CIP-2021 : H01L 33/02 : caracterizados por los cuerpos de semiconductores.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 33/00 › H01L 33/02[1] › caracterizados por los cuerpos de semiconductores.
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
H01L 33/02 · caracterizados por los cuerpos de semiconductores.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
METODO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR LATERAL.
(10/11/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: QINETIQ LIMITED. Inventor/es: NASH,GEOFFREY RICHARD,QINETIQ LIMITED, JEFFERSON,JOHN HENRY,QINETIQ LIMITED, NASH,KEITH,JAMES.
Un método para fabricar un dispositivo semiconductor que comprende las etapas de
(i) tomar una estructura semiconductora que tiene una pila formada por un pluralidad de capas de material semiconductor dispuestas en una serie de planos sustancialmente paralelos, teniendo el material semiconductor dentro una primera capa un exceso de portadores de carga de una primera polaridad en una primera concentración, y
(ii) retirar selectivamente el material conductor de la primera capa hasta una profundidad que varía a lo largo de una primera dirección sustancialmente paralela a los planos de las capas dentro de la estructura, de manera que se proporciona una gradación de la concentración de portadores de carga de primera polaridad dentro de una capa activa a lo largo de la primera dirección.
