitante/s: VALEO VISION. Inventor/es: LE CREFF, RENE.
ESTA RED DE DIODOS ELECTROLUMINISCENTES , CONSTITUIDA POR UNA PLURALIDAD DE CRISTALES SEMI-CONDUCTORES CUYAS DOS REGIONES P Y N DE TIPOS DE CONDUCCION OPUESTOS, QUE FORMAN UNA UNION ELECTROLUMINISCENTE, SE PONEN RESPECTIVA Y SELECTIVAMENTE EN CONTACTO CON ELEMENTOS DE CONEXION, SE CARACTERIZA PORQUE CONSTA AL MENOS DE UNA BANDA DE DIODOS ELECTROLUMINISCENTES CONSTITUIDA ESENCIALMENTE POR UNA PLURALIDAD DE CRISTALES SEMI-CONDUCTORES (1A) DISPUESTOS A INTERVALO CONSTANTE, UNOS TRAS LOS OTROS, ENTRE DOS BARRITAS DE CONEXION QUE ESTAN EN CONTACTO, RESPECTIVAMENTE, CON LAS REGIONES P Y N DE DICHOS CRISTALES SEMI-CONDUCTORES (1A).
ESTRUCTURAS LASER DE SEMICONDUCTOR.
(16/02/1994). Solicitante/s: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Inventor/es: WESTBROOK, LESLIE DAVID, ADAMS, MICHAEL, JOHN.
SE DESCRIBE UNA ESTRUCTURA LASER CON MATERIAL ACTIVO ALTAMENTE IMPURIFICADO QUE TIENE UN FACTOR (ALFA) DE AUMENTO DEL ANCHO DE LINEA PARTICULARMENTE BAJO. POR LO TANTO, EL ANCHO DE LA EMISION DE LA ESTRUCTURA LASER ES RELATIVAMENTE PEQUEÑO. LA ESTRUCTURA MUESTRA UNA ESPECIAL RELACION ENTRE LA ENERGIA FOTONICA (E), LA ENERGIA DE INTERVALO DE BANDA (EG) Y EL NIVEL QUASI FERMI DE LA BANDA DE CONDUCCION (EFC) DEL MATERIAL ACTIVO QUE MINIMIZA (ALFA), SIENDO LA BANDA DE VALENCIA DEGENERADA. ESTAS CONDICIONES PUEDEN SER UTILIZADAS PARA DISEÑAR ESTRUCTURAS LASER DE (ALFA) BAJO. LAS ESTRUCTURAS ACORDES CON LOS DIVERSOS DISEÑOS DEL INVENTO SON PARTICULARMENTE APROPIADAS PARA SU APLICACION DIRECTA A LASERES MODULADOS O A MODULADORES DE ABSORCION, Y TAMBIEN A LA DETECCION OPTICA COHERENTE.
ELEMENTO DE CONSTRUCCION OPTOELECTRICO Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.
(16/01/1994). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT ALCATEL N.V.. Inventor/es: LUZ, GERHARD, ULMER, MICHAEL, ROBISCH, OLIVER.
SE PROPONE UN ELEMENTO DE CONSTRUCCION OPTOELECTRICO. EL EXTREMO DE LA FIBRA DE UN CONDUCTOR DE LUZ SE ACOPLA EN UN FOTODIODO O LASERDIODO Y EL DISPOSITIVO EN CONJUNTO SE ROCIA CON MATERIALES SINTETICOS OPACOS. COMO BASE SE UTILIZA UNA TIRA SOPORTE PORCIONADA POR FUERA Y CONFORMADA EN BANDAS METALICAS QUE PRESENTA UNA SUPERFICIE DE MONTAJE PARA SOSTENER LA FIBRA Y OTRA SUPERFICIE DE MONTAJE MARCADA PARA FOTODIODO, LASERDIODO Y DIODO MONITOR. DENTRO DE LA ENVOLTURA DE PLASTICO SE COLOCA LA ZONA DE ACOPLAMIENTO DE FIBRAS EN MATERIAL SINTETICO TRANSPARENTE O SE CUBRE MEDIANTE UNA TAPA. UNA SECCION FINAL DE LAS BANDAS DE SOPORTE SE UTILIZA COMO PLACA CONDUCTORA DE CALOR QUE JUNTAMENTE CON VARIAS BANDAS DE CUNACION DE LUZ SE ENCUENTRA A LA MISMA DISTANCIA DEL CUERPO DE MATERIAL PLASTICO.
DISPOSITIVO POSICIONADOR Y PAQUETE CERRADO HERMETICAMENTE.
(01/04/1991). Solicitante/s: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Inventor/es: STANLEY, IAN WILLIAM.
PAQUETE CERRADO HERMETICAMENTE PARA UN DISPOSITIVO OPTICO , QUE TIENE UNA PARED FORMADA PARCIALMENTE POR UN DISPOSITIVO POSICIONADOR SOLDADO A LA PARED . EL DISPOSITIVO POSICIONADOR PERMITE QUE UNA FIBRA SE ALINEE CON EL DISPOSITIVO OPTICO A CADA LADO DE UNA VENTANA DE TRANSMISION.
ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA, METODO DE FABRICARLA Y DISPOSITIVO QUE LA CONTIENE.
(16/03/1988) LA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA ESTA BASADA EN UNA MESA QUE TIENE LADOS SUSTANCIALMENTE NO REENTRANTES. PARA FABRICARLA, SE PRODUCE UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA INICIAL QUE COMPRENDE UN SUSTRATO CON UNA MESA SOBRE EL MISMO, TENIENDO LA MESA UNA TIRA CENTRAL DE AUTO-ALINEACION DE MATERIAL DE SUPRESION DEL CRECIMIENTO EN FASE DE VAPOR METALOORGANICO EN SU SUPERFICIE MAS SUPERIOR. DESPUES SE HACEN CRECER CAPAS DE ENTERRAR POR MOVPE A UNO Y OTRO LADO DE LA MESA, SE RETIRA LA TIRA Y SE HACEN CRECER CAPAS DE RECUBRIMIENTO SOBRE LA MESA Y REGIONES CONTIGUAS DE LAS CAPAS DE ENTERRAR . PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO OPTO-ELECTRONICO, SE PUEDE FORMAR UNA VENTANA DE SILICE EN LA SUPERFICIE MAS SUPERIOR DE LAS CAPAS DE RECUBRIMIENTO Y SE PROPORCIONAN CONTACTOS A TRAVES DE LA VENTANA Y A LA CARA ALEJADA DEL…
UN PROCEDIMIENTO PARA CONTROLAR LA POTENCIA LUMINOSA DE LAS FUENTES DE LUZ.
(16/11/1981). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..
PROCEDIMIENTO PARA CONTROLAR LA POTENCIA LUMINOSA DE LAS FUENTES DE LUZ UTILIZADAS EN LOS SISTEMAS DE TRANSMISION DIGITAL POR FIBRA OPTICA. EL CONTROL SE REALIZA TOMANDO LA MUESTRA (KI) DE LA CORRIENTE DE EXCITACION (I) DE LA FUENTE DE LUZ (FL), Y COMPARANDOLA CON UNA SEÑAL DE REFERENCIA (R) QUE ES SUMA DE UNA REFERENCIA EXTERNA (RO) Y UNA SEÑAL PROPORCIONAL A LA TEMPERATURA DE OPERACION DE LA FUENTE (RT). EL PASO DE LA SEÑAL DE REFERENCIA (R) Y LA SEÑAL DE MUESTRA (VM), PROPORCIONAL AL VALOR MEDIO O AL VALOR DE PICO DE LA CORRIENTE (I), A TRAVES DEL CIRCUITO DE CONTROL (CC), NOS PROPORCIONA LA SEÑAL DE CONTROL (VC) QUE ACTUA SOBRE LA EXCITACION (CE).
UN DISPOSITIVO DE LASER SEMICONDUCTOR.
(16/02/1981). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
DISPOSITIVO DE LASER SEMICONDUCTOR. UN BLOQUE SIRVE DE BASE PARA TODO EL CONJUNTO; POR UNA BASE SIMILAR A LA ENVOLVENTE DE UN TRANSISTOR SE INTRODUCEN TRES CONDUCTORES; UN CONDUCTOR DE MASA , OTRO CONDUCTOR QUE VA CONECTADO AL ELEMENTO LASER A TRAVES DE UN ALAMBRE Y UN CONDUCTOR CONECTADO POR MEDIO DE UN ALAMBRE A UN FOTODIODO . ESTE ULTIMO CONTROLA AL ELMENTO LASER . UN CAPUCHON CON UNA ABERTURA CERRADA POR UNA PLACA DE VIDRIO DOTA AL DISPOSITIVO DE UN CIERRE HERMETICO. DE APLICACION EN SISTEMAS DE AUDIO Y VIDEO.
PROCEDIMIENTO Y CIRCUITO PARA EL MANDO DE EQUIPOS NO LINEALES DE UMBRAL.
(01/03/1980). Solicitante/s: CSELT-CENTRO STUDI E LABORATORI TELECOMUNICAZIONI.
Procedimiento y circuito para el mando de equipos no lineales de umbral, procedimiento caracterizado porque la señal de datos a enviar al equipo es amplificada y sumada a una primera tensión continua, cuya amplitud es regulada automáticamente de manera que se vuelva proporcional a una primera señal de diferencia obtenida de la sustracción entre una señal tomada en los bornes del equipo mandado y una primera señal obtenida de la detección e integración de la señal de suma de la primera tensión continua con la señal de datos amplificada, con el fin de anular el paso de corriente desde o hacia el equipo en presencia de bitios 0 o en ausencia de señal de datos.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL CONTROL AUTOMATICO DE REALIMENTACION NEGATIVA DE EQUIPOS ELECTRONICOS.
(16/02/1980). Solicitante/s: CSELT-CENTRO STUDI E LABORATORI TELECOMUNICAZIONI.
Procedimiento y dispositivo para el control automático de realimentación negativa de equipos electrónicos, en los equipos cuya salida es una señal o una radiación electromagnética modulada por impulsos organizados en secuencias aleatorias de formas de onda con retorno de cero, de misma probabilidad y estadísticamente independientes, caracterizado porque una parte de la señal o de la radiación electromagnética saliente del equipo a controlar es tomada y demodulada de manera a obtener la señal envolvente, que es filtrada para obtener sólo la componente con la misma frecuencia de repetición de los impulsos, demodulada e integrada de manera a obtener una señal proporcional a la potencia pico a pico de la señal o radiación electromagnética, en el curso de estas operaciones siendo previstas una o más fases de amplificación que permiten a la señal proporcional a la potencia pico a pico de mandar en realimentación negativa el equipo a controlar.
PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS DE REPRESENTACION ELECTROLUMINISCENTE.
(16/01/1978). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.
Perfeccionamientos en dispositivos de representación electroluminiscentes , caracterizados porque se dota a cada dispositivo por lo menos dos elementos de contacto, conductores alargados prácticamente adyacentes y separados entre sí, extendiéndose por lo menos dos extremos parcialmente unidos, y teniendo un elemento foto emisor acoplado eléctricamente entre los elementos de contacto; y una base aislante alargada formada alrededor de los elementos de contacto y entre los mismos, extendiéndose sus cantos exteriores alargados más allá de los lados alargados de la base, extendiéndose la base prácticamente por toda la longitud de los cantos exteriores de los elementos de contacto y formando prácticamente parte íntegra entre los elementos de contacto.
UN METODO PARA MONTAR UN DIODO EMISOR DE LUZ EN UN CABLE FLEXIBLE PLANO Y UN CONJUNTO DE UN DIODO EMISOR LUMINOSO Y UN CABLE FLEXIBLE PLANO CORRESPONDIENTES.
(16/12/1977). Solicitante/s: AMP INCORPORATED.
Resumen no disponible.
FOTODIODO MIS Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.
(01/07/1977). Solicitante/s: PATRONATO DE INVESTIGACION CIENTIFICA Y TECNICA JUAN DE LA CIERVA.
FOTODIODO M.I.S. CON AISLANTE DE CR2O3 Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION. CONSTA DE UNA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO DOPADO (A), UNA CAPA DE OXIDO DE CROMO (B) Y UN ELECTRODO SUPERIOR EN ORO O ALUMINIO CON DOS ESPESORES DISTINTOS. PARA SU FABRICACION SE PARTE DE UNA OBLEA DE SILICIO DE 250MU DE ESPESOR SOBRE LA CUAL, UNA VEZ LIMPIA, SE DEPOSITA POR EVAPORACIONTERMICA UNA CAPA DE CROMO, FORMANDOSE EL OXIDO DE CROMO POR OXIDACION DE 450GRADOS C. DESPUES SE DEPOSITA POR EVAPORACION TERMICA DE UNA CAPA DE METAL DE 1MU DE ESPESOR. POR FOTOLITOGRAFIA SE ABRE UNA VENTANA DE 1 MM DE DIAMETRO PARA FORMAR UNA DEPRESION EN EL ELECTRODO METALICO. EL MAXIMO DE LA CURVA ESPECTRAL APARECE DE 7.600 ARMSTRONG.
LASER DE INYECCION DE HETEROESTRUCTURA DOBLE.
(16/05/1975). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY.
Resumen no disponible.