CIP-2021 : H01L 21/22 : Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos,
en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 21/00 › H01L 21/22[4] › Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.
Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/22 · · · · Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UNION P-N NEUTRALIZADA EN SEMICONDUCTOR DE MESETA.
(16/09/1998) PROCESO PARA FORMAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMIENZA DIFUNDIENDO UNA CAPA N, CON UNA CONCENTRACION RELATIVAMENTE ALTA, EN UNA PLAQUITA P, CON UNA CONCENTRACION RELATIVAMENTE BAJA. A CONTINUACION, LA PLAQUITA SE ATACA QUIMICAMENTE PARA OBTENER VARIOS SEMICONDUCTORES DE MESETA, CADA UNA DE LAS CUALES TIENE UNA UNION P-N QUE INTERSECTA UNA PARED LATERAL DE LA ESTRUCTURA DE MESETA. ENTONCES, SE DESARROLLA UNA CAPA DE OXIDO EN LAS PAREDES LATERALES DE LAS MESETAS, NEUTRALIZANDO DICHA CAPA DE OXIDO EL DISPOSITIVO. LA FASE DE OXIDACION HACE QUE LA UNION P-N SE CURVE HACIA LA CAPA P PROXIMA A LA APA DE OXIDO. TRAS ESTO, LA UNION P-N SE DIFUNDE MAS PROFUNDAMENTE EN LA LACA P, CON UN FRENTE DE DIFUSION QUE TIENDE A CURVAR LA UNION…
ESTRUCTURA DE ORDENACION PARA LLEVAR PIEZAS PARA GALVANIZAR A UN SOPORTE COLGANTE O PARA QUITARLAS DEL MISMO.
(01/03/1992). Solicitante/s: SCHERING AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND BERGKAMEN. Inventor/es: KOSIKOWSKI, THOMAS.
LA INVENCION SE REFIERE A UNA ORDENACION DE ACUERDO CON EL CONTENIDO DE LA REIVINDICACION 1. EN ELLA SE TRATA ESPECIALMENTE Y COMO CAMPO DE APLICACION PRINCIPAL EL TRANSPORTE DE PLACAS CONDUCTORAS PARA GALVANIZAR, QUE CONTIENEN CONEXIONES ELECTRONICAS, O TOMAN LOS ELEMENTOS DE CONEXION CORRESPONDIENTES, DESPUES EN/O DEL GANCHO DE COLGAR CITADO. EXISTEN ORDENACIONES, EN LAS QUE LAS PIEZAS PARA GALVANIZAR EN FORMA DE PLACA SE MUEVEN POR MEDIO DE VENTOSAS NEUMATICAS QUE LAS SOSTIENEN Y QUE LAS SITUAN EN EL LUGAR CORRESPONDIENTE O EN EL COLGADOR CORRESPONDIENTE. LAS FUERZAS DE TRASLADO, POR MEDIO DE TALES VENTOSAS, SON LIMITADAS. CON ELLO QUEDA TAMBIEN LIMITADO EL CAMPO DE APLICACION DE LA ORDENACION INDICADA. Y DE ESTE MODO NO PUEDEN MOVERSE GRANDES PIEZAS EN FORMA DE PLACA, ESPECIALMENTE SE PRODUCEN DIFICULTADES, CUANDO LAS PIEZAS PLANAS MEDIANTE EL PROCESO DE GALVANIZACION AL DEPOSITARSE SOBRE ELLAS UNA MASA METALICA, SE HACEN "PEGADO" AL COLGADOR Y DEBEN SEPARARSE DE EL CON UNA FUERZA DE TRACCION ADECUADA.
ARMAZONES ALARGADOS Y PIEZAS CORRESPONDIENTES PARA LA FIJACION SOLTABLE DE PLACAS DE CIRCUITO IMPRESO QUE HAN DE GALVANIZARSE, Y PLACAS DE CIRCUITO IMPRESO CORRESPONDIENTES.
(01/03/1992) Armazones alargados y piezas correspondientespara la fijación soltable de placas de circuito impreso para la galvanización subsiguiente, con medios para sujetar las placas de circuito impreso en sus dos bordes longitudinales laterales enfrentados entre sí, sirviendo también los medios de sujeción para la alimentación de corriente, caracterizados porque dos armazones paralelos entre sí y dispuestos a cierta distancia uno de otro presentan cada uno retenedores de apriete en sí elásticos , porque estos retenedores de apriete se proyectan libremente hacia fuera desde cada armazón , penetrando preferiblemente en el espacio comprendido entre estos dos armazones, y porque están previstos medios o bien los retenedores de apriete están configurados de modo que se hace posible una introducción…
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE DIODOS DE SILICIO ENCAPSULADOS.
(01/04/1977). Solicitante/s: FAGOR ELECTROTECNICA, S.COOP..
DIODOS DE SILICIO ENCAPSULADOS EN VIDRIO PARA SU UTILIZACION EN CIRCUITOS ELECTRONICOS. CONSTAN DE UNA TABLETA DE SILICIO FORMADO A PARTIR DE UN PARALELEPIPEDO DE SILICIO MONOCRISTALINO, DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD, RECUBIERTA EN UNA DE SUS CARAS, SALVO UNA ZONA DE ELLA, CON UN MATERIAL APROPIADO COMO PANTALLA DE DIFUSION, CONSIGUIENDO BAJO LA ZONA NO RECUBIERTA Y POR DIFUSION DE DETERMINADO MATERIAL, UN SILICIO DE SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD, SOBRE EL QUE SE INCORPORA UN MONTICULO DE PLATA O ALEACION CONDUCTORA, HABIENDO INTERCALADO UNA CAPA METALICA QUE SOBRESALE DE LA ZONA NO RECUBIERTA PARA CONSEGUIR UN BUEN CONTACTO ENTRE TERMINAL Y ZONA DE SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD. LOS TERMINALES CONSTAN DE UNA CABEZA CILINDRICA DE MATERIAL ADECUADO SOLDADA A UN DIODO ALAMBRE CONDUCTOR QUE PRESIONAN SOBRE LA TABLETA COMO CONSECUENCIA DE LA CONTRACCION DEL VIDRIO DE LA CAPSULA AL ENFRIARSE DESPUES DE SOLDAR LOS TERMINALES.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR MONOLITICO.
(16/03/1975). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Resumen no disponible.
UN METODO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS MONOLITICOS SEMICONDUCTORES.
(01/03/1975). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Resumen no disponible.
MÉTODO DE FABRICACIÓN DE CONJUNTOS CONDUCTORES.
(01/01/1962) Método de fabricación de conjuntos semiconductores con capa de bloqueo que comprenden un cuerpo semiconductor de silicio, mediante un tratamiento de aleación difusión en que la difusión predominante de una impureza aceptora desde una masa fundida de material electródico provista sobre el cuerpo de silicio que contiene una impureza aceptora activa y una impureza dadora activa, se forma una capa de difusión de tipo p, en el silicio adyacente, después de lo cual, durante el enfriamiento, en orden de sucesión , son depositadas una capa de silicio recristalizado de tipo n, debido a la segregación predominante del dador, y un material electródico residual para ser usado como un contacto, desde esta masa fundida sobre dicha capa de difusión, caracterizado por el hecho de que al menos una de las impurezas que actúan en el proceso de aleación…
MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN TRANSISTOR.
(01/04/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Método de fabricación de un transistor, particularmente para fines de conmutación, que comprende un cuerpo semiconductor en el cual están previstas una zona colectora, una zona de base y una zona emisora sobre las cuales están provistos contactos de colector, de base y de emisor, respectivamente, estando provisto el referido cuerpo de una o más impurezas que acortan la vida de los portadores de carga, caracterizado por el hecho de que por lo menos aquella parte de la zona de base que está ubicada entre la zona colectora y la zona emisora es formada simultáneamente por la fusión de un material de contacto emisor y la difusión de una impureza inversora del tipo de conductividad del cuerpo semiconductor en el área en consideración, por lo menos en el área por debajo de dicho material de contacto donde el mismo constituye una zona de base difundida, usándose un material de contacto que substancialmente está libre de las referidas impurezas que acortan la vida de los portadores de carga.
