CIP-2021 : H01L 33/00 : Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz;
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
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Notas[n] de H01L 33/00: - Este grupo cubre los diodos de emisión de luz [LEDs] o diodos superluminiscentes [SLDs], incluyendo LEDs o SLDs que emiten luz infrarroja [IR] o luz ultravioleta [UV].
- En este grupo, se aplica la regla del primer lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, la clasificación se realiza en el primer lugar apropiado
H01L 33/02 · caracterizados por los cuerpos de semiconductores.
H01L 33/04 · · con una estructura de efecto cuántico o super-red, p. ej. unión túnel.
H01L 33/06 · · · dentro de la región electroluminiscente, p. ej. estructura de confinamiento o barrera túnel.
H01L 33/08 · · con una pluralidad de regiones electroluminiscentes, p. ej. capa de emisión de luz lateralmente discontinua o región fotoluminiscente integrada en el cuerpo de semiconductores (H01L 27/15 tiene prioridad).
H01L 33/10 · · con una estructura reflectante, p. ej. reflector de Bragg de semiconductor.
H01L 33/12 · · con una estructura de relajación de esfuerzo, p. ej. capa tope.
H01L 33/14 · · con una estructura de control de transporte de carga, p. ej. capa semiconductora altamente dopada o estructura de bloqueo de corriente.
H01L 33/16 · · con una estructura cristalina o una orientación particular, p. ej. policristalina, amorfa o porosa.
H01L 33/18 · · · dentro de la región electroluminiscente.
Notas[n] de H01L 33/18: - Cuando se clasifica en este grupo, se clasifica también en el grupo H01L 33/26 o en alguno de sus subgrupos con el objeto de identificar la composición química de la región electroluminiscente.
H01L 33/20 · · con una forma particular, p. ej. sustrato curvado o truncado.
H01L 33/22 · · · Superficies irregulares o rugosas, p. ej. en la interfaz entre capas epitaxiales.
H01L 33/24 · · · de la región electroluminiscente, p. ej. unión de tipo no plana.
H01L 33/26 · · Materiales de la región electroluminiscente.
H01L 33/28 · · · que contienen únicamente elementos del grupo II y del grupo VI del sistema periódico.
H01L 33/30 · · · que contienen únicamente elementos del grupo III y del grupo V del sistema periódico.
H01L 33/32 · · · · que contienen nitrógeno.
H01L 33/34 · · · que contienen únicamente elementos del grupo IV del sistema periódico.
H01L 33/36 · caracterizados por los electrodos.
H01L 33/38 · · con una forma particular.
H01L 33/40 · · Materiales.
H01L 33/42 · · · Materiales transparentes.
H01L 33/44 · caracterizados por los revestimientos, p. ej. capa de pasivación o revestimiento anti-reflectante.
H01L 33/46 · · Revestimiento reflectante, p. ej. reflector de Bragg de dieléctricos.
H01L 33/48 · caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores.
Notas[n] de H01L 33/48: - Este grupo cubre elementos en contacto directo con el cuerpo de semiconductores o integrados con el empaquetamiento.
H01L 33/50 · · Elementos de conversión de longitud de onda.
H01L 33/52 · · Encapsulados.
H01L 33/54 · · · que tienen una forma particular.
H01L 33/56 · · · Materiales, p. ej. epoxy o resina de silicona.
H01L 33/58 · · Elementos ópticos para modificación del campo.
H01L 33/60 · · · Elementos reflectantes.
H01L 33/62 · · Disposiciones para llevar la corriente eléctrica a o desde el cuerpo de semiconductores, p. ej. leadframes, hilos de conexión o bolas de soldadura.
H01L 33/64 · · Elementos de extracción de calor o refrigerantes.