CIP-2021 : H01L 33/00 : Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz;

Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

CIP-2021HH01H01LH01L 33/00[m] › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

Notas[n] de H01L 33/00:
  • Este grupo cubre los diodos de emisión de luz [LEDs] o diodos superluminiscentes [SLDs], incluyendo LEDs o SLDs que emiten luz infrarroja [IR] o luz ultravioleta [UV]. 
  • En este grupo, se aplica la regla del primer lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, la clasificación se realiza en el primer lugar apropiado

H01L 33/02 · caracterizados por los cuerpos de semiconductores.

H01L 33/04 · · con una estructura de efecto cuántico o super-red, p. ej. unión túnel.

H01L 33/06 · · · dentro de la región electroluminiscente, p. ej. estructura de confinamiento o barrera túnel.

H01L 33/08 · · con una pluralidad de regiones electroluminiscentes, p. ej. capa de emisión de luz lateralmente discontinua o región fotoluminiscente integrada en el cuerpo de semiconductores (H01L 27/15  tiene prioridad).

H01L 33/10 · · con una estructura reflectante, p. ej. reflector de Bragg de semiconductor.

H01L 33/12 · · con una estructura de relajación de esfuerzo, p. ej. capa tope.

H01L 33/14 · · con una estructura de control de transporte de carga, p. ej. capa semiconductora altamente dopada o estructura de bloqueo de corriente.

H01L 33/16 · · con una estructura cristalina o una orientación particular, p. ej. policristalina, amorfa o porosa.

H01L 33/18 · · · dentro de la región electroluminiscente.

Notas[n] de H01L 33/18:
  • Cuando se clasifica en este grupo, se clasifica también en el grupo H01L 33/26  o en alguno de sus subgrupos con el objeto de identificar la composición química de la región electroluminiscente. 

H01L 33/20 · · con una forma particular, p. ej. sustrato curvado o truncado.

H01L 33/22 · · · Superficies irregulares o rugosas, p. ej. en la interfaz entre capas epitaxiales.

H01L 33/24 · · · de la región electroluminiscente, p. ej. unión de tipo no plana.

H01L 33/26 · · Materiales de la región electroluminiscente.

H01L 33/28 · · · que contienen únicamente elementos del grupo II y del grupo VI del sistema periódico.

H01L 33/30 · · · que contienen únicamente elementos del grupo III y del grupo V del sistema periódico.

H01L 33/32 · · · · que contienen nitrógeno.

H01L 33/34 · · · que contienen únicamente elementos del grupo IV del sistema periódico.

H01L 33/36 · caracterizados por los electrodos.

H01L 33/38 · · con una forma particular.

H01L 33/40 · · Materiales.

H01L 33/42 · · · Materiales transparentes.

H01L 33/44 · caracterizados por los revestimientos, p. ej. capa de pasivación o revestimiento anti-reflectante.

H01L 33/46 · · Revestimiento reflectante, p. ej. reflector de Bragg de dieléctricos.

H01L 33/48 · caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores.

Notas[n] de H01L 33/48:
  • Este grupo cubre elementos en contacto directo con el cuerpo de semiconductores o integrados con el empaquetamiento.

H01L 33/50 · · Elementos de conversión de longitud de onda.

H01L 33/52 · · Encapsulados.

H01L 33/54 · · · que tienen una forma particular.

H01L 33/56 · · · Materiales, p. ej. epoxy o resina de silicona.

H01L 33/58 · · Elementos ópticos para modificación del campo.

H01L 33/60 · · · Elementos reflectantes.

H01L 33/62 · · Disposiciones para llevar la corriente eléctrica a o desde el cuerpo de semiconductores, p. ej. leadframes, hilos de conexión o bolas de soldadura.

H01L 33/64 · · Elementos de extracción de calor o refrigerantes.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo opto-espintrónico y método para su fabricación.

(19/08/2014) Dispositivo opto-espintrónico y método para su fabricación. El dispositivo comprende: - un sustrato transparente (S); - un primer (E1) y un segundo (E2) electrodos con propiedades ferromagnéticas; - una capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO), dispuesta entre los electrodos (E1, E2); - una primera capa de barrera (B1), dispuesta entre dicho primer electrodo (E1) y una cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO);y - una segunda capa de barrera (B2), dispuesta entre dicho segundo electrodo (E2) y otra cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente…

DISPOSITIVO OPTO-ESPINTRÓNICO Y MÉTODO PARA SU FABRICACIÓN.

(24/07/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Inventor/es: CORONADO MIRALLES,EUGENIO, PRIMA GARCIA,Helena, PRIETO RUIZ,Juan Pablo.

El dispositivo comprende: - un sustrato transparente (S); - un primer (E1) y un segundo (E2) electrodos con propiedades ferromagnéticas; - una capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO), dispuesta entre los electrodos (E1, E2); - una primera capa de barrera (B1), dispuesta entre dicho primer electrodo (E1) y una cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO); y - una segunda capa de barrera (B2), dispuesta entre dicho segundo electrodo (E2) y otra cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO); estando dichas capas de barrera (B1, B2) compuestas, dimensionadas, dispuestas y configuradas para - favorecer la inyección de carga polarizada en espín tanto de electrones, como de huecos; y - favorecer la inyección de carga tanto de electrones como de huecos, y con ello la recombinación de pares electrón-hueco y la consiguiente generación de luz. El método está adaptado para fabricar el dispositivo de la invención.

Elemento bloqueante de longitudes de onda corta en fuentes de iluminación de tipo led.

(22/07/2014) Método, producto y elemento bloqueante de longitudes de onda corta en fuentes de iluminación de tipo LED que consiste en un sustrato con un pigmento distribuido de manera uniforme en su superficie y, porque dicho pigmento tiene una densidad óptica tal que permite la absorción selectiva de longitudes de onda corta comprendidas entre 380 nm y 500 nm en un rango comprendido entre el 1 y el 99%.

ELEMENTO BLOQUEANTE DE LONGITUDES DE ONDA CORTA EN FUENTES DE ILUMINACION DE TIPO LED.

(26/06/2014). Solicitante/s: UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID. Inventor/es: SANCHEZ RAMOS,CELIA.

Método, producto y elemento bloqueante de longitudes de onda corta en fuentes de iluminación de tipo LED que consiste en un sustrato con un pigmento distribuido en su superficie y, por que dicho pigmento tiene una densidad óptica tal que permite la absorción selectiva de longitudes de onda corta comprendidas entre 380 nm y 500 nm en un rango comprendido entre el 1 y el 99%.

Dispositivo emisor de luz.

(14/05/2014) Un dispositivo emisor de luz, que comprende: un diodo emisor de luz configurado para emitir luz, y un compuesto fosforescente configurado para cambiar una longitud de onda de la luz, cubriendo sustancialmente el compuesto fosforescente al menos una porción del diodo emisor de luz; en el que el compuesto fosforescente comprende un silicato que contiene cobre, un antimonato que contiene cobre, un germanato que contiene cobre, un germanato-silicato que contiene cobre o un fosfato que contiene cobre, o cualquier combinación de los mismos.

Paquete de LED de múltiples chips con una capacidad de detección espectral y cuantitativa en el paquete y salida de señal digital.

(23/04/2014) Paquete de diodos emisores de luz de múltiples chips, que comprende: un elemento de soporte; una pluralidad de chips de diodos emisores de luz dispuestos sobre el elemento de soporte un sensor dispuesto sobre el elemento de soporte para notificar una señal a un controlador , siendo la señal referente a la salida de luz de los chips de diodos emisores de luz; en el que el sensor produce una salida de señal analógica y que comprende además un circuito de procesamiento de señales dispuesto sobre el elemento de soporte para convertir la salida de señal analógica producida por el sensor en una salida de señal digital.

Fotodetector PIN.

(12/03/2014) Un fotodetector PIN que comprende: una primera capa de contacto semiconductora configurada como una estructura de mini-mesa ; una capa de absorción semiconductora , teniendo la estructura de mini-mesa un área más pequeña que la capa de absorción semiconductora ; una capa de pasivación semiconductora colocada entre la estructura de mini-mesa y la capa de absorción semiconductora , en relación con la capa de pasivación y la capa de absorción , estando la estructura de mini-mesa en contacto físico directo solo con la capa de pasivación ; y una segunda capa de contacto semiconductora , estando colocadas la capa de absorción semiconductora y la capa de pasivación entre la estructura de mini-mesa y la segunda capa de contacto semiconductora …

Métodos y aparato de iluminación controlada.

(26/02/2014) Aparato que comprende: una unidad de iluminación basada en LED; y un casquillo configurado para alojar la unidad de iluminación basada en LED y permitir que se retire y sustituya la unidad de iluminación basada en LED, teniendo la unidad de iluminación basada en LED forma de bombilla que está adaptada para insertarse en el casquillo ; en el que la unidad de iluminación basada en LED incluye al menos dos LED adaptados respectivamente para generar una radiación de colores diferentes; y en el que el casquillo incluye una memoria para almacenar señales de control de iluminación para establecer un color o temperatura de color particular de la unidad de iluminación basada en LED, y un procesador configurado para procesar las señales de control de iluminación para ordenar el color o temperatura de color de la unidad de…

Módulo de iluminación para luminarias de tipo LED y luminaria correspondiente.

(04/02/2014) Módulo de iluminación para luminarias de tipo LED y luminaria correspondiente. El módulo de iluminación comprende un circuito integrado , una pluralidad de LEDs montada en el circuito integrado y un disipador de calor apto para disipar el calor generado en el circuito integrado. El circuito integrado y el disipador son una única pieza a modo de lámina de soporte de un material altamente conductor del calor. Además, la pluralidad de LEDs del módulo de iluminación se encuentra en contacto térmico con dicha lámina de soporte . La invención también se refiere a una luminaria que incorpora el módulo de iluminación .

Dispositivo de iluminación.

(27/11/2013) Dispositivo de iluminación para usos dentales, con una multiplicidad de fuentes luminosas a base desemiconductores, que se han emplazado en un substrato, donde un material de restauración dental polimerizablepor irradiación puede someterse a la acción de las fuentes luminosas, donde se seleccionan y se disponen sobre elsubstrato por lo menos una primera fuente luminosa y por lo menos una segunda fuente luminosa demanera que pueda irradiarse por medio de la primera y la segunda fuentes luminosas cada distinta regióndel material de restauración dental, donde se ha previsto un dispositivo de control, con el cual pueden activarseseparadamente, en cada caso, las dos fuentes luminosas para diferentes zonas del material de restauracióndental,…

Detección de flujo intrínseco.

(30/10/2013) Sistema de alumbrado para la comunicación con un dispositivo de control remoto, estando elsistema de alumbrado adaptado para emitir luz para iluminación y para transmitir una señal decomunicación al dispositivo de control remoto; estando el sistema de alumbrado adaptado para detectar una señal de control desde un dispositivo de control remoto, comprendiendo el sistema de alumbrado un elemento emisor de luz; en el que el elemento emisor de luz comprende uno o más diodos emisores de luz odispositivos láser; en el que al menos uno de los diodos emisores de luz o dispositivos láser está adaptado parauna función de emisión de luz integrada, para emitir luz tanto para iluminación como para transmisión deuna señal de comunicación al dispositivo…

Módulo de visualización y medidor que utiliza el mismo.

(17/10/2013) Medidor que comprende: un módulo de esfera indicadora que comprende: una esfera indicadora que tiene una parte de diseño (21a, 22a, 23a, 24a, 25a) en una superficie frontal de laesfera indicadora ; una fuente de luz fijada a una superficie posterior de la esfera indicadora graduada para iluminar la parte dediseño; y un circuito impreso flexible fijado a una superficie posterior de la fuente de luz ,en el que la esfera indicadora , con la fuente de luz y el circuito impreso flexible están constituidos en unasola pieza estando formado en una lámina flexible en su conjunto; una primera ranura (21c) formada en una parte de la esfera indicadora del módulo ; una segunda ranura (31a) formada…

Módulo de movimiento y medidor que utiliza el mismo.

(19/09/2013) Módulo conector , que comprende. un cuerpo envolvente (84a) que comprende un primer y un segundo elementos tubulares (84b, 84c); un primer terminal de conexión (84d) que penetra a través del fondo de un primer elemento tubular (84b) paraconectar a un conector exterior (84g) dentro del primer elemento tubular (84b), estando montado el primer terminalde conexión (84d) de manera que una parte del primer terminal de conexión (84d) está situado dentro del primerelemento tubular (84b), mientras que otro elemento del primer terminal de conexión (84d) está expuesto al exteriordel primer elemento tubular (84b); un segundo terminal de conexión (84e) penetra a través del fondo del segundo elemento tubular (84c), estandomontado el segundo…

Módulo de movimiento y medidor que utiliza el mismo.

(19/09/2013) Medidor que comprende: un módulo de esfera indicadora , que comprende: una esfera indicadora que tiene una zona de diseño (21a, 22a, 23a, 24a, 25a) en una superficie frontal de laesfera indicadora y que comprende un orificio pasante (21b, 22b, 23b, 24b); una fuente de luz fijada a una superficie posterior de la esfera indicadora para iluminar la zona de diseño ycomprendiendo un orificio pasante (31a, 32a, 33a); y un circuito impreso flexible fijado a la superficie posterior de la fuente de luz y comprendiendo un orificiopasante (41a, 42a, 43a, 43b), en el que la esfera indicadora , la fuente de luz y el circuito impreso flexible forman una sola pieza para suconstitución laminar flexible en su conjunto; un módulo de movimiento…

Fuente de luz para generar luz blanca.

(28/08/2013) Fuente de luz para la generación de luz blanca que comprende un diodo emisor de luz (LED) para la emisión de radiación azul y al menos un luminóforo que absorbe una parte de la radiación azul y que también emite radiación en otro intervalo espectral caracterizada por qué: - el luminóforo es un ortosilicato alcalinotérreo activado con europio bivalente de una de las siguientes composiciones o de una mezcla de dichas composiciones: a) (2-x-y)SrO ·x (BauCav)O·(1-a-b-c-d)SiO2·aP2O5 bAl2O3dGeO2:yEu2+ siendo: 0 ≤ x< 1,6; 0,005

Ensamblado de luz.

(03/06/2013) Ensamblado de luz para dirigir la luz hacia un haz que cumple o supera una especificación de rendimientode iluminación predeterminada, comprendiendo el sistema de iluminación : uno o más diodos emisores de luz(LEDs) , teniendo cada uno un eje de salida óptica; un reflector comprendiendo una sección curvaparabólica que comprende una pluralidad de segmentos de curva parabólica , al menos uno de los segmentos teniendo un eje principal diferente en comparación con otros de lossegmentos y un punto focal común con el fin de redirigir la luz a partir de cada uno de los LEDs en el haz ; yporciones finales del reflector que flanquean la sección de curva parabólica y que cooperan con lasección de curva parabólica para redirigir la luz de los LEDs hacia el haz .

LAMPARA MULTIFOCAL.

(20/07/2012) 1. Lámpara multifocal, del tipo que se constituye a partir de una pieza base con sistema de iluminación de tecnología Microled Plus caracterizada porque sobre dicha pieza base incorpora una lente de óptica convergente acoplada a ella mediante un sistema móvil de desplazamiento que permite variar la fotometría del haz de luz generado por la lámpara. 2. Lámpara multifocal, según la reivindicación 1, caracterizada porque la lente se incorpora en un anillo de giro que se desliza sobre una guía de desarrollo helicoidal prevista en la pieza base . 3. Lámpara multifocal, según la reivindicación 2, caracterizada porque el deslizamiento del anillo sobre la guía se produce a través de un tetón previsto en el lateral de la lente que encaja en un canal del anillo ,…

LENTE ÓPTICA SECUNDARIA.

(17/07/2012) Una lente óptica secundaria incluye un plano base , una superficie de incidencia de luz , una superficie emisora de luz y dos piezas de sujeción . La superficie de incidencia de luz es una superficie cóncava y está ubicada en el centro del plano base . La superficie emisora de luz está formada por dos superficies parcialmente esféricas y una superficie de transición entre las dos superficies parcialmente esféricas. La superficie emisora de luz está conectada al plano base y define el límite del plano base . Las dos piezas de sujeción están dispuestas respectivamente, en los dos bordes del plano base en una dirección longitudinal.

Método de fabricación de dispositivos semiconductores sobre un sustrato del grupo IV con propiedades de superficie de contacto y colas de difusión controladas.

(27/06/2012) Dispositivo semiconductor que comprende: una capa de germanio de tipo p ; una capa de nucleación sobre la capa de germanio de tipo p , incluyendo la capa de nucleación un compuesto binario de los grupos III-V seleccionado del grupo que consiste en AlAs, AlSb, AlN, BAs, BSb, GaN, GaSb, InN, y InAs; y una primera capa de compuesto de los grupos III-V sobre la capa de nucleación, incluyendo la primera capa de compuesto de los grupos III-V al menos uno de GaInP, AlInP, y AlGaInP; en el que la capa de germanio de tipo p incluye átomos de fósforo que han sido difundidos desde la primera capa de compuesto de los grupos III-V , siendo la concentración de los átomos de fósforo en la capa de germanio de tipo p una función del grosor de la capa de nucleación ; y en el…

Componente optoelectrónico con estructura de bandas conductoras.

(27/04/2012) Componente optoelectrónico con estructura de bandas conductoras, en el que los componentes semiconductores electrónicos y optoelectrónicos están dispuestos en una primera región de banda conductora conectada a tierra y están rodeados por una carcasa de un plástico termoplástico o termoestable, en el que una segunda región de banda conductora conectada igualmente a tierra está plegada alrededor de la carcasa , de forma que apantalla a los componentes semiconductores de radiaciones parásitas electromagnéticas, en el que la segunda región de banda conductora está conectada a la primera región de banda conductora , y en el que la segunda región de banda conductora sobresale de la carcasa , caracterizado porque la segunda región de banda conductora…

Sistema de iluminación con ajuste de color, lámpara y luminaria.

(23/04/2012) Sistema de iluminación con ajuste de color que comprende una fuente de luz, un primer material luminiscente, emitiendo la fuente de luz, luz de un primer color (B; UV) predefinido, estando dispuesto el primer material luminiscente para convertir luz del primer color (B; UV) predefinido en luz de un segundo color (A; B; Y) predefinido diferente del primer color (B; UV) predefinido, caracterizado por medios de apantallamiento que están dispuestos para evitar que al menos parte de la luz emitida por la fuente de luz incida sobre el primer material luminiscente, pudiendo cambiarse la fuente de luz, el…

APARATO PARA EL BLOQUEO DE LOS ÁCIDOS NUCLEICOS MEDIANTE FOTOACTIVACIÓN DE AGENTES INTERCALANTES.

(20/04/2012) Aparato para el bloqueo de los ácidos nucleicos mediante fotoactivación de agentes intercalantes. Comprende: - una carcasa con una pared superior (1a) con uno o más orificios pasantes , previstos para insertar a su través uno o más de tubos de ensayo o de microcentrífuga , cada uno de los cuales contiene una respectiva muestra (M) que incluye unos ácidos nucleicos y unos agentes intercalantes fotosensibles mezclados en forma líquida, y - uno o más LEDs (L1, L2, L3, L10, L20, L30) montados en el interior de la carcasa de manera que emiten luz, según una o más direcciones determinadas, hacia unas respectivas partes (3a, 3b y 3c) de dichos de tubos , para realizar fotoactivación de los agentes intercalantes con el fin de unirlos covalentemente a los ácidos nucleicos libres…

Fuente de luz de estado sólido de alta eficacia y métodos de uso y fabricación.

(04/04/2012) Un sistema para inducir una transformación de material predeterminada en un material diana predeterminado, comprendiendo el sistema: - un sustrato acoplado termicamente a un disipador de calor y circuito excitador para proporcionar potencia a una disposición de dispositivos que emiten luz de estado sólido dispuesta superficialmente sobre el sustrato, produciendo el sistema una densidad de potencia de salida de la luz de al menos aproximadamente 50 mW/cm2 caracterizado por que el sistema es capaz de producir luz en una longitud de onda menor que aproximadamente 425 nm y el sistema comprende ademas al menos un elemento óptico que incluye una disposición de microlente reflectiva, refractiva o difractiva que colima la salida de la luz.

Sistema de iluminación.

(28/03/2012) Sistema de iluminación que comprende un cuerpo que, en funcionamiento, emite luz visible y que comprende una envolvente que transmite luz, mediante el cual el sistema de iluminación comprende al menos un elemento (2, 2') optoelectrónico que, en funcionamiento, emite luz en un primer intervalo de longitud de onda, caracterizado porque el cuerpo comprende un hilo metálico enrollado en espiral, un elemento en forma de cruz, un elemento en forma de estrella o un elemento (41, 41') decorativo, que está dotado de medios de conversión para convertir luz del primer intervalo de longitud de onda en luz de un segundo intervalo de longitud de onda y porque la envolvente está dotada de un recubrimiento que al menos refleja parcialmente…

Dispositivo emisor de luz de nitruro III con capa emisora de luz de deformación reducida.

(28/03/2012) Dispositivo que comprende: una estructura semiconductora de nitruro III que comprende: una capa emisora de luz dispuesta entre una región de tipo n y una región de tipo p; y una superficie de contacto texturizada en la región de tipo n situada entre una capa de dispositivo de contacto n y la capa emisora de luz, comprendiendo la superficie de contacto texturizada características formadas de manera litográfica y configuradas de manera que la capa emisora de luz tiene una constante reticular en el plano a2 que es mayor que una constante reticular en el plano a1 de la región de tipo n, estando la superficie texturizada dispuesta a como máximo 1000 angstroms de la capa emisora de luz.

COMPUESTOS POLICÍCLICOS CURABLES Y PROCESO PARA SU PRODUCCIÓN.

(14/03/2012) Compuesto policíclico curable representado por la siguiente fórmula : donde R 1 es un grupo alquilo de 1 a 4 át omos de carbono, un grupo perfluoroalquilo de 1 a 4 átomos de carbono, o un átomo de flúor; a es un número entero de 0 a 2; b es un número entero de 0 a 2; e Y es un grupo representado por la siguiente fórmula :

Productos basados en diodos emisores de luz.

(07/03/2012) Dispositivo de iluminación regulable que comprende: al menos un LED; y un conversor de potencia acoplado al al menos un LED y configurado para proporcionar energía CC al al menos un LED, en el que el dispositivo de iluminación es una bombilla y el al menos un LED y el conversor de potencia se proporcionan dentro de la bombilla ; caracterizado porque el conversor de potencia se configura para recibir potencia, desde un control de regulación, en forma de una señal CA de amplitud variable o una forma de onda CA interrumpida, y convertir la potencia recibida en energía CC para el al menos un LED.

ILUMINADOR HIBRIDO.

(16/07/2007). Ver ilustración. Solicitante/s: TEKNOWARE OY. Inventor/es: KUISMA, JOUKO.

Iluminador híbrido.#La presente invención se refiere a un aparato iluminador que incluye uno o varios LEDs y uno o varios componentes de control de corriente y/u otros componentes de iluminador acoplados en forma de conducción térmica a una placa de circuitos . La placa de circuitos , a su vez, está integrada en forma de conducción térmica a un elemento de enfriamiento que sirve como una parte de bastidor del iluminador para transferir calor generado por los LEDs y los componentes de control del corriente y/o los otros componentes mediante la placa de circuitos al elemento de enfriamiento y desde allí también a otras estructuras del iluminador y al entorno ambiente.

DISPOSITIVO DE SOPORTE DE DIODO ELECTROLUMINISCENTE PARA SISTEMA DE SEÑALIZACION DE AUTOMOVIL, Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE DICHO DISPOSITIVO.

(01/08/2006) Dispositivo de soporte para un diodo de potencia emisor de luz para un sistema de señalización o iluminación de automóvil, comprendiendo el dispositivo un elemento de soporte aislante, en particular hecho de material plástico, y medios para conectarlo eléctricamente a los electros del diodo, comprendiendo los medios de conexión eléctrica, en el elemento de soporte aislante , unas patas de conexión eléctrica (17a, 17b; 217a, 217b); el cuerpo (1c) del diodo emisor de luz está fijado sobre una zona (8c) de un elemento radiador de calor ; dicho elemento radiador de calor está fijado sobre el elemento de soporte aislante , y los electrodos del diodo están aislados…

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICO.

(16/07/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITY OF SURREY. Inventor/es: LEONG, DANIEL, HARRY, MILTON, ANTHONY, HOMEWOOD, KEVIN, REESON, KAREN, JOY.

SE EXPONE UN DISPOSITIVO OPTOELECTRONICO DE SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN LED, QUE COMPRENDE UNA UNION P - N DE SILICIO QUE TIENE UNA REGION FOTOACTIVA QUE CONTIENE BETA DISILICIURO DE HIERRO ( BE - FESI 2 ). EL LED PRODUCE ELECTR OLUMINISCENCIA A UNA LONGITUD DE ONDA DE APROXIMADAMENTE 1,5 MI UM. SE DESCRIBEN TAMBIEN DISPOSITIVOS FOTODETECTORES.

DISPOSITIVO DE EMISION DE LUZ ELECTROLUMINISCENTE.

(01/05/2006) Dispositivo de emisión de luz electroluminiscente, particularmente para su utilización como fuente de luz blanca, que contiene: - un sustrato transparente, formado como vidrio dispersor, - al menos una primera capa de electrodo transparente aplicada sobre el sustrato , - el número de capas de emisor de luz electroluminiscentes , las cuales están dispuestas lateralmente una junto a otra sobre la primera capa de electrodo y a partir de cuya radiación de emisión se puede generar luz blanca mediante una mezcla de colores aditiva, y - al menos una segunda capa de electrodo , la cual está aplicada sobre las capas de emisor de luz , caracterizado porque, - la extensión lateral y/o la distancia lateral de las capas de emisor de luz miden al menos…

RECUPERACION DE SUSTRATOS DE CARBURO DE SILICIO CON SUPERFICIE UTIL.

(01/12/2005). Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es: NEGLEY, GERALD, H.

La invención se refiere a un procedimiento para recuperar sustratos de carburo de silicio sobre superficies listas para usar, de estructuras heteroepitaxiales de nitruros del grupo III sobre sustratos de carburo de silicio. El procedimiento comprende someter a la capa epitaxial de nitruros del grupo III sobre un sustrato de carburo de silicio a una tensión que aumente suficientemente el número de dislocaciones de la capa epitaxial y hacer así que la capa epitaxial se someta al ataque y disolución en un ácido mineral, pero que no afecte al sustrato de silicio, y después poner en contacto la capa epitaxial con un ácido mineral para eliminar el nitruro del grupo III mientras permanece el sustrato de carburo de silicio inalterado.

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