(28/08/2019) Un dispositivo de almacenamiento de semiconductor no volátil , que comprende: una matriz de memoria ; una pluralidad de circuitos de retención de datos (120-0∼ 120-7), en el que en los circuitos de retención de datos (120-0∼ 120-7), cada uno de los circuitos de retención de datos (120-0~120-7) comprende un circuito conectado a la matriz de memoria a través de una línea de bits (GBL) y que retiene datos para ser programados en una página seleccionada, y un circuito de salida que emite si una verificación está calificada o no en una verificación de programación; y un circuito de determinación , conectado al circuito de salida de cada uno de los circuitos de retención de datos (120-0∼ 120-7), y que determina si los resultados de verificación de la pluralidad…

(08/01/2014) Un dispositivo de memoria que comprende: Un arreglo de memoria que tiene celdas de memoria dispuestas en filas y columnas caracterizadas porque: cada celda de memoria es borrable para tener un voltaje umbral de borrado negativo y es programable en unaoperación de programa que tiene al menos un voltaje umbral de programación negativo; un controlador de línea para controlar selectivamente una línea (WLn) conectada a un terminal de puerta de una celda de memoria con un voltaje de programación para cambiar el voltaje umbral de borrado negativo a almenos un voltaje umbral de programa negativo durante la operación del programa.

(22/06/2012) Un artículo de fabricación que comprende instrucciones legibles por máquina que, cuando se ejecutan, hacen que se lleven a cabo operaciones, caracterizado por que las operaciones comprenden: determinar si llevar a cabo una operación de mantenimiento donde la determinación de si llevar a cabo la operación de mantenimiento comprende determinar si un dispositivo principal tiene una fuente de alimentación que satisface una condición predeterminada; identificar información de error asociada con una página de celdas de memoria en respuesta a determinar que debe llevarse a cabo una operación de mantenimiento; determinar…

(01/03/2007) Sistema para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash , con un sensor de temperatura que mide la temperatura que caracteriza a la memoria flash y una unidad de control unida al sensor de temperatura y a la memoria flash, que comprende un generador de tiempo y está realizada de tal manera que puede recibir las señales de temperatura del sensor de temperatura y mediante integración, a lo largo del tiempo de los valores de temperatura determinados a partir de ahí, pueda determinar un valor de carga térmica acumulada de la memoria flash, caracterizado porque la memoria flash está programada antes de su funcionamiento a alta temperatura,…

(16/11/2006) Un método para operar una matriz de células de memoria no volátil que almacena datos como diferentes niveles de carga en elementos de almacenamiento de carga, en donde entre los grupos adyacentes de los elementos de almacenamiento de carga existe acoplamiento de campo: programar datos en un primer grupo de los elementos de almacenamiento de la carga con un primer juego de niveles de almacenamiento (VL) junto con una indicación TB=L de que se ha usado el primer juego de niveles de almacenamiento, a continuación programar datos en un segundo grupo de los elementos de almacenamiento de carga con el primer juego de niveles de almacenamiento junto con una indicación de que…